区块链U盘数据保存

1. U盘真的只能将数据存10年吗能永久将数据保存起来吗

怎么弄都不是很保险，各种意外都可能会使数据丢失。可以用不同的存储设备多做几个备份啊。

像U盘光盘网盘都用上。我以前申请的网易邮箱带网盘功能，6年前存的数据现在还有。网易网盘不开放共享的功能，但是下载速度和安全性都很好。8年的老牌子了

2. U盘保存数据，可以存放多久,前提是存入资料后，不在 使用U盘。存放起来。

通常静态数据丢失是由于磁性介质消磁，或半导体器件电子流失导致的。虽然很微弱，但是然在流失，所以会有一个有效存储时间的出现。
严格地说这和U盘使用的存储方法有着直接关系，U盘是通过芯片处理信号分配给EEPROM存储芯片的相应地址存储二进制数据，实现数据的存储。EEPROM数据存储器，其控制原理是电压控制栅晶体管的电压高低值，栅晶体管的结电容可长时间保存电压值，断电后能保存数据的原因主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅。在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。
这样，U盘掉电后数据保存时间就更eeprom数据存储器中的电子流失时间有关，一般常规说法是可以保存100年左右，但是，在某些电路非控态下，就是掉电之后EEPROM可能会进入“写状态”，这虽是小概率事件，但一旦发生后果严重。高温当然也是可能的原因，环境温度过高、时间过长可能会使存储单元内的封闭电子部分溢出，逻辑状态也会因此不稳定甚至改变，这样可能会改变eeprom中储存的数据，造成数据丢失。这样的数据丢失几个月内就可以发生。
所以U盘存储时间更U盘使用的eeprom存储芯片和U盘放置的环境有关，温度合适的环境下，可以保存进百年时间。

3. U盘数据能保存多久，怎样长久保存数据

在保管环境好的前提下，最长时间的是光盘，其次是U盘，最后是移动硬盘。。。因为存储介质不一样，光盘是直接刻写上在光盘介质上的，U盘是存储芯片，具有一定的读写次数，而移动硬盘由于所用硬盘里有液态轴承马达，控制磁头进行读写操作，存在一定的磨损。。。因为光盘是最好的存储工具，能不能存到70年那就看保存环境了呀，还有使用频率咯

4. 在区块链中，记录的数据是以什么形式储存的

加密代码。每几分钟就有一个新的区块生成，里面储存了不同的信息由不同的密码（双钥）构成。

5. 区块链技术中数据的储存方式是怎样的

简单的来说，区块链的数据储存是通过区块通过公式算法过程后被正式纳入区块链中储存，全网节点均表示接受该区块，而表示接受的方法，就是将区块的随机散列值是为最新的区块散列值，兴趣快的制造将以该区块链为基础进行延长。

6. U盘，储存卡是如何储存数据的啊，困扰我好久了。

转一篇文章"U盘原理"，很长，专业术语较多，希望能有帮助。
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U盘设计

“USB闪存盘”（以下简称“U盘”）是基于USB接口、以闪存芯片为存储介质的无需驱动器的新一代存储设备。U盘的出现是移动存储技术领域的一大突破，其体积小巧，特别适合随身携带，可以随时随地、轻松交换资料数据，是理想的移动办公及数据存储交换产品。

U盘的结构基本上由五部分组成：USB端口、主控芯片、FLASH（闪存）芯片、PCB底板、外壳封装。

U盘的基本工作原理

USB端口负责连接电脑，是数据输入或输出的通道；主控芯片负责各部件的协调管理和下达各项动作指令，并使计算机将U盘识别为“可移动磁盘”，是U盘的“大脑”；FLASH芯片与电脑中内存条的原理基本相同，是保存数据的实体，其特点是断电后数据不会丢失，能长期保存；PCB底板是负责提供相应处理数据平台，且将各部件连接在一起。当U盘被操作系统识别后，使用者下达数据存取的动作指令后，USB移动存储盘的工作便包含了这几个处理过程。

通用串行总线（Universal serial Bus）是一种快速灵活的接口，
当一个USB设备插入主机时，识别出USB设备是一个支持Bulk-Only传输协议的海量存储设备。这时应可进行Bulk-Only传输方式。在此方式下USB与设备之间的数据传输都是通过Bulk-In和Bulk-Out来实现的。在这种传输方式下，有三种类型数据在USB和设备传送，它们是命令块包（CBW），命令执行状态包（CSW）和普通数据包。CBW是主机发往设备的命令。

格式如下：其中dCBWSignature的值为43425355h,表示当前发送的是一个CBW。
DCBWDataTransferLength：表示这次CBW要传送数据长度。

BmCBWFlags：表示本次CBW是读数据还是写数所BBWCBLength：表示命令的长度。 CBWCB：表示本次命令内容。也即是SCSI命令。

当设备从主机收到CBW块以后，它会把SCSI命令从CBW中分离出来，然后根据要求执行，执行的结果又以CSW的形式发给主机。 CSW的格式如下：

其中dCSWSignature的值为53425355h,表示当前发送的是一个CSW。 DCSWTag：必须和CBW中dCBWTag一样。
DCSWDataResie：还要传送的数据。

BCSWStatue：命令执行状态，命令正确执行时，为0。

由于USB设备硬件本身的原因，它会使USB总线的数据信号线的电平发生变化，而主机会经常扫描USB总线。当发现电平有变化时，它即知道有设备插入。USB设备它本身会初始化，并认为地址是0。也就是没有分配地址，这有点象刚进校的大学生没有学号一样。

正如有一个陌生人闯入时我们会问“你是什么人”一样，当一个USB设备插入主机时，，它也会问：“你是什么设备”。并接着会问，你使用什么通信协议等等。当这一些信息都被主机知道后，主机与USB设备之间就可以根据它们之间的约定进行通信。
USB的这些信息是通过描述符实现的，USB描述符主要包括：设备描述符，配置描述符，

接口描述符，端点描述符等。当一个U盘括入主机时，你立即会发现你的资源管理器里多了一个可移动磁盘，在Win2000下你还可以进一步从主机上知道它是爱国者或是朗科的。这里就有两个问题，首先主机为什么知道插入的是移动磁盘，而不是键盘或打印机等等呢？另外在Win2000下为什么还知道是哪个公司生产的呢？其实这很简单，当USB设备插入主机时，主机首先就会要求对方把它的设备描述符传回来，这些设备描述符中就包含了设备类型及制造商信息。又如传输所采用的协议是由接口描述符确定，而传输的方式则包含在端点描述符中。

USB设备分很多类:显示类,通信设备类,音频设备类,人机接口类,海量存储类.特定类的设备又可分为若干子类,每一个设备可以有一个或多个配置，配置用于定义设备的功能。配置是接口的集合，接口是指设备中哪些硬件与USB交换信息。每个与USB交换信息的硬件是一个端点。因些，接口是端点的集合。

U盘应属于海量存储类。

USB海量存储设备又包括通用海量存储子类,CDROM,Tape等，U盘实际上属于海量存储类中通用海量存储子类。通用海量存储设备实现上是基于块/扇区存储的设备。

USB组织定义了海量存储设备类的规范，这个类规范包括4个独立的子类规范。主要是指USB总线上的传输方法与存储介质的操作命令。

海量存储设备只支持一个接口,即数据接口,此接口有三个端点Bulk input ,Bulk output,中断端点

这种设备的接口采用SCSI-2的直接存取设备协议,USB设备上的介质使用与SCSI-2以相同的逻辑块方式寻址。

在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。

闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。

写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。

读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。

U盘原理的存储是:计算机把二进制数字信号转为复合二进制数字信号（加入分配、核对、堆栈等指令）读写到USB芯片适配接口，通过芯片处理信号分配给EPROM2存储芯片的相应地址存储二进制数据，实现数据的存储。

7. U盘里面的数据能保存多久

应该有 我的128mU盘 到现在很久了，肯定超了2年了。上次找到。里面的数据还是可以打开和使用的。我忘了说是紫光的U盘。可能具体看你自己保存和使用的方法了。进像人的寿命，你可以说你能活到多少吗？你最多有个预期，U盘应该可以超2年，保存好的话。

8. U盘是如何存储数据的

闪存(Flash Memory)是非挥发存储的一种，具有关掉电源仍可保存数据的优点，同时又可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量，以及低功耗特性等优点。 其存储物理机制实际上为一种新型EEPROM（电可擦除可编程只读存储）。是SCM（半导体存储器）的一种。

早期的SCM采用典型的晶体管触发器作为存储位元，加上选择、读写等电路构成存储器。现代的SCM采用超大规模集成电路工艺制成存储芯片，每个芯片中包含相当数量的存储位元，再由若干芯片构成存储器。目前SCM广泛采用的主要材料是金属氧化物场效应管（MOS），包括PMOS、NMOS、CMOS三类，尤其是NMOS和CMOS应用最广泛。

RAM（随机存取存储），是一种半导体存储器。必须在通电情况下工作，否则会丧失存储信息。RAM又分为DRAM（动态）和SRAM（静态）两种，我们现在普遍使用的PC机内存即是SDRAM（同步动态RAM），它在运行过程当中需要按一定频率进行充电（刷新）以维持信息。DDR DDR2内存也属于SDRAM。而SRAM不需要频繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的缓存（cache）上。

PROM（可编程ROM）则只能写入一次，写入后不能再更改。

EPROM（可擦除PROM）这种EPROM在通常工作时只能读取信息，但可以用紫外线擦除已有信息，并在专用设备上高电压写入信息。

EEPROM（电可擦除PROM），用户可以通过程序的控制进行读写操作。

闪存实际上是EEPROM的一种。一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给存储的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。

Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash Memory采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。

MSM（磁表面存储）是用非磁性金属或塑料作基体，在其表面涂敷、电镀、沉积或溅射一层很薄的高导磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁层的两种剩磁状态记录信息"0"和"1"。基体和磁层合称为磁记录介质。依记录介质的形状可分别称为磁卡存储器、磁带存储器、磁鼓存储器和磁盘存储器。计算机中目前广泛使用的MSM是磁盘和磁带存储器。硬盘属于MSM设备。

ODM（光盘存储）和MSM类似，也是将用于记录的薄层涂敷在基体上构成记录介质。不同的是基体的圆形薄片由热传导率很小，耐热性很强的有机玻璃制成。在记录薄层的表面再涂敷或沉积保护薄层，以保护记录面。记录薄层有非磁性材料和磁性材料两种，前者构成光盘介质，后者构成磁光盘介质。
ODM是目前辅存中记录密度最高的存储器，存储容量很大且盘片易于更换。缺点是存储速度比硬盘低一个数量级。现已生产出与硬盘速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常见的ODM。

9. U盘的数据可以保存多久

可以擦写100万次以上，数据可以保存10年以上。这是极好的u盘，很贵，但是现在市场上的一般是60~90的大多是3年就不行了，这是我的个人体验，要是你不动的话应该能到十年吧！！！
这样可以么？