Clpc是數字貨幣嗎

『壹』 PC是什麼材質

PC是聚碳酸酯的簡稱，聚碳酸酯的英文是Polycarbonate，簡稱PC工程塑料。

PC材質本身就是一種強韌的熱塑性樹脂，PC材質抗沖擊性強，強度和韌性很好，無論是重壓還是一般的摔打，只要你不是試圖用石頭砸它，它就足夠長壽，同時透明度也高但是它的外觀較容易刮花。

和其他樹脂一樣，PC材質容易受某些有機溶劑的浸濁。

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pc材料是一種化學合成物，在日常的生活中應用的比較廣泛，特別是在工業方面。這種合成物安全無毒，擁有許多的功能，它的存在推進了工業的發展，有著極高的地位。

PC材質具有良好的透光性，抗沖擊性，耐紫外線輻射及其製品的尺寸穩定性和良好的成型加工性能，使其比建築業傳統使用的無機玻璃具有明顯的技術性能優點。

隨著航空、航天技術的迅速發展，對飛機和航天器中各部件的要求不斷提高，使得PC在該領域的應用也日趨增加。據統計，僅一架波音型飛機上所用聚碳酸酯部件就達2500個。

『貳』 clpc是哪個保險公司

中國人壽養老保險股份有限公司
網址：http://www.clpc.com.cn/

『叄』 PC是什麼料

pc材料是一種化學合成物，在日常的生活中應用的比較廣泛，特別是在工業方面，這種合成物安全無毒，擁有許多的功能，它的存在推進了工業的發展，在工業的發展中擁有崇高的位置。聚碳酸酯
聚碳酸酯(英文簡稱PC)是分子鏈中含有碳酸酯基的高分子聚合物，根據酯基的結構可分為脂肪族、芳香族、脂肪族-芳香族等多種類型。其中由於脂肪族和脂肪族-芳香族聚碳酸酯的機械性能較低，從而限制了其在工程塑料方面的應用。

僅有芳香族聚碳酸酯獲得了工業化生產。由於聚碳酸酯結構上的特殊性，已成為五大工程塑料中增長速度最快的通用工程塑料。

中文名稱
聚碳酸酯
英文名
Polycarbonate
別稱
PC塑料
化學式
2,2'-雙(4-羥基苯基)丙烷聚碳酸酯
CAS登錄號
25037-45-0
熔點
220-230℃
水溶性
不溶
密度
1200Kg/m3
安全性描述
不可食用
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成分
聚碳酸酯是一種強韌的熱塑性樹脂，其名稱來源於其內部的CO3基團。可由雙酚A和氧氯化碳(COCl2)合成。現較多使用的方法為熔融酯交換法(雙酚A和碳酸二苯酯通過酯交換和縮聚反應合成)。

雙酚A和碳酸二苯酯反應原理:

性質
化學
聚碳酸酯(PC)是碳酸的聚酯類，碳酸本身並不穩定，但其衍生物(如光氣，尿素，碳酸鹽，碳酸酯)都有一定穩定性。

按醇結構的不同，可將聚碳酸酯分成脂族和芳族兩類。

脂族聚碳酸酯。如聚亞乙基碳酸酯，聚三亞甲基碳酸酯及其共聚物，熔點和玻璃化溫度低，強度差，不能用作結構材料;但利用其生物相容性和生物可降解的特性，可在葯物緩釋放載體，手術縫合線，骨骼支撐材料等方面獲得應用。

聚碳酸酯耐弱酸，耐弱鹼，耐中性油。

聚碳酸酯不耐紫外光，不耐強鹼。

PC是一種線型碳酸聚酯，分子中碳酸基團與另一些基團交替排列，這些基團可以是芳香族，可以是脂肪族，也可兩者皆有。雙酚A型PC是最重要的工業產品。

PC是幾乎無色的玻璃態的無定形聚合物，有很好的光學性。PC高分子量樹脂有很高的韌性，懸臂梁缺口沖擊強度為600~900J/m，未填充牌號的熱變形溫度大約為130°C ，玻璃纖維增強後可使這個數值增加10°C。PC的彎曲模量可達2400MPa以上，樹脂可加工製成大的剛性製品。低於100°C 時，在負載下的蠕變率很低。PC耐水解性差，不能用於重復經受高壓蒸汽的製品。

PC主要性能缺陷是耐水解穩定性不夠高，對缺口敏感，耐有機化學品性，耐刮痕性較差，長期暴露於紫外線中會發黃。和其他樹脂一樣，PC容易受某些有機溶劑的侵蝕。

PC材料具有阻燃性。抗氧化性。

物理
密度:1.18-1.22 g/cm^3 線膨脹率:3.8×10^-5 cm/°C 熱變形溫度:135°C 低溫-45°C

聚碳酸酯無色透明，耐熱，抗沖擊，阻燃BI級，在普通使用溫度內都有良好的機械性能。同性能接近聚甲基丙烯酸甲酯相比，聚碳酸酯的耐沖擊性能好，折射率高，加工性能好，不需要添加劑就具有UL94 V-2級阻燃性能。但是聚甲基丙烯酸甲酯相對聚碳酸酯價格較低，並可通過本體聚合的方法生產大型的器件。

材料的耐磨性是相對的，把ABS材料與PC材料做比較的話，那就是PC材料耐磨性比較好。但是相對於大部分的塑膠材料來看，聚碳酸酯的耐磨性是比較差的，處於中下水平，所以一些用於易磨損用途的聚碳酸酯器件需要對表面進行特殊處理。

分類
防靜電PC、導電PC、加纖防火PC、抗紫外線耐候PC、食品級PC、抗化學性PC。

主要優點
1.具高強度及彈性系數、高沖擊強度、使用溫度范圍廣;

2.高度透明性及自由染色性;

3.成形收縮率低、尺寸安定性良好;

4.耐疲勞性佳;

5.耐候性佳;

6.電氣特性優。

主要性能
1.機械性能:強度高、耐疲勞性、尺寸穩定、蠕變也小(高溫條件下也極少有變化);

2.耐熱老化性:增強後的UL溫度指數達120~140℃(戶外長期老化性也很好);

3.耐溶劑性:無應力開裂;

4.對水穩定性:高溫下遇水易分解(高溫高濕環境下使用需謹慎);

5.電氣性能:

6.絕緣性能:優良(潮濕、高溫也能保持電性能穩定，是製造電子、電氣零件的理想材料);

7.介電系數:3.0-3.2;

8.耐電弧性:120s;

9.成型加工性:普通設備注塑或擠塑。

PC塑料的粘接

根據不同需要，可以選擇以下粘合劑:

1.G-933:單組分常溫固化軟彈性防震粘合劑，耐高低溫，不同粘度粘接速度幾秒至幾個小時固化完畢。

2.KD-833瞬間粘接劑，可以數秒鍾或數十秒鍾快速粘合PC塑料，但膠層硬脆，不耐60度以上熱水浸泡。

3.QN-505，雙組分膠，膠層柔軟，適合PC塑料大面積粘接或復合。但耐高溫性能較差。

4.QN-906:雙組分膠，耐高溫。

5.G-988:單組份室溫硫化膠，固化後是彈性體具有優秀的防水，防震粘合劑，耐高低溫， 1-2mm厚度的話，10分鍾左右初固，5-6小時基本固化，有一定的強度。完全固化的話需要至少24小時。單組份，不需要混合，擠出後塗抹靜置即可，無需加溫。

6.KD-5606:UV紫外線固化膠，粘合透明PS片材及板材，可達無痕跡效果，需要用紫外線燈照射固化。粘後效果美觀。但耐高溫性能較差。

應用
發展行業
PC工程塑料的三大應用領域是玻璃裝配業、汽車工業和電子、電器工業，其次還有工業機械零件、光碟、包裝、計算機等辦公室設備、醫療及保健、薄膜、休閑和防護器材等。PC可用作門窗玻璃，PC層壓板廣泛用於銀行、使館、拘留所和公共場所的防護窗，用於飛機艙罩，照明設備、工業安全檔板和防彈玻璃。

PC板可做各種標牌，如汽油泵表盤、汽車儀錶板、貨棧及露天商業標牌、點式滑動指示器， PC樹脂用於汽車照明系統，儀表盤系統和內裝飾系統，用作前燈罩，帶加強筋汽車前後檔板，反光鏡框，門框套、操作桿護套、阻流板、PC被應用用作接線盒、插座、插頭及套管、墊片、電視轉換裝置，電話線路支架下通訊電纜的連接件，電閘盒、電話總機、配電盤元件，繼電器外殼。PC可做低載荷零件，用於家用電器馬達、真空吸塵器，洗頭器、咖啡機、烤麵包機、動力工具的手柄，各種齒輪、蝸輪、軸套、導規、冰箱內擱架。PC是光碟儲存介質的理想材料。

PC瓶(容器)透明、重量輕、抗沖性好，耐一定的高溫和腐蝕溶液洗滌，作為可回收利用瓶(容器)。PC及PC合金可做計算機架，外殼及輔機，列印機零件。改性PC耐高能輻射殺菌，耐蒸煮和烘烤消毒，可用於采血標本器具、血液充氧器、外科手術器械、腎透析器等、PC可做頭盔和安全帽、防護面罩、墨鏡和運動護眼罩。 PC薄膜廣泛用於印刷圖表、醫葯包裝、膜式換向器。

聚碳酸酯的應用開發是向高復合、高功能、專用化、系列化方向發展，已推出了光碟、汽車、辦公設備、箱體、包裝、醫葯、照明、薄膜等多種產品各自專用的品級牌號。

『肆』 cl是什麼

cl（cas
latency）：為cas的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。
內存負責向cpu提供運算所需的原始數據，而目前cpu運行速度超過內存數據傳輸速度很多，因此很多情況下cpu都需要等待內存提供數據，這就是常說的「cpu等待時間」。內存傳輸速度越慢，cpu等待時間就會越長，系統整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內存是有效提升cpu效率和整機性能的關鍵之一。
在實際工作時，無論什麼類型的內存，在數據被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進行必要的通信，而這種就會造成傳輸的一定延遲時間。cl設置一定程度上反映出了該內存在cpu接到讀取內存數據的指令後，到正式開始讀取數據所需的等待時間。不難看出同頻率的內存，cl設置低的更具有速度優勢。
上面只是給大家建立一個基本的cl概念，而實際上內存延遲的基本因素絕對不止這些。內存延遲時間有個專門的術語叫「latency」。要形象的了解延遲，我們不妨把內存當成一個存儲著數據的數組，或者一個excel表格，要確定每個數據的位置，每個數據都是以行和列編排序號來標示，在確定了行、列序號之後該數據就唯一了。內存工作時，在要讀取或寫入某數據，內存控制晶元會先把數據的列地址傳送過去，這個ras信號（row
address
strobe，行地址信號）就被激活，而在轉化到行數據前，需要經過幾個執行周期，然後接下來cas信號（column
address
strobe，列地址信號）被激活。在ras信號和cas信號之間的幾個執行周期就是ras-to-cas延遲時間。在cas信號被執行之後同樣也需要幾個執行周期。此執行周期在使用標准pc133的sdram大約是2到3個周期；而ddr
ram則是4到5個周期。在ddr中，真正的cas延遲時間則是2到2.5個執行周期。ras-to-cas的時間則視技術而定，大約是5到7個周期，這也是延遲的基本因素。
cl設置較低的內存具備更高的優勢，這可以從總的延遲時間來表現。內存總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統時鍾周期×cl模式數+存取時間（tac）。首先來了解一下存取時間（tac）的概念，tac是access
time
from
clk的縮寫，是指最大cas延遲時的最大數輸入時鍾，是以納秒為單位的，與內存時鍾周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時間（tac）代表著讀取、寫入的時間，而時鍾頻率則代表內存的速度。
舉個例子來計算一下總延遲時間，比如一條ddr333內存其存取時間為6ns，而其內存時鍾周期為6ns（ddr內存時鍾周期＝1x2/內存頻率，ddr400內存頻率為400，則可計算出其時鍾周期為6ns）。我們在主板的bios中將其cl設置為2.5，則總的延遲時間＝6ns
x2.5＋6ns＝21ns，而如果cl設置為2，那麼總的延遲時間＝6ns
x2＋6ns＝18
ns，就減少了3ns的時間。
從總的延遲時間來看，cl值的大小起到了很關鍵的作用。所以對系統要求高和喜歡超頻的用戶通常喜歡購買cl值較低的內存。目前各內存顆粒廠商除了從提高內存時鍾頻率來提高ddr的性能之外，已經考慮通過更進一步的降低cas延遲時間來提高內存性能。
不過，並不是說cl值越低性能就越好，因為其它的因素會影響這個數據。例如，新一代處理器的高速緩存較有效率，這表示處理器比較少地直接從內存讀取數據。再者，列的數據會比較常被存取，所以ras-to-cas的發生幾率也大，讀取的時間也會增多。最後，有時會發生同時讀取大量數據的情形，在這種情形下，相鄰的內存數據會一次被讀取出來，cas延遲時間只會發生一次。
選擇購買內存時，最好選擇同樣cl設置的內存，因為不同速度的內存混插在系統內，系統會以較慢的速度來運行，也就是當cl2.5和cl2的內存同時插在主機內，系統會自動讓兩條內存都工作在cl2.5狀態，造成資源浪費。

『伍』 clpt950是白金嗎

是的，pt950含金量百分95.

『陸』 內存條的cl代表什麼意思

CL（CAS Latency）：為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。
內存負責向CPU提供運算所需的原始數據，而目前CPU運行速度超過內存數據傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內存提供數據，這就是常說的「CPU等待時間」。內存傳輸速度越慢，CPU等待時間就會越長，系統整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內存是有效提升CPU效率和整機性能的關鍵之一。
在實際工作時，無論什麼類型的內存，在數據被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進行必要的通信，而這種就會造成傳輸的一定延遲時間。CL設置一定程度上反映出了該內存在CPU接到讀取內存數據的指令後，到正式開始讀取數據所需的等待時間。不難看出同頻率的內存，CL設置低的更具有速度優勢。
上面只是給大家建立一個基本的CL概念，而實際上內存延遲的基本因素絕對不止這些。內存延遲時間有個專門的術語叫「Latency」。要形象的了解延遲，我們不妨把內存當成一個存儲著數據的數組，或者一個EXCEL表格，要確定每個數據的位置，每個數據都是以行和列編排序號來標示，在確定了行、列序號之後該數據就唯一了。內存工作時，在要讀取或寫入某數據，內存控制晶元會先把數據的列地址傳送過去，這個RAS信號（Row Address Strobe，行地址信號）就被激活，而在轉化到行數據前，需要經過幾個執行周期，然後接下來CAS信號（Column Address Strobe，列地址信號）被激活。在RAS信號和CAS信號之間的幾個執行周期就是RAS-to-CAS延遲時間。在CAS信號被執行之後同樣也需要幾個執行周期。此執行周期在使用標准PC133的SDRAM大約是2到3個周期；而DDR RAM則是4到5個周期。在DDR中，真正的CAS延遲時間則是2到2.5個執行周期。RAS-to-CAS的時間則視技術而定，大約是5到7個周期，這也是延遲的基本因素。
CL設置較低的內存具備更高的優勢，這可以從總的延遲時間來表現。內存總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統時鍾周期×CL模式數+存取時間（tAC）。首先來了解一下存取時間（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時的最大數輸入時鍾，是以納秒為單位的，與內存時鍾周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時間（tAC）代表著讀取、寫入的時間，而時鍾頻率則代表內存的速度。
舉個例子來計算一下總延遲時間，比如一條DDR333內存其存取時間為6ns，而其內存時鍾周期為6ns（DDR內存時鍾周期＝1X2/內存頻率，DDR400內存頻率為400，則可計算出其時鍾周期為6ns）。我們在主板的BIOS中將其CL設置為2.5，則總的延遲時間＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL設置為2，那麼總的延遲時間＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就減少了3ns的時間。
從總的延遲時間來看，CL值的大小起到了很關鍵的作用。所以對系統要求高和喜歡超頻的用戶通常喜歡購買CL值較低的內存。目前各內存顆粒廠商除了從提高內存時鍾頻率來提高DDR的性能之外，已經考慮通過更進一步的降低CAS延遲時間來提高內存性能。
不過，並不是說CL值越低性能就越好，因為其它的因素會影響這個數據。例如，新一代處理器的高速緩存較有效率，這表示處理器比較少地直接從內存讀取數據。再者，列的數據會比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發生幾率也大，讀取的時間也會增多。最後，有時會發生同時讀取大量數據的情形，在這種情形下，相鄰的內存數據會一次被讀取出來，CAS延遲時間只會發生一次。
選擇購買內存時，最好選擇同樣CL設置的內存，因為不同速度的內存混插在系統內，系統會以較慢的速度來運行，也就是當CL2.5和CL2的內存同時插在主機內，系統會自動讓兩條內存都工作在CL2.5狀態，造成資源浪費。

『柒』 電腦的CL

CAS意為列地址選通脈沖(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制著從收到命令到執行命令的間隔時間，通常為2，2.5，3這個幾個時鍾周期。在整個內存矩陣中，因為CAS按列地址管理物理地址，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的參數值越低越好。過程是這樣的，在內存陣列中分為行和列，當命令請求到達內存後，首先被觸發的是tRAS (Active to Precharge Delay)，數據被請求後需預先充電，一旦tRAS被激活後，RAS才開始在一半的物理地址中定址，行被選定後，tRCD初始化，最後才通過CAS找到精確的地址。整個過程也就是先行定址再列定址。從CAS開始到CAS結束就是現在講解的CAS延遲了。因為CAS是定址的最後一個步驟，所以在內存參數中它是最重要的。 CL（CAS Latency）：為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。 內存負責向CPU提供運算所需的原始數據，而目前CPU運行速度超過內存數據傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內存提供數據，這就是常說的「CPU等待時間」。內存傳輸速度越慢，CPU等待時間就會越長，系統整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內存是有效提升CPU效率和整機性能的關鍵之一。 在實際工作時，無論什麼類型的內存，在數據被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進行必要的通信，而這種就會造成傳輸的一定延遲時間。CL設置一定程度上反映出了該內存在CPU接到讀取內存數據的指令後，到正式開始讀取數據所需的等待時間。不難看出同頻率的內存，CL設置低的更具有速度優勢。 在Intel公司的PC100內存技術白皮書中指出：「符合PC100標準的內存晶元應該以CAS Latency（以下簡稱CL）= 2的情況穩定工作在100MHZ的頻率下。」CL=2所表示的意義是此時內存讀取數據的延遲時間是兩個時鍾周期當CL=3時。內存讀取數據的延遲時間就應該是三個時鍾周期，因此，這「2」與「3」之間的差別就不僅僅局限於「1」了，而是1個時鍾周期。工作在相同頻率下的同種內存，將CL設置為2會得到比3更優秀的性能（當然你的內存必須支持CL=2的模式）。為了使主板正確地為內存設定CAS延遲時間，內存生產廠商都將其內存在不同工作頻率下所推薦的CAS延遲時間記錄在了內存PCB板上的一塊EEPROM上，這塊晶元就是我們所說的SPD。當系統開機時，主板BIOS會自動檢測SPD中的信息並最終確定是以CL=2還是CL=3來運行。 上面只是給大家建立一個基本的CL概念，而實際上內存延遲的基本因素絕對不止這些。內存延遲時間有個專門的術語叫「Latency」。要形象的了解延遲，我們不妨把內存當成一個存儲著數據的數組，或者一個EXCEL表格，要確定每個數據的位置，每個數據都是以行和列編排序號來標示，在確定了行、列序號之後該數據就唯一了。內存工作時，在要讀取或寫入某數據，內存控制晶元會先把數據的列地址傳送過去，這個RAS信號（Row Address Strobe，行地址信號）就被激活，而在轉化到行數據前，需要經過幾個執行周期，然後接下來CAS信號（Column Address Strobe，列地址信號）被激活。在RAS信號和CAS信號之間的幾個執行周期就是RAS-to-CAS延遲時間。在CAS信號被執行之後同樣也需要幾個執行周期。此執行周期在使用標准PC133的SDRAM大約是2到3個周期；而DDR RAM則是4到5個周期。在DDR中，真正的CAS延遲時間則是2到2.5個執行周期。RAS-to-CAS的時間則視技術而定，大約是5到7個周期，這也是延遲的基本因素。 CL設置較低的內存具備更高的優勢，這可以從總的延遲時間來表現。內存總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統時鍾周期×CL模式數+存取時間（tAC）。首先來了解一下存取時間（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時的最大數輸入時鍾，是以納秒為單位的，與內存時鍾周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時間（tAC）代表著讀取、寫入的時間，而時鍾頻率則代表內存的速度。

滿意請採納

『捌』 什麼是內存的CL值

CL反應時間是衡定內存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內存存取數據所需的延遲時間，簡單的說，就是內存接到CPU的指令後的反應速度。一般的參數值是2和3兩種。數字越小，代表反應所需的時間越短。

在早期的PC133內存標准中，這個數值規定為3，而在Intel重新制訂的新規范中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對於內存廠商的晶元及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優秀的品質。因此在選購品牌內存時，這是一個不可不察的因素。

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CL=2所表示的意義是此時內存讀取數據的延遲時間是兩個時鍾周期當CL=3時。內存讀取數據的延遲時間就應該是三個時鍾周期，因此，這「2」與「3」之間的差別就不僅僅局限於「1」了，而是1個時鍾周期。

工作在相同頻率下的同種內存，將CL設置為2會得到比3更優秀的性能。為了使主板正確地為內存設定CAS延遲時間，內存生產廠商都將其內存在不同工作頻率下所推薦的CAS延遲時間記錄在了內存PCB板上的一塊EEPROM上，這塊晶元就是SPD。當系統開機時，主板BIOS會自動檢測SPD中的信息並最終確定是以CL=2還是CL=3來運行。