ltc升壓ic

❶ 請問下常用的電壓轉換晶元都有哪幾種啊有沒有高手指點下，謝謝！

有AD637、LTC1966、LTC1967、LTC1968等等。
晶元，英文為Chip；晶元組為Chipset。晶元一般是指集成電路的載體，也是集成電路經過設計、製造、封裝、測試後的結果，通常是一個可以立即使用的獨立的整體。「晶元」和「集成電路」這兩個詞經常混著使用，比如在大家平常討論話題中，集成電路設計和晶元設計說的是一個意思，晶元行業、集成電路行業、IC行業往往也是一個意思。

❷ IC :LTC4411有什麼作用

LTC4411, 凌特公司(Linear Technology)推出的低損耗 Power Path控制器， 採用 ThinSOT™ 封裝的 2.6A 低損耗理想二極體。
特點：

PowerPath™「或」二極體的低損耗替代方案
小的已調節正向電壓 (28mV)
2.6A 最大正向電流
低正向接通電阻 (最大值為 140mΩ)
低反向漏電流 (<1µA)
2.6V 至 5.5V 工作電壓范圍
內部電流限值保護
內部熱保護
無需外部有源組件
LTC4412 的引腳兼容型單片替代器件
低靜態電流 (40µA)
扁平 (1mm) 的 5 引腳 SOT-23 封裝。

典型應用：
蜂窩電話
手持式計算器
數碼相機
USB 外設
不間斷電源
邏輯控制型電源開關。

❸ 六腳升壓ic 2腳為gnd,3腳為fb,4腳為en,五腳為out ,1腳為sw,6腳為vcc 是什麼ic

RGB三色LED燈，有個6腳管被磨去絲印，無法辨別型號，有知道的大神不請教下什麼型號的，6腳管子驅動一個MOS管子， 我測下6腳管1腳2腳在一起是電源電壓36V，3腳時間太晚沒測到，4腳GND，5腳OUT輸出驅動MOs管，6腳接貼片電容接地，板子上一共3組這樣的組合，

❹ LT1541和LTC1541是同一個晶元嗎

概覽
封裝
訂購信息
設計工具
演示電路板
電路
通知
技術支持
LTC1541 - 微功率運算放大器、比較器和基準

特點

靜態電流：5µA (典型值)
軌至軌輸出擺幅
低的運放失調電壓：700µV (最大值)
基準輸出可驅動 0.01µF 電容器
內部 1.2V ±0.4% 基準輸出 (LTC1541)
低輸入偏置電流：1nA (最大值)
基準輸出能提供高達 2mA 電流
內部 ±2.25mV 比較器遲滯
比較器和運放輸入范圍包括地電位
運放能夠驅動高達 1000pF 負載
具有穩定的單位增益和 12kHz 帶寬
2.5V 至 12.6V 電源電壓范圍
MAX951 / MAX953 的引腳兼容型升級產品
採用 3mm x 3mm x 0.8mm DFN 封裝

典型應用

LTC1541 Typical Application
LTC1541 Typical Application
描述

LTC®1541 / LTC1542 將一個微功率放大器、比較器和帶隙基準 (LTC1541) 整合在一個 8 引腳封裝中。該器件依靠 2.5V 至 12.6V 單電源或 ±1.25V 至 ±6.3V 雙電源供電運作，並具有一個 5µA 的典型電源電流。運放和比較器均具有一個從負電源擴展至正電源之 1.3V 以內的共模輸入電壓范圍。運放輸出級具有軌至軌輸出擺幅。比較器的負輸入在內部連接至基準輸出 (LTC1541)。

基準輸出電壓在擴展溫度范圍內為 1.2V ±1%。輸出能夠驅動一個高達 0.01µF 的旁路電容器，並不會產生任何振盪。另外，它還能供應高達 2mA 和吸收高達 20µA 的電流。

運放在內部進行補償，以實現穩定的單位增益以及在 12kHz 的典型 GBW 和 8V/ms 的擺率。比較器具有 ±2.25mV 的內部遲滯以確保干凈的輸出開關切換，即使在採用緩慢移動的輸入信號時也不例外。

LTC1541 / LTC1542 採用 MSOP 和 SO-8 封裝。對於空間受限的應用，LTC1541 / LTC1542 可提供 3mm x 3mm 扁平 (僅高 0.8mm) 雙側引腳細間距無引線封裝 (DFN)。

應用

電池或太陽能供電型系統
汽車無鑰匙進入
低頻、局域報警 / 探測器
用於遙控的紅外接收器
煙霧探測器和安全感測器
GSM 攜帶型電話

❺ ltc1628cg什麼晶元

就是普通的哦！

❻ LTC1044負電壓轉換器什麼原理，什麼用

簡易的頻率到電壓轉換器
簡易的頻率到電壓轉換器 簡易的頻率電壓轉換器，在0到3.4kHz范圍內提供1mV/Hz信號輸出 如圖是一個簡易的頻率到電壓轉換器，它使用了開關電容式電壓轉換器。該電路的輸 出電壓符合下面的等式，此處K=2.44（對於LTC1044），f為輸入頻率。 Vout=K×f×R1×C1 當電源電壓為+5V時，Vout的最大值接近3.4V。在使用該電路時，應重視電源的穩壓和濾 波。按圖所示電路的參數值，在0到3.4kHz的范圍內輸出信號以1mV/Hz變化。你可以通過 選擇C2的值來達到較理想的響應時間和脈動。在LTC1044的7腳輸入的最大頻率約為100k Hz。你也可以用7660等元件替換IC1，但溫度穩定性不好，且一定程度上有不同的K值。

❼ 電池供電 1.5V 用升壓晶元升成3.3V電源 最好用什麼晶元

可以用LN2351的晶元，電流不大就直接升壓，輸出大約有200MA。需要大電流時外擴MOS。

需要注意的是，如果用晶元，BL8505三端升壓穩壓IC，該IC最低工作電壓僅1.0V。輸出電壓范圍2.5~5.0V，步進0.1V。採用TO92三腳封裝，外形與9013三極體完全一樣。

(7)ltc升壓ic擴展閱讀：

升壓晶元選型：

型號：BT1001

100KHzVFM開關型DC-DC升壓轉換器。低電壓啟動：0.8V啟動，輸入電壓0.8-7V。輸出電壓范圍：2V~5.6V；固定電壓輸出。輸出電流：300mA。內置開關MOS管。封裝：SOT-23-3SOT-89-3TO-92。

型號：BT1002

200KHzVFM開關型DC-DC升壓轉換器。低電壓啟動：0.9V啟動，輸入電壓0.9-6V。輸出電壓范圍：2V~5.6V；固定電壓輸出。輸出電流：300mA~750mA。內置開關MOS管。封裝：SOT-23-3SOT-89-3。

型號：BT1003

180KHzPFM開關型DC-DC升壓轉換器。低電壓啟動：0.8V啟動，輸入電壓0.8-7V。輸出電壓范圍：2V~7V；固定電壓輸出或可調輸出。輸出電流：300mA~1000mA。有內置或者外置開關MOS管。封裝：SOT-23-3SOT-89-3SOT-23-5SOT-89-5。

❽ 我想把3.3V的電壓經過簡單的電路或者一個晶元轉換成5V電壓，能幫下忙嗎謝謝

輸出電流很小的話，可以搭一個方波振盪器（比如用74HC04反相器和電阻電容實現)，然後再倍壓整流。
輸出電流高的話，只能用開關電源晶元實現了。

❾ 造血幹細胞體外集落形成實驗

搬運自：知乎 權威的中科博生

目的：驗證造血幹細胞的 多向分化潛能 。在文獻中有用到。doi: 10.1186/s13287-018-0926-x

這些方法雖然均有其局限性而不能完全代表造血幹細胞，但在造血幹細胞的研究，尤其是人造血幹細胞和早期祖細胞的研究中仍具有重要的意義。

目前用來檢測造血幹細胞和早期祖細胞的體外克隆實驗包括長期培養啟動細胞(LTC-IC)和延長的長期培養啟動細胞(extended long-term culture initiating cell,ELTC-IC)測試、高增殖潛能集落形成細胞(high proliferative potential colony form-ing cell, HPP-CFC)測試、卵石樣區域形成細胞(cobblestone area-forming cell,CAFC)測試、原始細胞集落(colony forming unit-blast, CFU-Blast)測試、CFU-A(colony forming unit type A)實驗、混合集落(colony forming unit-mix,CFU-Mix 或

colony forming unit-granulocyte, erythrocyte, macrophage, megakaryocyte, CFU-GEMM)培養法及二次再克隆實驗(secondary recloning assay)等。中科博生。

（1）長期培養啟動細胞和延長的長期培養啟動細胞測試

在受照射 骨髓基質細胞 的支持下生長35〜60d所產生的集落被稱為長期培養啟動細胞(LTC-IC),生長60〜100d的被稱為延長的長期培養啟動細胞(ELTC-IC) O LTC-IC是反映造血幹細胞功能的指標，其原理主要是根據絕大多數祖細胞壽命有限，在長期培養體系中向終末細胞分化而失去集落形成能力，或出現凋亡現象，而具備自我更新能力的細胞則能維系其低分化特性因而長期存活。

迄今為止，ELTC-IC和LTC-IC代表了體外培養中最幼稚的造血細胞。它們從增殖分化到形成集落所需的時間比各種集落形成細胞(包括HPP-CFC、CFU-GEMM,CFU-GM.BFU-E.CFU-E等)要長得多，因而比它們更原始。將這種細胞種植到受照射骨髓基質上能維持數周或數月的造血。用5-FU處理的小鼠骨髓細胞，其中無CFU-S12,有在骨髓基質上啟動長期造血的能力，而高度純化的CFU-S12不能在基質上維持長期造血，這說明LTC-IC是比CFU-S12更早的幹細胞。LTC-IC雖然不能代表真正的幹細胞，但的確可反映幹細胞的存在和變化，這已被大家公認。中科博生。

（2）高增殖潛能集落形成細胞測試

Bradley和Hodgson首先發現，骨1M細胞在多種造血因子存在時能在體外半固體培養10〜12d後形成大集落(直徑＞0.5mm，約5X 104個細胞)。他們把骨髓中能形成這種大集落的細胞稱為高増殖潛能集落形成細胞(HPP-CFC)。集落培養時間隨種屬不同而異，小甌為14d,人為21~28d。中科博生。

HPP-CFC具有如下特點：

①在體內對細胞毒葯物5-FU不敏感；

②具有向髄系和淋巴系分化的潛能；

③對多種細胞因子(如GM-CSF, CSF-1、IL-1, IL-3、IL-4, IL-6)有反應性；

④同受致死劑量射線照射小鼠造血的重建密切相關。中科博生。

目前HPP-CFC被分成HPP-CFC-1 x HPP-CFC-2、HPP-CFC-3三群。HPP-CFC-1是高度靜息的細胞群，與pre-CFU-S密切相關，通常認為比CFU-A更早，但比LTRC更成熟，相當於第28天的CAFC和MRAo HPP-CFC-2與定向祖細胞更接近，HPP-CFC-3則更成熟。人骨髄晚期HPP-CFC形成宣徑約0.5 —1mm的集落，早期HPP-CFC形成直徑約1~2mm的集落，有的可達2.5〜5mm。中科博生。

（3）卵石樣區域形成細胞測試

CAFC是一種基於Dexter體系的微型基質依賴骨髓培養法，它是將骨髓細胞接種於受致死劑量射線照射的基質細胞層上培養10〜28d,觀察卵石樣血島形成情況。CAFC在分化程度上同 MRA 和CFC-Blast及原始 HPP-CFC相當，比LTRC成熟。中科博生。

（4）原始細胞集落實驗

CFU-Blast是早期的造血細胞(CFC-Blast)在體外適當的條件下半固體培養18〜32d後，形成的由形態上未分化的細胞組成的小集落(＞25個細胞)。這種形態上未分化的細胞具有高度再克隆能力和自我更新潛能，並有產生多系定向祖細胞的能力，在分化程度上相當於HPP-CFC或更早。中科博生。

（5）CFU-A 實驗

這是在體外用半固體培養法檢測小鼠骨髓造血幹細胞的方法。小鼠骨髓細胞在L929和AF1-19T條件培養液刺激下，在體外培養lid可形成直徑＞2mm的集落。人骨髓細胞在CSF-1和GM-CSF存在下培養23d後形成直徑＞imm的CFU-AO CFU-A為不均一的細胞群體，在分化程度上，CFU-A比LTRC和HPP-CFC更成熟，較早期的CFU-A相當於HPP-CFC-1。中科博生。

（6）體外混合集落培養

CFU-Mix是半固體培養12〜16d後形成的含有粒細胞、紅細胞、巨噬細胞和巨核多系血細胞的集落。這些細胞大致相當於較晚期的CFU-S,比LTRC成熟。中科博生。

（7）二次再克隆實驗

將造血幹細胞先在適宜的條件下進行培養後再檢測這些培養後的細胞是否具有集落形成能力。利用該實驗通常可以觀察造血幹細胞的自我復制能力及向祖細胞分化的能力。中科博生。

雖然各種體外實驗可以部分反映造血幹細胞的情況，但值得注意的是，當前的各種體外檢測方法均無法觀察造血幹細胞向淋巴系的分化，即無法判斷這些細胞是否具有全系造血能力，因此，迄今為止仍沒有一個體外培養方法可用於檢測造血幹細胞

❿ 線性穩壓IC簡介

LDO是low dropout regulator，意為低壓差線性穩壓器（ NCT3101S ），是相對於傳統的線性穩壓器來說的。傳統的線性穩壓器，如78xx系列的晶元都要求輸入電壓要比輸出電壓高出 2v~3V以上，否則就不能正常工作。但是在一些情況下，這樣的條件顯然是太苛刻了，如5v轉3.3v,輸入與輸出的壓差只有1.7v，顯然是不滿足條件的。針對這種情況，才有了LDO類的電源轉換晶元。LDO是一種線性穩壓器。線性穩壓器使用在其線性區域內運行的晶體管或 FET，從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。正輸出電壓的LDO（低壓降）穩壓器通常使用功率晶體管（也稱為傳遞設備）作為 PNP。這種晶體管允許飽和，所以穩壓器可以有一個非常低的壓降電壓，通常為 200mV 左右；與之相比，使用 NPN 復合電源晶體管的傳統線性穩壓器的壓降為 2V 左右。負輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設備，其運行模式與正輸出 LDO 的 PNP設備類似。更新的發展使用CMOS功率晶體管，它能夠提供最低的壓降電壓。使用 CMOS，通過穩壓器的唯一電壓壓降是電源設備負載電流的 ON 電阻造成的。如果負載較小，這種方式產生的壓降只有幾十毫伏。DCDC的意思是直流變（到）直流（不同直流電源值的轉換），只要符合這個定義都可以叫DCDC轉換器，包括LDO。但是一般的說法是把直流變（到）直流由開關方式實現的器件叫DCDC。LDO是低壓降的意思，這有一段說明：低壓降（LDO）線性穩壓器的成本低，噪音低，靜態電流小，這些是它的突出優點。它需要的外接元件也很少，通常只需要一兩個旁路電容。新的LDO線性穩壓器可達到以下指標：輸出雜訊30μV，PSRR為60dB，靜態電流6μA（TI的TPS78001達到Iq=0.5uA），電壓降只有100mV(TI量產了號稱0.1mV的LDO)。 LDO線性穩壓器的性能之所以能夠達到這個水平，主要原因在於其中的調整管是用P溝道MOSFET，而普通的線性穩壓器是使用PNP晶體管。P溝道MOSFET是電壓驅動的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流；另一方面，採用PNP晶體管的電路中，為了防止PNP晶體管進入飽和狀態而降低輸出能力，輸入和輸出之間的電壓降不可以太低；而P溝道MOSFET上的電壓降大致等於輸出電流與導通電阻的乘積。由於MOSFET的導通電阻很小，因而它上面的電壓降非常低。如果輸入電壓和輸出電壓很接近，最好是選用LDO穩壓器，可達到很高的效率。所以，在把鋰離子電池電壓轉換為3V輸出電壓的應用中大多選用LDO穩壓器。雖說電池的能量最後有百分之十是沒有使用，LDO穩壓器仍然能夠保證電池的工作時間較長，同時噪音較低。如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近，就要考慮用開關型的DCDC了，應為從上面的原理可以知道，LDO的輸入電流基本上是等於輸出電流的，如果壓降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。DC-DC轉換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。DC-DC轉換器的優點是效率高、可以輸出大電流、靜態電流小。隨著集成度的提高，許多新型DC-DC轉換器僅需要幾只外接電感器和濾波電容器。但是，這類電源控制器的輸出脈動和開關噪音較大、成本相對較高。近幾年來，隨著半導體技術的發展，表面貼裝的電感器、電容器、以及高集成度的電源控制晶元的成本不斷降低，體積越來越小。由於出現了導通電阻很小的MOSFET可以輸出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如對於3V的輸入電壓，利用晶元上的NFET可以得到5V/2A的輸出。其次，對於中小功率的應用，可以使用成本低小型封裝。另外，如果開關頻率提高到1MHz，還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。有些新器件還增加許多新功能，如軟啟動、限流、PFM或者PWM方式選擇等。總的來說，升壓是一定要選DCDC的，降壓，是選擇DCDC還是LDO，要在成本，效率，雜訊和性能上比較。生產廠家主要有：TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild等；LDO的四大要素：壓差Dropout、噪音Noise、共模/紋波抑制比（PSRR）、靜態電流Iq，這是LDO的四大關鍵數據。產品設計師按產品負載對電性能的要求結合四大要素來選擇LDO。在手機上用的LDO要求盡可能小的噪音（紋波），在沒有RF的攜帶型產品需求靜態電流小的LDO。LDO的工作條件：Vin >= Vdrop + Vout。且一般需要兩個外接電容：Cin、Cout，一般採用鉭電容或MLCC。注意：LDO是穩壓器