btc210r性能参数

⑴ BTC8210的技术参数

1、额定电压：220V
2、光 源
额定功率：400W
光通量：38000LM
使用寿命：20000h
3、引入电缆：φ8.5mm
4、距高比：1.5
5、外形尺寸：φ338mm
长 度：456mm
总高度：523mm
6、灯具重量：13.8KG
镇流器：4.5KG

⑵ BTC210R牌号钢板相当于什么材料

这个是宝钢的搪瓷钢没什么能代替

⑶ 如何看懂轮胎参数

轮胎规格表示实例
轮胎规格为195/65R15 91V，其中195表示轮胎的宽度为195mm；65表示轮胎的断面高度与宽度的百分比为65%，即轮胎的扁平比；“R”代表单词RADIAL，表示是子午轮胎；15表示轮辋的直径为15英寸；91表示负荷指数；V则表示轮胎的许用车速等级。

轮胎规格表示含义
国际标准的轮胎规格，一般由六部分组成，“轮胎宽度（mm）+轮胎断面的扁平比（%）+轮胎类型代号+轮辋直径（英寸）+负荷指数+许用车速代号”。轮胎宽度、轮辋直径及扁平比如上图所示，其中扁平比为胎厚与胎宽的百分比。
轮胎宽度，是影响整车油耗表现的一个因素。轮胎的越宽，与地的接触面积越大，相应的就增加了轮胎与地面的摩擦力，车辆的动能转化为摩擦热能而损失的能量会增加，如若行驶相同距离时宽胎就更容易耗油。不过事物都有它的两面性，虽然油耗增加，但宽胎的抓地力要更强，进而也将获得更好的车身稳定性。
扁平比，是影响车辆对路面的反应灵敏度的主要因素。扁平比越低的车辆，胎壁越薄，且轮胎承受的压力亦越大，其对路面的反应非常灵敏，从而能够迅速把路面的信号传递给驾驶者，更便于操控，多见于一些以性能操控见长的车型。扁平比越高，胎壁越厚，虽然拥有充裕的缓冲厚度，但对路面的感觉较差，特别是转弯时会相对更为拖沓，多见于一些以舒适性见长的车型。还有就是越野车的扁平比一般较高，主要是为了适应环境恶劣的路况。
轮胎类型代号，常见的表示有“X”高压胎，“R”、“Z”子午胎，“一”低压胎。市场上的轿车一般采用子午线轮胎，且目前已经实现了子午线轮胎无内胎，俗称“原子胎”。这种轮胎在高速行驶中不易聚热，当轮胎受到钉子或尖锐物穿破后，漏气缓慢，可继续行驶一段距离。另外，原子胎还有简化生产工艺，减轻重量，节约原料等好处。
负荷指数是把一条轮胎所能承受的最大负荷以代号的形式表示，来表征轮胎承受负荷的能力，数值越大，轮胎所能承受的负荷也越大。负荷指数及对应承载质量列表如下。
许用车速表示对车辆速度的极限限制，超过可能引起爆胎，速度级别越高，轮胎设计及对材料的要求也就越高。

⑷ 世界顶级跑车的参数标准有哪些

流线型的外形 靓丽的外观 巨大的发动机 动人的发动机声浪 低低的底盘 人几乎躺在驾驶室里 驾驶室很小 这些都具备了绝对就是跑车了

⑸ 内存的参数2-2-2-4里的数字各代表什么意思

不同品牌的不相同:
你可参考如下资料吧:

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

4、RDRAM 内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13
FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V
Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2
[15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (15.6μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度*宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=2.5
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（时钟率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10
[15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (15.6μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度*宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=2.5
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（时钟率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

⑹ 丰宇数控车床参数表

◆采用30°整体斜置式床身结构，刚性好，树脂砂铸造，时效处理，精度及精度保持性较好。
◆全自动化内藏式液压尾座，精度高，稳定性好、效率高、结构简单化，工作安全性提高，搭配安全稳定液压系统，严谨的设计安装，保证高的机床契合度。
◆整体式全封闭防护，坚固耐用，运动平稳，噪音小，在防水、防油、防尘及安全性能上大大优于同类产品。
◆一体式电机座与滑板设计，强度好，减少装配精度误差，保证机床精度。
◆选配的自动排屑器采用一体式流行造型，美观大方，排屑顺畅，体积小、效能高运输平稳，安全可靠、噪音小，具有过载保护等特性。
机床数据\型号单位FDL-46KTFDL-52KTFDL-68KT加工范围床身最大回转直径mm460500500最大加工直径mm400450450托板上最大回转直径mmΦ170φ210Φ210最大加工长度mm350500450两顶尖距离370550520主轴参数主轴端部形式A2-5A2-6A2-8夹头方式6寸卡盘or筒夹8寸卡盘or筒夹10寸卡盘or筒夹主轴通孔直径φ/mm566686最大棒料通过直径φ/mm465668主轴转速范围r/min500045002600主电机功率Kw7.51115X/Z轴参数X/Z轴行程m/min210/400225/610225/610X/Z轴快移速度m/min25/2525/2525/25X/Z轴重复定位精度mm±0.003±0.003±0.003X/Z轴定位精度mm±0.002±0.002±0.002X轴伺服电机功率kw2.43.03.9Z轴伺服电机功率kw2.43.03.9刀塔刀架形式T8/12（选配）8/12（选配）8/12（选配）方刀/镗刀尺寸mm25*25/φ3225*25/φ4025*25/φ40尾座尾座套筒直径mmΦ65φ80Φ100尾座套筒行程mm80/12080/15080/150尾座最大行程mm300450450尾座形式液压液压液压尾座套筒锥度莫式4号 MT4莫式4号 MT4莫式5号 MT5其他液压电机功率kw1.52.22.2水泵电机功率kw0.30.450.45机床重量KG365048505500床身形式及斜度度整体式/30°整体式/30°整体式/30°机床尺寸（长*宽*高）mm2600*1700*19503100*1800*19503200*1900*2050
备注：本公司机床不断进行研发改良，如有外观及技术参数仅供参考，实际外观技术参数均以订货为准。

⑺ 轮胎上的参数都代表什么

110表示的是轮胎的最大负荷为1060千克。W表示的是轮胎的速度级别为270KM／H。

国际标准的轮胎代号，以毫米为单位表示断面宽度和扁平比的百分数。后面加上：轮胎类型代号，轮辋直径（英寸），负荷指数（许用承载质量代号），许用车速代号。

例如185／75R1577H代表的含义：

185代表轮胎宽度是185MM。

75表示轮胎断面的扁平比是75％，即断面高度是宽度的75％。

R代表的是子午线轮胎。

15代表的轮辋直径是15英寸。

77代表的负荷指数。

车辆轮胎参数规定：

我国国家规定，轮胎两侧除标明轮胎规格外，还应标明生产厂家的商标、水平度、最大负载及相应的压力、生产编号等。为了便于胎儿脐带的识别，在胎儿侧面也标注了汉语拼音。

如M（或无字）表示棉子午线轮胎，R表示人造丝子午线轮胎，N表示尼龙子午线轮胎，Z表示子午线轮胎，G表示钢丝子午线轮胎，ZG表示钢丝子午线轮胎等。

如今，汽车轮胎进一步向平坦方向发展，而平坦率是高／宽比［（H／B）X100］从60～80趋于50～70，多用途50、55、60、65、70，少数汽车已采用40、45等规格。

美国最新的轮胎系列是以“扁平比”为基础的“字母数字”标记。例如某轮胎标有F78－14，其中F表示该轮胎的承载能力。

第一个数字是指H／BX100的“平坦率”，78是指轮胎高度为宽度的78％，值越低，轮胎段越平坦；第二个数字14表示轮辋直径为14英寸。

载重量单位为kg，表示载重量的字母如下：A－410、B－445、C－480、D－510、E－540、F－580、G－620、H－685、I－715、K－735、L－760、M－810、N－850、V－295、W－320、Y－350、Z－375。

⑻ 轮胎规格参数解释

国际标准的轮胎规格：

以毫米为单位，各标识分别表述轮胎宽度、扁平比、轮胎种类、轮辋直径、载重指数、速度级别。

例如一条轮胎的规格为例：245/55/R18 91V，具体意思是：

245——轮胎宽度为245毫米；

55——指的是轮胎扁平比，即断面高度是宽度的55%；一般来说，扁平比越小就意味着操控性越强，也就是所谓的“路感”，但减震效果就会相对变差；

R——该轮胎为子午胎；

18——是轮辋直径是18英寸；

91——指的是负荷指数91，代表这条轮胎最大可承重615公斤，四条轮胎就是615×4=2460公斤；

V——指的是许用车速代号，允许的最大速度级别为240公里/小时。还有很多其他级别，比如T、U、H，分别代指的是190公里/小时、200公里/小时、210公里/小时。最大速度越高，表示这个轮胎运动性能越好。

(8)btc210r性能参数扩展阅读：

用车窍门，怎么检查轮胎：

1、检查气压

轮胎气压不合适，会影响车辆特别是在湿地环境下的操纵和制动能力，严重危及您的安全。轮胎严重充气不足，会导致热量迅速集聚，最终引起胎压突然流失。每月及每次长途旅行前检查轮胎的气压。

2、遵守负载能力

不要超出与轮胎负载指数相联系的负载能力。当轮胎负载超过其最大负载时会产生大量热能，最终可能导致轮胎损坏。

3、查看磨损标记

轮胎上在胎面沟槽底的部位，会设置一个磨损标记，这是一个判断轮胎磨损程度的重要标准。看清楚，如果轮胎的花纹高度已经很接近这个磨损标记，就表示花纹的深度已经很低，这时会影响排水等性能，表示该要换轮胎了。

4、是否出现裂缝或鼓包

平时在开车过程中，通常会遇到各种不同的情况，比如走过非铺装路面、撞过路沿，甚至是走过乱石路面等。不管是多么贵或性能多么好的轮胎，都有可能遇到破损情况，例如出现裂缝，又或者有一个地方鼓起来——鼓包。春节前检查一下，一发现有这种情况，或者橡胶缺失、胎侧磨损严重等情况，不要吝啬，该换就马上换吧。

5、使用年限

轮胎毕竟是由橡胶做的，就算是放着不用也会存在老化现象，因此还有一个使用年限问题。如果轮胎老化严重，就会出现橡胶硬化，导致胎面变形。不过，目前并没有一个绝对官方的轮胎使用年限，大家可以通过官方使用说明书来进行检查。目前一般的说法，轮胎的使用年限通常在5年左右。

⑼ 超级跑车的参数

只要不是概念车 限量版本 的 或者没有限制上路的在 4S 店都能通过订购买到，像恩佐什么的楼主你就别想了除了一辆在法拉利博物馆能看到其余的 399辆早被人收藏了 很难看到了