矿机dram规格

⑴ 关于CPU-Z里内存的DRAM Frequency

是的,DDR2 800内存频率就是400MHz.
不能说是绝对的平均值,如果三条频率一样,自然是平均值.
如果三条不一样,比如两条是800,一条是667,那么会显示最低的频率333,因为三条不同频率的内存一起使用的话,系统会按照最低的内存频率运行,就是说其他的两条800的内存会降频为667使用的.

⑵ fsb:dram比值 cpu外频。。

1。ddr2带内存是实际工作频率为标识频率/4！ddr内存是在时钟信号上下沿传送2次数据，因此等效于：工作频率*2，ddr2内存他是通过内存内部芯片工作频率为外部总线的2倍，因此内存颗粒内部实际工作频率333，外部工作频率（总线频率，外频）为166，等效于667MHZ！
2。fsb：dram的比值应该个人认为不是1：1好，而是应该调整到内存实际工作频率！因为这样内存不会降频使用（如DDR2 800)！这个选项是超频内存用的！就是说可以充分让高频的内存工作在标识（额定）频率用的！
3。如果我再插一条1g内存组成不对等双通道的话，内存频率不会翻倍，带宽翻倍！
一般内存工作频率就是cpu的外频！只是算法不一样！他们的实际工作频率：ddr1带是除以2，二代是除以4！
详细的可以加qq询问：378343412

⑶ CPU和DRAM的频率比关系怎样设的

火热一夏，激情不断，亮眼64位风暴在过去的暑期里着实红火了一把。低廉的价格，强劲的超频能力，支持SSE3和X86-64指令集，所有这一切都在诉说754针脚Sempron2500+处理器所散发出来的无尽魅力。笔者今天便以这款经典64位处理器产品来谈一下CPU超频的过程和方法，希望对大家的选购有个帮助。
超频大致可分为两类：其一：专为超频而超频，只为超出更好成绩；其二：边用边超频，不仅要体验到更高性能还要保证足够的稳定性。在超频前一定要先确立自己的定位，这样才会目标专注而事半功倍，并且两者在BIOS的设置上也有所区别：前者需要将不用的软驱、光驱、IDE、S-ATA、板载声卡、板载网卡、1394、USB、并口、串口、红外线等端口统统关闭，以求尽量减小工作频率不匹配和其它因素带来的干扰；而后者显然无法如此设置，在保证超频的同时也要保证功能的完善，因此只需简单的修改BIOS中的超频选项即可，否则等同于超频失败（如超频过程中可能导致声卡、网卡无法使用等）。
超频原理：
CPU实际运行频率=外频×倍频，因此我们只要改变外频和倍频中的任何一个便可实现超频，当然也可将两者结合起来。由于单独调节外频相对简便，推荐一般用户选用；而对于高级玩家而言还可以配合倍频来达到更好的超频效果，但最终性能提升与外频的提高不一定成正比（如330Mhz×7的实际效果要好于350 Mhz×6）。
超频注意事项：
首先环境温度影响超频，因此选择一款优质散热器很有必要；其次显卡、内存、PCI总线可能会成为制约CPU发挥的瓶颈，需采用异步模式让其工作在标准频率下加以解决；最后提高工作电压有助于进一步提升超频频率，但提醒玩家一定要逐级调节，不要操之过急，电压过高反而会降低超频成绩，同时也会增大烧毁CPU的危险性。
在超频前我们首先来了解一下AMD Sempron 2500+处理器的规格参数：主频1.4GHz，倍频7x，核心E6（更低能耗及发热量) ，采用90nm SOI工艺生产，1.4V核心电压，最高温度69°，功耗62W，128K L1级缓存，256k L2级缓存，支持SSE3和6X86-64指令，接口类型SOCKET 754。
这款昂达热力狂飙NF4X主板提供最高450MHz的外频调节上限。由于外频和HT Frequentcy（FSB×HT倍频）相关，如果NF4-4X芯片组HT频率为1000MHz，也就是说当外频上到250MHz时HT倍频调节为4×是最稳妥的，依此类推，尽量不要超过芯片组支持的HT频率，合理调整HT倍频有助于向高外频挺进。比如当我们把外频提升至330MHz时，就要把HT总线比率下调到3X，使得HT总线频率在1000MHz内。此外，为了能够让超频稳定，我们还可以适当调节芯片组的电压。
另外一个非常重要的是内存因素，DDR400内存的默认频率为200MHz，当我们超频前端总线时，内存频率也会随之提升至200MHz以上，由于处于非标准频率下，内存颗粒处于超负荷运转，系统容易崩溃。这里我们提出了这样一种解决方案，即在超频之前就将内存频率自定义在200MHz之下，这样的话，即使超频之后内存频率随之攀升也不会通常超出200MHz的内存频率承载上限。例如我们将外频提高到330MHz后，如果内存同步那么内存将工作于DDR660下，一般的内存很难达到。由于我们使用的是DDR500内存，在这里把内存设为1:0.8的比率下，当外频为320MHz时，内存工作于256MHz。
关于CPU电压的调整，我们不需要一开始就增加电压值，是否加压还是是根据超频后是否够用，如果你对硬件不太熟悉，一般用户还是建议采用默认电压便可。我们推荐在风冷下不超过1.6v，而在水冷中不超过1.7v。
时下的闪龙超频主板，大都提供到3.0V的DDR内存电压调节，在超频状态下，DDR频率由于跟随前端总线的升高而飚升，极有可能出现不稳定情况，这个时候如果适当加大DDR电压，则有助于系统稳定。
最后简单谈一下其他方面的细节：尽量保持“PCI Express Clock”选项值为100不变；将日常不用的端口统统关闭；CPU超频时最好逐兆调节，寻找最佳超频点；当CPU外频已经无法提升时，我们不妨适当降低倍频值，这样有助外频的进一步提升。
总结：
本文旨在以小见大，指导玩家如何实现CPU超频，所用AMD Sempron 2500+与昂达热力狂飙NF4X主板平台的超频过程并不适合所有玩家，建议大家根据自己的平台特点参考我们的超频步骤进行相关设置。

⑷ DRAM、SRAM、ROM、CMOS RAM这些存储芯片中，哪个速度最快

SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？ 一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下： ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 ◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 ◎SRAM使用的系统： ○CPU与主存之间的高速缓存。 ○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。 ○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。 ○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。

⑸ 请问IC FLASH、SDRAM、DRAM、EEPROM分别是什么

IC:(integrated circuit)集成电路，通过特殊工艺在单一硅片上集成若干晶体管，实现需若干分立元件才能实现的功能。

EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它译作电擦电写只读存储器，也有书本译作“电可擦可编程只读存储器”。特点是可掉电存储数据，缺点是存储速度较慢，且早期的EEPROM需高压操作，现在的EEPROM一般片内集成电压泵，读写速度小于250纳秒，使用很方便。

FLASH：一般译为“闪存”，你可以理解为是EEPROM的一种，但存储速度较快，制作工艺优良，U盘的核心元件就是它。

SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory）,同步动态随机存取存储器,网络上这样描述：“同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写
”。

DRAM：（Dynamic Random Access Memory），动态随机存储器。

不知道你的模电、数电学得怎样，以及有没有实际接触过电子元器件，你问这些问题好像你对电子一无所知似的，所以我没法进一步跟你解释SDRAM和DRAM，以及他们的区别和优缺点，顺便问一句，你是做电子元器件销售的吗？

⑹ 什么叫NAND型内存

一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。NAND规格晶片多应用在小型记忆卡，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中。

⑺ 内存条的DDR,DDR2,DDR4各是什么意思

DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。
标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。
同步动态随机存储器（SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。
DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同，只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz，与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。

DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3同DDR2接触针脚数目相同。但是防呆的缺口位置不同DDR3频率在800M以上，DDR2频率在800M以下。

DDR4内存有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。
根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品

⑻ DDR4内存的规格,参数，详细点啊

未来的DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。 三星电子于2011年1月4日宣布，已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。时至今日，DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz，而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下，DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz，运行电压一般为1.5V，节能版也有1.35V。仅此一点，DDR4内存就可以节能最多40％。根据此前的规划，DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz，电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。

⑼ 请问:存储器DRAM ,FLASH ,SRAM, UtRAM,Graphics Memory的主要区别是什么

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
Flash 由macromedia公司推出的交互式矢量图和 Web 动画的标准。网页设计者使用 Flash 创作出既漂亮又可改变尺寸的导航界面以及其他奇特的效果。设计动画的工具
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？
一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下：
◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
你说的UtRAM 应该是 UTRAN
UTRAN(Universal Terrestrial Radio Access)全球陆上无线接入
在UMTS结构中包括一通用无线接入网，UMTS无线接入网（URAN）。URAN可以有多种不同的实现方式。根据不同的条件和环境，即可以利用已有的接入网通过进化来实现，也可利用先进的技术实现全新的接入网。
UTRAN是一种全新的接入网，是UMTS最重要的一种接入方式，适用范围最广。定义UTRAN结构的基本原则：信令网和数据传输网在逻辑上分开；UTRAN和CN的功能将和传输功能完全分开；UTRAN和CN使用的寻址方式将和传输功能的寻址方式无关；宏分集（FDD模式）的处理完全在UTRAN内；RRC连接的移动性完全由UTRAN控制；定义UTRAN接口时，通过接口的功能划分应有尽量少的可选项；应基于此接口控制的实体的逻辑模型。
传输网的控制平面是用于传输承载管理的接口协议结构的功能平面。传输网的控制平面实际使用的信令协议和下面传输层技术有关。
1）UTRAN的结构
UTRAN由一组通过Iu接口连接到核心网的无线网络子系统（RNS）组成。一个RNS由一个无线网络控制器（RNC）和一个或多个节点B组成。节点B通过Iub接口连接到RNC。节点B可以支持FDD模式，TDD模式或双模式。RNC包含支持不同节点B之间宏分集的合并/拆分功能，对需要和UE有信令连接的切换作出决定。支持FDD模式的B节点可以包含一任选的支持节点B内宏分集的合并/拆分功能。
在UTRAN内，无线网络子系统内的RNCs可通过Iur 进行连接。Iu和Iur接口是逻辑接口。可通过RNCs间的物理的直接连接或通过任一适合的传输网络来传送Iur。
RNS负责它范围内的蜂窝所需资源。对于用户设备和UTRAN间的每个连接，有一个RNS为服务RNS。若需要，漂移（Drift）RNSs可提供无线资源来支持服务RNS。
2）UTRAN的功能
系统接入是UMTS用户连接到UMTS以便使用UMTS业务的方法。用户系统接入的发起者即可以是移动端，也可以是网络端。

Graphics Memory 要是在电脑里好象是 显存

⑽ DRAM内存模组总线宽度必须相同(X8 或者 X16) ，什么意思

回答你下 1 单8双16的都可以 容量频率最好对等I平台的要求比较松 不对称双通道都能组起记得插在主板同颜色插槽上