钙钛矿面板激光刻蚀机

A. 场效应晶体管和钙钛矿太阳能电池器件是一类吗

场效应晶体管和钙钛矿太阳能的电池事件应该是完全不同类的东西

B. 钙钛矿型太阳能电池是什么原理

钙钛矿型太阳能电池（perovskite solar cells），是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池，即是将染料敏化太阳能电池中的染料作了相应的替换。在这种钙钛矿结构中，A一般为甲胺基；B多为金属Pb原子，金属Sn也有少量报道；X为Cl、Br、I等卤素单原子或混合原子。目前在高效钙钛矿型太阳能电池中，最常见的钙钛矿材料是碘化铅甲胺，它的带隙约为1.5 eV。
在接受太阳光照射时，钙钛矿层首先吸收光子产生电子-空穴对。由于钙钛矿材激子束缚能的差异，这些载流子或者成为自由载流子，或者形成激子。而且，因为这些钙钛矿材料往往具有较低的载流子复合几率和较高的载流子迁移率，所以载流子的扩散距离和寿命较长。这就是钙钛矿太阳能电池优异性能的来源。
然后，这些未复合的电子和空穴分别别电子传输层和空穴传输层收集，即电子从钙钛矿层传输到电子传输层，最后被FTO收集；空穴从钙钛矿层传输到空穴传输层，最后被金属电极收集。当然，这些过程中总不免伴随着一些使载流子的损失，如电子传输层的电子与钙钛矿层空穴的可逆复合、电子传输层的电子与空穴传输层的空穴的复合（钙钛矿层不致密的情况）、钙钛矿层的电子与空穴传输层的空穴的复合。要提高电池的整体性能，这些载流子的损失应该降到最低。
最后，通过连接FTO和金属电极的电路而产生光电流。

C. 钙钛矿太阳能电池中空穴传输材料的吸收波长在哪个范围好

中性的原子结构（被所有相关实验所证实）。

电子的单向作用场性质在经典物理的范围内失效，因为经典物理的点电荷概念包含了成千上万的电子（负电）或质子（正电）。在经典物理中点电荷的电场是大量电子或离子的总体效应，是满足矢量叠加的矢量场。

性质特征

电子块头小重量轻（比μ介子还轻205倍)，被归在亚原子粒子中的轻子类。轻子是物质被划分

D. 固体物理：三维钙钛矿ABO3晶体，有多少 声学支声子有多少光学支声子

仅以我所知道的固物和晶格动力学知识给点参考意见。
钙钛矿（ABO3）原胞有5个原子，三维情况下就能画出5*3=15条频散曲线（声子谱）（一维和二维的话应该就是5*1=5和5*2=10条线吧），每条曲线对应一个声子振动模态分支。三维15条线的话，其中相对低频的3条对应声学声子分支，相对高频的剩余12条对应光学声子分支（一维和二维分别1声4光和2声8光）。

E. 钙钛矿太阳能电池 溶液法制备的CH3NH3PbI3这个材料是n型还是p型

这是一个双极性材料，基本上是本征半导体，载流子浓度极低，大约109次方的载流子浓度，
当然也是一个高阻材料，是一个弱p型的材料，一般把它看成是本征的，所以钙钛矿是P-i-N的器件结构，
P型的材料，可以是有机的PEDOT，Spiro以及其他有机芳胺类高分子或小分子空穴传输材料，
或者是无机的P型材料CuI，CuO，CuS，NiO，MoO3，CuSCN等等，
N型的材料可以是TiO2，SnO2，ZnO，C60，PCBM等等无机或者有机的电子传输材料，
所以钙钛矿有三个研究方向，做P材料，做i吸光层钙钛矿材料，做N材料，
加上器件结构正置或者倒置，这样可以组合出大量的paper，
可以养活众多的科研工作者，很少有一个方向像钙钛矿电池一样，
DSSC，OPV, 其他薄膜电池甚至单晶硅多晶硅电池都能参与进来。

F. 钙钛矿型太阳能电池材料制作工艺成熟吗

1、硅片切割，材料准备：工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（全球节能环保网掺硼）。2、去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。3、制绒：制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。4、扩散制结：扩散的目的在于形成PN结。普遍采用磷做n型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。5、边缘刻蚀、清洗：扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。6、沉积减反射层：沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN,由于PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产。7、丝网印刷上下电极：电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。最早采用真空蒸镀或化学电镀技术，而现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线。8、共烧形成金属接触：晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结。9、电池片测试：完成的电池片经过测试分档进行归类。