dar2是什么虚拟货币

㈠ DDR2是什么

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

采用双通道运行，速度是DDR的2倍。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

㈡ DDR2内存中的DDR2是指啥啊

都支持的.
要看你主板芯片组最高支持到那种的ddr2内存频率,目前一般的ddr2
内存有
ddr2
533
ddr2
667
ddr2
800
ddr2
1066
这几种内存频率,如果你的主板最高只支持到ddr2
800
而你换的切是ddr2
1066
他就会自己降频使用,降为ddr2
800规格的来使用,如果最高只支持到ddr2
667
而你换的却是
ddr2
800,ddr2
800就会降成ddr2
667的内存频率来使用.其他的都一样.
所以要根据自己的主板最高支持的内存频率来(amd的除外,amd的cpu中自带内存控制器,只有amd的处理才会依照cpu来选择内存型号.),选择内存,不然比如说你选择了800的内存,而主板最高却只支持到667,他就会降频到667的规格来使用,完全发挥不出来它的性能.

㈢ ddr2什么意思

第二代内存。
内存分为第一代、第二代、第三代、第四代。
分别表示为：DDR、DDR2、DDR3、DDR4。
每一代内存都有不同的频率，譬如：DDR2 有667MHz、800MHz，DDR3代有1333MHz、1600MHz等。
内存条还分为标压内存和低压内存。

㈣ DDR2价格为什么暴涨

内存价格从08年12月底到现在就一直在涨涨跌跌中徘徊，去年内存一直都在大幅降价中度过，终于在年底时爆发，所有产品均开始涨价。2GB内存平均都有20-30元的涨幅，出现了罕见的触底反弹，还不到一周2GB 800内存就从谷底的低于百元价格又升至了120-130元的价位了，一直到09年春节回来，价格竟均飙到了160元，虽然中间会有小起小落，但都无关大局，终于在数日前纷纷再次大幅回落，目前2GB 800内存价格回到135元左右。在这一段时间之中，是什么原因造成了这样的形势呢？ 首先，在08年底，当内存价格落到了谷底时，DRAM厂商均不想赔钱出货，让少数买盘进场炒作，而且当时韩元大幅走升，美元大幅贬值，三星及海力士等DRAM厂又停止对现货市场抛货，让供给短时间紧缩，成功的拉升了价格。 自力晶08年率先宣布减产之后，尔必达、茂德、南科与华亚科陆续跟进后，在09年年初全球DRAM厂合计减产近20%。全球DRAM与NAND Flash的龙头三星电子也在计划通过大幅度减产来降低内存，以及闪存芯片供应量，以此来强制抬升内存芯片的成交价格。而减产效应的显现也保证了1月上旬DRAM价格的持续上涨。 之后三星又传出有意调降今年半导体部门资本支出，以及各厂减产幅度逐渐扩大，让严重的是供给过剩问题有望缓解，此时又逢春节临近，而PC OEM、渠道及中间商手里存活不多造成的市场采购量的增长，每逢这个时间，都会出现涨价的情况。随着年底的休假。底层经销商都开始纷纷进货，以备不时之需。而DRAM厂为了避免营运上进一步现金流出，因此都陆续展开惜售策略，价格太低的货一律不卖，1月23日，德国DRAM记忆体大厂奇梦达又向慕尼黑地方法院提交破产申请。因此在春节前的这一波现货价格，在天时、地利、人合的条件下，成功的出现了上涨。 春节过后，由于受奇梦达破产的影响，2月10日，美国最大NOR闪存晶片厂商Spansion宣布，其日本分公司已经申请破产保护。而茂德也背负巨额债务，不知未来走势如何。在市场预期供给减少的带动下，DRAM价格全面上涨，使得内存现货价格也随之变动，2GB 800内存曾一度涨至160元。 但是在连续的价格上涨之后，需求开始减缓，市场买气低迷，价格再次全面回缩。部分芯片供应商为寻求买气出现不断地降价，不过交易情况依旧未改善，反而造成整体价格出现较明显的跌幅，而且这种形势将持续数日。现在DRAM现货价再次跌破0.9美元，被打回去年底的原点。 有市场人士指出，未来只有DRAM厂进一步的整合或是有厂商的退出，在供需获得平衡的状况下，对会对整体DRAM市场有正面帮助。 奇梦达公司1月23日向法院声请破产保护，目前有一个月的时间寻找投资者，而其在这期间推出46nm内存技术，打算以公司的主要研发和产能的存续力，来寻求找到新投资者，可以看出奇梦达也还没有放弃。 台湾“经济部”预计本月底提出官方版DRAM整并架构。目前DRAM价格迟迟无法弹升至现金成本以上，因此DRAM厂普遍面临后继无力，现金净流出的状况，因此DRAM产业将从五合一升级成六合一，并非不可能，不过目前台湾各大DRAM厂在整并上都存有私心，老大心态阻碍整并进度。在未来的时间里，我们就要关注关厂效应的发酵，是否会带来需求的复苏。

㈤ ddr3,ddr2,ddr4的区别是什么

DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：为双信道同步动态随机存取内存，是新一代的SDRAM技术。别于SDR（Single Data Rate）单一周期内只能读写1次，DDR的双倍数据传输率指的就是单一周期内可读取或写入2次。在核心频率不变的情况下，传输效率为SDR SDRAM的2倍。第一代DDR内存Prefetch为2bit，是SDR的2倍，运作时I/O会预取2bit的资料。举例而言，此时DDR内存的传输速率约为266～400 MT/s不等，像是DDR 266、DDR 400都是这个时期的产品。

DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）：为双信道两次同步动态随机存取内存。DDR2内存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的两倍），DDR2的I/O频率是DDR的2倍，也就是266、333、400MHz。举例：核心频率同样有133～200MHz的颗粒，I/O频率提升的影响下，此时的DDR2传输速率约为533～800 MT/s不等，也就是常见的DDR2 533、DDR2 800等内存规格。

DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch提升至8 bit，即每次会存取8 bits为一组的数据。DDR3传输速率介于 800～1600 MT/s之间。此外，DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更为省电。DDR3也新增ASR（Automatic Self-Refresh）、SRT（Self-Refresh Temperature）等两种功能，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率，以确保系统数据的完整性。

DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的带宽，DDR4的传输速率目前可达2133～3200 MT/s。DDR4 新增了4 个Bank Group 数据组的设计，各个Bank Group具备独立启动操作读、写等动作特性，Bank Group 数据组可套用多任务的观念来想象，亦可解释为DDR4 在同一频率工作周期内，至多可以处理4 笔数据，效率明显好过于DDR3。 另外DDR4增加了DBI（Data Bus Inversion）、CRC（Cyclic Rendancy Check）、CA parity等功能，让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。

本质区别就是 速度 稳定性 和更新换代

如同 iPhone1-7s

㈥ 内存类型：DDR2是什么意思

DDR
（Double
Data
Rate
）
你可以把DDR理解成类型!
1
2
3是1代
2代
3代~
DDR内存是内存的类型
而后面的123代表第几代~
而DDR1的速度我们理解成100的话~DDR2大概就120了~
而DDR2理解成120的话~那么DDR3就在DDR2的速度上提升大概5%

㈦ DDR2是什么意思

DDR2
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

㈧ ddr和ddr2有什么区别

DDR是第一代DDR产品，在很多方面都存在这问题，现在已经基本被市场淘汰了，DDR2是后续的2代产品，在性能方面有了一定的提高，已经成为了市场的主流，下一阶段就是DDR3的天下了
最大的区别就是运行的速度上，最好的搭配方法就是1+1，而不是只安一根

㈨ DDR2这个2表示什么

是第二代的意思，就是DDR第二代

DDR3就是DDR第三代

双通道主要看主板和CPU是否支持双通道内存