挖矿esm参数
㈠ apache httpd server 加参数 问号无法识别
首先你确认login_loit.jsp这个文件是不是能接受所传的这两个变量
其次，你的这种登录方式是很危险的
㈡ F35的具体性能参数
F-35联合攻击战斗机（JSF）是美国准备在21世纪使用的主力战斗机之一。计划取代美空军的F-15E、F-16、A-10和F-117，海军的F-14、海军陆战队的AV-8B，英海军的“海鹞”式和空军的“狂风”、“鹞”式等飞机。1999年首飞。
1996年JSF美国国防部项目刚招标时，只有麦道公司、诺斯罗普·格鲁曼公司和洛克希德·马丁公司三大航空集团提出方案，后来增加了波音公司。美军方经过审查决定由波音公司和洛克希德·马丁公司各自研制2架验证机，编号分别为X-32和X-35。2001年10月26日，美国国防部空军部长罗希宣布根据实力、设计的优缺点以及风险程度，洛克希德·马丁公司的X-35方案最终战胜了强有力的竞争对手波音公司的X-32方案，赢得了有史以来最大的军火合同，负责研制开发下一代先进联合攻击战斗机，也就是JSF（Joint Strike Fighter），新一代的联合攻击战斗机也被正式定名为F-35。
JSF计划要求新一代的多功能多角色战斗机提出了很高的要求。总体说来它必须具备良好的对地攻击能力，同时兼顾对空作战能力；它必须符合美国空军、海军、海军陆战队及其盟国的需要；它必须具备较强的生存能力和隐身性能、精确的攻击能力以及较低的造价。
洛克希德·马丁公司公司充分利用在F-22发展中积累的设计、制造和维护经验，在F-35的气动外形上尽可能地沿用F-22的一些成果，以降低风险和成本，更重要的是洛克希德·马丁公司选用了一种较理想的STOVL动力方案，使JSF可采用两侧进气的常规布局。
与波音公司的方案相比，洛克希德·马丁公司的方案具有较大的悬停推动力，减少了高温燃气对跑道地面的侵蚀，避免了从进气道吸入高温废气而影响发动机的正常工作，同时还使F-35进气道的前向截面积减小，从而降低飞机的迎风面积，有利于实现超音速飞行。它的主要缺点是增加了额外重量。升力风扇系统包括了升力风扇、驱动轴、离合器、滚转姿态控制喷管、可转动的矢量喷管、蛤壳式喷管舱门，总重约1800千克。在CTOL型和CV型上，升力风扇将被取消，可转向尾喷管换成轴对称推力矢量喷管，这样机内就能多装一个2270千克油箱，使航程增加370千米，作战半径达到F/A-18的两倍。
F-35采用了“无附面层隔道超音速进气道（DSI）”设计，洛克希德·马丁公司在进气道的进气口并没有设置常规的固定式附面层隔道，而是通过计算机设计了一个三维曲面的突起块，或者鼓包。这个鼓包起到对气流的压缩作用，并产生一个把附面层气流推离进气道的压力分布。该设计已在一架F-16试验机上进行了飞行试验，证明它直到2.0马赫时仍很有效。试飞员认为，装了新型DSI进气道以后，发动机的推力特与原F-16一样，而亚音速的单位剩余功率还比原F-16进气道稍好些，从而证实了去掉附面层隔道的好处。
另外，F-35和DSI进气道还采用了单块整体式复合材料结构，通过法兰盘直接“贴身”地焊在了机身两侧，没有一个紧固件，不仅大大地减轻了结构重量，也大大减少了零件数量。
飞机蒙皮用新型材料覆盖F-35的蒙皮上覆盖了一层由洛克希德·马丁公司公司和3M公司共同研制开发的“3M”材料。这种新式的“涂层”与常规飞机上所漆的涂料有很大差异。严格地说，这并不是一种“涂料”，而是一种用聚合材料制造的薄层。这种材料可直接粘贴覆盖在蒙皮上，所以就不需要再进行喷漆。这样做最大的好处就是可以节省经费，而且还可以减轻飞机因喷漆而附加的重量。据称这项措施至少可以使一架飞机在全寿命周期内节约300千克涂料。这种新式聚合物薄层已在F-16上通过了飞行测试，当飞行时速度达到1.8马赫时，蒙皮上覆盖的薄层依然完好如初。
F－35战斗机研制的航空电子系统被称为“多功能综合射频系统”（MIFRS）。该系统集雷达、通信、导航和射频电子战功能于一身，共享天线和处理器等硬件，使JSF飞机成为美国21世纪真正具有全频谱自卫能力的、全天候隐身攻击平台。MIRFS系统工作于8～12MHz频段，采用有源阵列低雷达截面积的天线。能完成空对空搜索与跟踪、空对地攻击作战、合成孔径雷达测绘、单脉冲地面测绘、电子干扰、空中交通管制及一些通信功能。高增益ESM该系统可把航空电子设备的成本减少30％，重量减少50％。
基本型号：
美国空军F-35/CTOL型（F-35A）--为最简单的。美国国防部要求它的作战性能比现役F-16有长足的提高。F-35/CTOL型的另外一个特点就在于它安装有一门内置航炮，另外还装有红外传感器的激光指示器。美空军拟用F-35/CTOL型作为对地攻击机，完全替代F-16和A-10。（注：CTOL--Conventional Takeoff and Landing常规起降）
海军陆战队F-35/STOVL型（F-35B）--将不会安装内置式航炮，但设计方案允许安装一门外置式航炮。该型飞机在空中悬停时，在所有的轴向上都具有完全可控性。F-35/STOVL型在F-35/CTOL型的基础上加装了英国罗尔斯罗伊斯与埃利逊公司合作生产的升力风扇，并在前机背上开有进气口，使其真正具备了短距起飞垂直降落的功能。F-35/STOVL将用来取代AV-8B和F/A-18C/D。（注：STOVL--Short Takeoff and Vertical Landing短距和垂直起降）
美国海军F-35/CV型（F-35C）--要在航母上拦阻降落，因此和F-35/CTOL存在较大不同。它增加了主翼和水平、垂直安定面的尺寸，以增强在航母上低速着陆时的可操纵性。可折叠机翼和前缘翼解决了增加翼展带来的在航母上起降和停放的不便。飞机机翼面积的增加也导致飞机在起降过程中对机体本身的作用力增加。为解决这个问题，该型飞机的起落架和机身等相关的部位都进行了加固。F-35/CV型在挂载副油箱时的航程是F/A-18C的两倍。同F-35/CTOL一样，F-35CV也装有内置式航炮和各种传感器。F-35/CV将与F/A-18E/F并肩作战。（注：CV--Carrier-based舰载）
英国F-35/STOVL型--英国皇家海军和空军的F-35/STOVL型同美国海军陆战队的F-35/STOVL非常相似。它们将用来替代“狂风”和“海鹞”。
。
F-35：
㈢ 急求助。在网上那里可以查到集成电路型号的性能和参数！
这些型号好多厂家都会生产,但是每个厂家的具体参数有可能不通,所以您要先弄清楚需要哪个厂家 就可以去厂家的网站 进行查找了.
A INTECH(美国英特奇公司)
A- INTECH(美国英特奇公司
AC TEXAS INSTRUMENTS [T1](美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
AD ANALOG DEVICES(美国模拟器件公司) http://www.analog.com/
AM ADVANCED MICRO DEVICES（美国先进微电子器件公司） http://www.advantagememory.com/
AM DATA-INTERSIL(美国戴特-英特锡尔公司) http://www.datapoint.com/
AN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
AY GENERAL INSTRUMENTS[G1](美国通用仪器公司)
BA ROHM(日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司) http://www.rohmelectronics.com/
BX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CA RCA(美国无线电公司)
CA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
CA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
CAW RCA(美国无线电公司)
CD FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
CD RCA(美国无线电公司)
CIC SOLITRON(美国索利特罗器件公司)
CM CHERRY SEMICONDUCTOR(美国切瑞半导体器件公司) http://www.cherry-semi.com/
CS PLESSEY(英国普利西半导体公司)
CT SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXA SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXD SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXK DAEWOO(韩国大宇电子公司)
DBL PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
DN AECO(日本阿伊阔公司)
D...C GTE(美国通用电话电子公司微电路部)
EA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
EEA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EF THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EFB PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
EGC THOMSON-SGF(法国汤姆逊半导体公司)
ESM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
F FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
FCM FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
G GTE(美国微电路公司)
GD GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GL GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GM GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
HA HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
HD HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
HEF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
HM， HZ HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
ICL， IG INTERSIL(美国英特锡尔公司)
IR， IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
ITT， JU ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
KA， KB SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KC SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
KDA SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KIA， KID KEC(韩国电子公司)
KM KS SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
L SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
L SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LA SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LB SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
LF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
LF NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH LK SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
LM SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LM SIGNETICS(美国西格尼蒂公司) http://www.spt.com/
LM FAIRCILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
LM SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
LM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
LM MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
LM SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
LP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LR LSC SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
M SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
M MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MA ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MAX （美国）美信集成产品公司 http://www.maxim-ic.com/ http://www.maxim-ic.com.cn/
MB FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MBM FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MC MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MC PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
MC ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MF MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MK MOSTEK(美国莫斯特卡公司)
ML PLESSEY(美国普利西半导体公司)
ML MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司) http://www.mitelsemi.com/
MLM MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
MN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
MN MICRO NETWORK(美国微网路公司)
MP MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MPS MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MSM OKI(美国OKI半导体公司) http://www.oki.com/
MSM OKI(日本冲电气有限公司) http://www.oki.com/
N NA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NC NITRON(美国NITROR公司)
NE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
NE MULLARD(英国麦拉迪公司)
NE SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
NJM NEW JAPAN RADIO(JRC)(新日本无线电公司)
OM PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
OM SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
RC RAYTHEON(美国雷声公司)
RM RAYTHEON(美国雷声公司)
RH-IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
S SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
S AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)
SA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAA GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
SAA ITT(德国ITT-半导体公司) http://www.ittcannon.com/
SAB SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAB AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAF SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAK PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SAS HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
SAS AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAS SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SDA (德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SC SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SG SILICON GENERAL(美国通用硅片公司) http://www.ssil.com/
SG MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
SG PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
SH FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
SI SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SK RCA(美国无线电公司)
SL PLESSEY(英国普利西半导体公司)
SN MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
SN TEXAS INSTRUMENTS(TI)(德国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
SND SSS(美国固体科学公司) http://www.s3.com/
SO SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SP PLESSEY(英国普利西半导体公司)
STK SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
STR SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SW PLESSEY(英国普利西半导体公司)
T TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
T GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
TA TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TAA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TAA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TAA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TAA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TAA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TBA FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
TBA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TBA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TBA HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
TBA NEC EIECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
TBA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TBA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TBA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TBA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TBA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TBA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TBA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TBA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TBA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TC TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TCA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TCA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TCA SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)
TCA MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体公司) http://www.motorola.com/
TCA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TCA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TCA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TCA MULLARD(英国麦拉迪公司)
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TCA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TCA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TCM TEXAS INSTRUMENTS[TI](美国德克萨斯仪器公司) http://www.it.com/
TDA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TDA SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)
TDA MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体公司) http://www.motorola.com/
TDA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TDA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TDA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
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TDA NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
TDA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TDA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TDA HITACHI(日本日立公司) http://semiconctor.hitachi.com/
TDA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利-SGS亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TDA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TDA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TDA RCA(美国无线电公司)
TDA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TDA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TDB THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TDC TRW LSI PRODUCTS(美国TRW大规模集成电路公司)
TEA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TEA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
TL TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司) http://www.toshiba.com/
TL MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
TM TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TMM TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TMS TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
TP TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
TP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TPA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TUA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
U AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
UAA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
UC SOLITRON(美国索利特罗器件公司) http://www.solitron.com/
ULN SPRAGUE EIECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
ULN SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
ULN MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
ULS SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
ULX SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
XR TEXAR INTEGRATED SYSTEMS(美国埃克萨集成系统公司) http://www.ti.com/
YM YAMAHA(日本雅马哈公司) http://www.yamaha.co.jp/
UA MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
UA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
UA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconctors.philips.com/
UA FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
UAA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
UPA NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPB NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPC NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
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㈣ 美的冰箱BCD-236TGESM水墨白怎么样
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冷藏室容积139L
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能效等级1级
额定耗电量0.46度/天
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技术参数
制冷剂R600a
功能特点
无霜功能手动除霜
其他
产品颜色白色
外形尺寸585×613×1820mm
㈤ 福莱斯特级航空母舰的基本参数
名称：福莱斯特级航空母舰
所属国家：美国
武器分类：航空母舰
军种分类：海军
排水量：76,614吨（满载）；
主尺度：301.75 x 39.3 x 10.8 米；
最大尺度：317 x 76 x 10.8 米；
动力：蒸气轮机,8台锅炉，4轴，280,000马力，最高航速30节；
编制：4676 人；
装甲：机库，飞行甲板和弹药库有装甲；
武器：8门单127mm炮；飞机：80架。
标准排水量：59060吨（CV59-60），60000吨（CV61-62）
满载排水量：79250吨（CV59），80383吨（CV60），80643吨（CV61），81163吨（CV62）
总长：331米（CV59），324米（CV60），326.4米（CV61-62）
宽：39.6米
吃水：11.3米
动力： 8座锅炉，4 台蒸汽轮机，4轴，280000马力
航速：33节
续航力：8000海里/节，4000海里/30节
舰员：2900名，其中军官154名；航空人员2279名，其中军官329名；旗舰人员70名，其中军官25名
飞行甲板：长319.1米，宽76.3米（CV59-60）、82.3米（CV61-62）
弹射器：CV59-60为2部C7型和2部C11型，CV61为4部C7型，CV62为4部C13型 导弹：3座Mk29八联装“北约海麻雀”对空导弹发射装置
火炮：3座Mk15 6管20毫米“密集阵”近防炮
对抗措施：假目标：4座Mk36 SRBOC 6管红外曳光弹和干扰箔条弹发射器，2.2海里；水面舰艇鱼雷防御系统（SSTDS）；SLQ36“水精”（Nixe) 电子支援（ESM)/电子对抗（ECM)SLQ32(V)3，雷达告警、干扰和欺骗系统
作战数据系统海军战术数据系统（NTDS）；4A、11、14、16号数据链；
武器控制3部Mk91 3型导弹发射控制系统（MFCS）指挥仪，作为“北约海麻雀”导弹系统（NSSMS)Mk57对空导弹（SAM）系统的一部分
雷达：对空搜索：ITT SPS48C,3D,E/F波段，220海里；雷声（Raytheon)SPS49(V)5,C/D波段，250海里；休斯(Hughes)Mk23TAS,D波段
水面搜索：诺登（Norden)SPS67,G波段
飞行进场控制（CCA）：SPN41,SPN42,SPN43A,SPN44,J/K/E/F波段
导航：雷声SPN64(V)9,I波段
火控：6部Mk95,I/J波段（用于对空导弹）
战术空中导航（Tacan）：URN25
㈥ 路由器主机(AC)主机自带2个千兆电口（电口十百千兆自适应），4个SIC槽位，2个MIM槽位，2个ESM槽位，1个VCPM
你直接去问思科不好吗？都确定品牌了，直接找厂家不就得了。
㈦ 053H2型护卫舰的基本参数
舰型 053H2型（江湖-III级） 首舰服役 1986年12月 建造数量 3艘 标准排水量 1,700吨 満载排水量 2,100吨 舰长 103米 舰宽 10.8米 型深 6.3米 吃水 3.2米 动力系统 18E390A柴油机×2，双轴推进 主机功率 12885x2超过20,000马力 最大航速 26节 续航距离 2,700海里 舰员 130人（含军官25名） 武器系统 79A式56倍口径100mm双管速射炮×2 76式37mm双联装机关炮×4 鹰击-81（YJ-81）反舰导弹双联发射架×4 81式反潜火箭（RBU-1200）5联装发射架×2 64式水雷弹射器（BMB-24）×2 B515型 3连装短鱼雷发射管×2 C4I系统 ZKJ-3A 战术情报处理装置 舰载机 无 雷达系统 517型远距对空雷达 360型对空对海雷达 RM-1290（Racal Decca）航海雷达 声纳系统 SJD-5 中深度搜索声纳 SJC-1B 侦察用声纳、SJX-4 通信用声纳 火控系统 352型火控系统（反舰导弹用）×1 343型（主炮导弹用）×1 347G型（机关炮用）×1 电子战对抗系统 RWD-8 923型ESM 981型ECM 651A型IFF
㈧ 美的bcd-236tgesm 236升三门冰箱自动除霜吗
美的bcd-236tgesm
236升三门冰箱不是自动除霜，是手动除霜的。
优点：噪音小，性能温度，价格实惠，售后有保障。
参数：
型号：BCD-236TGESM(E)
产品规格：三门
开门方式：左开门
产品外形尺寸：613*580*1820
商品净重量：70
制冷方式：直冷式
能效等级：一级
定频/变频：定频
㈨ 展示冷柜是esm55的温度显示器，怎么调节温度有没有说明书各个按键是什么意思
是EMS55吧。你的柜子是可口可乐的展示柜吗？可口可乐不允许用户调整展示柜的参数，只有售后人员才能调整。那几个键就是设置参数用的，需要有密码才能进入调整界面。里面参数几十个，比如蒸发温度、冷凝温度、压机温度、夜间模式等等，用户设置会出问题的。再比如，可口可乐认为最佳口感是2-6摄氏度，如果为了省电把温度提高会影响口感的。所以只有技术人员才能调整。如果你认为有什么问题，你可以找当地展示柜售后进行维修调试。
㈩ 仪表放大器放大倍数大于300倍时的各项参数：输入电阻，输出电阻的要求
放大器电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的测量方法
给定幅度是Usm的输入正弦电压信号，测输出电压幅度Uom，保证不出现截止或削顶失真，比值Uom/Usm即是放大器电压放大倍数。
2.设放大器输入电阻为Ri，信号源内阻为Rs。信号源空载，测量其正弦电压的有效值Es或幅度Esm。再加到放大器输入端子上，测量放大器输入端子的电压有效值Ui或幅度Uim
则根据电阻串联分压原理有Ri/(Rs+Ri)Es=Ui，由此计算
Ri=Ui/(Es-Ui)Rs
3.设放大器输出电阻为Ro，其空载输出正弦电压的有效值Eo或幅度Eom。再加阻值为RL的负载。测量输出正弦电压的有效值变为Uo或幅度Uom
则根据电阻串联分压原理有RL/(Ro+RL)Eo=Uo，由此计算
Ro=(Eo/Uo-1)RL
究竟如何保证不出现截止或削顶失真，详细请参见元增民写作的新体系特色模电教科书《模拟电子技术简明教程》