vds挖矿计算

❶ 单端反激式开关电源中测试VDS波形的占空比怎么计算

?，问题有歧义呀
占空比=高电平持续时间/波形周期

❷ 半导体物理 mosfet vds怎么计算

注意运用图象：图象法是一种分析问题的新方法，它的最大特点是直观，对我们处理问题有很好的帮助。但是容易混淆。如位移图象和速度图象就容易混淆，同学们常感到头痛，其实只要分清楚纵坐标的物理量，结合运动学的变化规律，就比较容易掌握。（3）注意实验能力和实验技能的培养：高中物理实验分演示实验和学生实验，它对于我们学习知识和巩固知识都起到重要的作用。因此，要求同学们要认真观察演示实验，切实做好学生实验，加强动手能力的锻炼，注意对实验过程中出现的问题进行分析。

❸ M0S管VDS计算公式

看到模电我就想shi

❹ Vds钱包怎么下载

打开官网，
一、下载安装最新版本VDS钱包；

二、按提示流程创建普通钱包，私钥+密码自己保存好，去中心化的世界，没有个人或者组织为你的财产负责，只有自己为自己负责；

三、在交易所或者找朋友购买10个币，存入自己普通钱包，

四、通过创建VID，把币转给推荐人VID账号，即可成为VDS会员，也拥有自己的VID地址，享受会员权益；

五、你可以选择挖矿，囤币待涨，多种不同的方式都可赚取财富。

❺ 请教一下西数硬盘的vds、RS、EAL、YS各是什么意思

西部数据硬盘之前的产品名称多为CS、DS、 JS、KS、YS、GP等等，很容易让消费者混淆,所以西部数据近期对旗下硬盘产品线进行重组，用普通用户容易理解的三种颜色来进行区分。此次共划分三大系列：
Caviar Black黑版代表桌面高性能产品；LS系列（双核，32M缓存，厂家3年全免质保）适合玩家以及追求极速性能的要求（速度快，玩游戏或用BT、电驴 ）
Caviar Blue蓝版是以性价比为主要诉求的主流型号；BB/JB/KB/JS/KS系列:为日常计算提供理想性能和可靠性，桌面级主导（简单来说属于一般民用）
Caviar Green绿版就是之前的GreenPower系列，主打低功耗、低噪音等环保特性。CS/DS/VS系列 节能环保型硬盘，适合企业及稳定（这一类虽然比较稳定，但速度欠佳）

VDS : 绿版
RS : 绿版
EAL : 蓝版
YS : 绿版

❻ 反激电路RCD参数怎么计算

一、首先对MOS管的VD进行分段：
ⅰ，输入的直流电压VDC；
ⅱ，次级反射初级的VOR；
ⅲ，主MOS管VD余量VDS；
ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。
二、对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：
ⅰ，输入的直流电压VDC。
在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC＝VAC *√2
ⅱ，次级反射初级的VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．
VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns
ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．
VDC＝VD* 10%
ⅳ，RCD吸收VRCD．
MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%
注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．
② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）
③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）
④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的
ⅴ，RC时间常数τ确定．
τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。
三、试验调整VRCD值
首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上）
一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。
四、试验中值得注意的现象
输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。
重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。
五、RCD吸收电路中R值的功率选择
R的功率选择是依实测VRCD的最大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。

❼ MOSFET中跨导的计算问题

一般是利用I对V的偏导求。
注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。

case1：Vds<Vgs-Vt，Vt是阈值电压，MOS处于线形区，
Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]
然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）
以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。

case2：Vds>Vgs-Vt，MOS处于饱和区，
Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]
同样求偏导：g = partial （Id）/partial （Vgs） = u*Cox*（Vgs-Vt）*（W/L）
如果你知道Id，而不知道Vgs，就用Id的表达式把Vgs代换掉即可，以case2为例，g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5
[]^x代表[]的内容的x次方
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你还有啥是已知的啊？
请你完整的把已知的参数以及最后要求的东西告诉我。。。就是把题目原样说下
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注意，你现在已经有了Id和Vg关系对应曲线和数据了对吧？
针对case2而言，先用Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]这个式子
应为你知道了Vg，也知道了Vt和Id，这些数据又是对应于同一个管子的，所以上面那个式子的参数u、Cox、W和L都不用管，姑且认为u*Cox*（W/L）是一个完整的参数k；现在利用随便一组数据都可以得到这个k，即利用
Id = 0.5*k*[（Vgs-Vt）^2]求。
然后直接带到g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5 = [2k*Id]^0.5 求跨导即可

❽ ESP、VDS、VSC、ABS+EBD等汽车上的安全配置，都有什么不同的作用

ESP:
Electronic Stablity Program
ESP系统通常是支援ABS及ASR（驱动防滑系统，又称牵引力控制系统）的功能。它通过对从各传感器传来的车辆行驶状态信息进行分析，然后向ABS、ASR发出纠偏指令，来帮助车辆维持动态平衡。ESP可以使车辆在各种状况下保持最佳的稳定性，在转向过度或转向不足的情形下效果更加明显。
ESP一般需要安装转向传感器、车轮传感器、侧滑传感器、横向加速度传感器等。ESP可以监控汽车行驶状态，并自动向一个或多个车轮施加制动力，以保持车子在正常的车道上运行，甚至在某些情况下可以进行每秒150次的制动。目前ESP有3种类型：能向4个车轮独立施加制动力的四通道或四轮系统；能对两个前轮独立施加制动力的双通道系统；能对两个前轮独立施加制动力和对后轮同时施加制动力的三通道系统。

VDS:
不知道你说的VDS是什么..
可能是VDC(VEHICLE DYNAMIC CONTROL)吧?
车辆动态控制：当汽车出现车轮打滑、侧倾或者轮胎丧失附着力的瞬间，VDC系统会立刻介入，在降低发动机转速的同时，有目的地针对个别车轮进行制动控制，并最终将车引入正常的行驶轨道，从而避免车辆因失控而造成的危险。在转向不足、转向过度或光滑路面上有可能发生的各种状况时，自动调整刹车力度和扭矩，以便驾驶者保持行驶方向。在车辆进入弯道时转向不足的情况仍然存在，但车体的刚性在弯道中仍然能够保持一定的稳定性，车辆在很短时间内通过系统调整而得到解决。

VSC:
对于ESP不同的车型，往往赋予其不同的名称，如BMW称其为DSC，丰田、雷克萨斯称其为VSC，而VOLVO 汽车称其为DSTC，但其原理和作用基本相同。只不过是厂商的不同叫法

ABS:
ABS是Anti-LockBrakeSystem的英文缩写，翻译过来可以叫做“刹车防抱死系统”。在没有ABS时，如果紧急刹车一般会使轮胎抱死，由于抱死之后轮胎与地面是滑动摩擦，所以刹车的距离会变长。如果前轮锁死，车子失去侧向转向力，容易跑偏；如果后轮锁死，后轮将失去侧向抓地力，就易发生甩尾。特别是在积雪路面，当紧急制动时，就更容易发生上述的情况。

ABS是通过控制刹车油压的收放，来达到对车轮抱死的控制。其工作过程实际上是抱死—松开—抱死—松开的循环工作过程，使车辆始终处于临界抱死的间隙滚动状态。

EBD:
EBD的英文全称是ElectricBrakeforceDis-tribution，中文直译就是“电子制动力分配”。汽车制动时，如果四只轮胎附着地面的条件不同，比如，左侧轮附着在湿滑路面，而右侧轮附着于干燥路面，四个轮子与地面的摩擦力不同，在制动时（四个轮子的制动力相同）就容易产生打滑、倾斜和侧翻等现象。

EBD的功能就是在汽车制动的瞬间，高速计算出四个轮胎由于附着不同而导致的摩擦力数值，然后调整制动装置，使其按照设定的程序在运动中高速调整，达到制动力与摩擦力（牵引力）的匹配，以保证车辆的平稳和安全。

当紧急刹车车轮抱死的情况下，EBD在ABS动作之前就已经平衡了每一个轮的有效地面抓地力，可以防止出现甩尾和侧移，并缩短汽车制动距离。

EBD实际上是ABS的辅助功能，它可以改善提高ABS的功效。所以在安全指标上，汽车的性能又多了“ABS+EBD”。

❾ 关于场效应管Vgs和Vds电压的问题

导通是有电阻的，它又不是超导材料，连“导体”都不是，而是“半导体”，只要有电流流过，就有电压降，当电流达到某值，超过这时Vgs控制电压能够产生的电流量，才进入饱和区。

❿ 跨导 Gm的计算方法

一般是利用I对V的偏导求。

注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。

例子：VdsMOS处于线形区，

Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]

然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）

以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。

(10)vds挖矿计算扩展阅读：

对于真空管，跨导被定义为板（阳极）/阴极电流的变化除以电网/阴极电压的相应变化，恒定板（阳极）/阴极电压。gm典型值为小信号真空管是1至10毫西门子。它是真空管的三个特征常数之一，另外两个是增益μ（mu）和平板电阻rp或ra。

类似地，在场效应晶体管和MOSFET中，跨导是漏极电流的改变除以栅极/源极电压的小改变以及恒定的漏极/源极电压。gm的典型值为小信号场效应晶体管是1至30毫西门子。