1950x挖矿

A. CPU是1950X需要那种品牌的散热器，性能和质量

1950X是目前顶级CPU，需要用的散热器也不能差的，如果是风冷散热器，酷冷至尊V8散热，499块，如果是一体水冷散热器，海盗船H100i GTX一体水冷，899块，这些散热效果和质量都不错

B. 线程撕裂者1950x和英特尔i7-8700k哪个更好

英特尔吧，两款都是高端U，你的日常使用都可以满足，如果不关注价格，英特尔更好一些。毕竟老大，很多软件和游戏的优化要好，而且架构方面也有优势。

C. amd 1950x 一套机要多少钱

照着1.5万起吧

再加显卡，机箱，外设的话小2万

D. TR 1950x配内存有什么需要特别注意的吗

==没什么需要注意的 正常配就行 如果双通道 就选择同厂家同频率同款的就好了

E. 锐龙1950x相当于什么intel什么系列

推测差不多是未上市的7920x到7940x之间的水平，比10核的7900x综合性能要强，但由于内部是四片晶圆组成，中间的同步率肯定是不如一片晶圆硅，核心数量相同的cpu，i9中16核的是未上市的7960x，加上主频比较高，7960x肯定强于1950x，7920x最大4.3G，12核，7940x最大4.2G，14核，估计跟7920x比较接近。
但这中间有一个问题，1950x跟7900x同价格，所以如果看重性价比，1950x的性价比要好不少。

F. AMD 1950X的磁盘性能是不是很糟糕

首先 1950X本质是由俩个8C Zen核心通过IF总线高速互联的双路结构。
一个CPU能影响到磁盘什么性能，无法理解。至少对日常办公打游戏什么的，这种服务器U是没有什么提升的。除了在工程方面有需求的例如做workstations的需要外

G. 1950x稳定4.0需要多少电压

、单选题：

1．金属导体电阻值随着温度升高（ ） A：增 B：减少 C：恒定 D：变弱

2．纯电电路抗（ ） A：L B：ωL C：1/ωL D：1/2πfL

3．弦交流电阻电路确反映电流电压关系式（ ） A：i=U/R B：i=Um/R C：I=U/R D：I=Um/R

4．些情况缩短晶闸管导通间加触发电流（两倍）电流称（ ） A：触发电流 B：强触发电流 C：掣位电流 D：导通电流

5．三相负载接三相电源若各相负载额定电压等于电源线电压1/ 应作（ ）连接 A：星形 B：三角形 C：口三角形 D：双星形

6．单相弦交流电路功功率表达式（ ） A：UI B： UI C：UIcosφ D：UIsinφ

7．纯电容交流电路电流与电压相位关系电流（ ） A：超前90° B：滞90° C：同相 D：超前0~90°

8．两弦量u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V则（ ）A：u1超前u290° B：u2比u1超前90° C：能判断相位差 D：

9．射极输器输阻抗（ ）故用输极 A：较高 B：低 C：高低 D：高

10．二极管半波整流负载两端直流电压等于（ ） A：0.75U2 B： U2 C：0.45U2 D：0.9U2

11．三相变压器连接组别表示（ ） A：原付边线电压相位关系 B：原付边同名端关系 C：原付边相电压至关系 D：原付边电流关系

12．射极输器电压放倍数约等于（ ） A：80--100 B：1 C：<50

13．晶闸管控制角越则输电压（ ）A：越高 B：移相位 C：越低 D：越

14．某弦交流电压初相角φU=π/6t=0其瞬值（ ） A：于零 B：于零 C：等于零 D：定

15．已知msinwt第达值刻0.005s则第二达值刻（ ） A：0.01s B：0.025s C：0.05s D：0.075s

16．U=311sin（314t-15°）伏则U=（ ）伏 A：220∠-195° B：220∠1950° C：311∠-15° D：220∠-15°

17．实际电压源与实际电流源等效互换内电路言（ ） A：等效 B：等效 C：电路线性等效 D：电路非线性等效

19．任条件具备都肯定结论（ ）逻辑

A：与 B：或 C：或非 D：非

20．放电路稳定输电流应引入（ ）

A：电压负反馈 B：电压反馈 C：电流负反馈 D：电流反馈

21．Z=A+B（ ）逻辑

A：与 B：与或非 C：与或非 D：或非

22．三极管放电路增强带负载能力应采用（ ）放电路

A：共发射极 B：共基极 C：共集电极 D：共阴极

23．结论给定条件相反逻辑（ ）

A：与 B：或 C：与非 D：非

24．已知放电路三管脚电位（1）0V；（2）0.7V；（3）6V则该三极管（ ）型

A：NPN B：PNP C：硅管 D：锗管

25．放器采用射极偏置改善工作点偏离（ ）

A：电流反馈 B：电流负反馈 C：电压反馈 D：电压负反馈

26．控硅向阻断（ ）

A：控硅加向阳极电压控制极加反向电压 B：控加厂向阳极电压控制极加反向电压

C：控硅加反向阳极电压控制极加向电压 D：控硅加反向阳极电压控制极加反向电压

27．三相称负载三角形连接已知：相电流IBC=10∠-10°安则线电流I=（ ）安

A：17.3∠-40° B：10∠-160° C：10∠80° D：17.3∠80°

28．单相半波控硅整流电路决定控制角元件（ ）

A：U2 B：U2/2 C： U2 0.45U2

29．所条件都具备才肯定结论（ ）逻辑

A：与非 B：或非 C：与 D：非

30．单相桥式半控整流电路通改变控制角负载电压（ ）间连续调

A：0~0.45U2 B：0~0.9U2 C：0~U2 D：0~2.34U2

31．已知：I=-14.1sin100πtA其电流相量I=（ ）A

A：14.1∠0° B：14.1∠180° C：10∠0° D：10∠-180°

32．控硅导通条件( )

A：阳极与阴极加向电压控制极与阳极加反向电压 B：阳极与阴极加向电压控制极与阴极加向电压

C：阳极与阴极加反向电压控制极与阳极加反向电压 D：阳极与阳极加反向电压控制极与阴极加向电压

33．晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置晶体三极管处于（ ）工作状态

A：放 B：截止 C：饱 D：路

34．晶体三极管发射结处于偏集电结处反偏则三极管工作状态（ ）

A：饱 B：截止 C：放 D：导通

35．已知e=311sin (314t+5°)V其相量E=（ ）

A：311∠5° B：220∠5° C：220∠+185° D：220∠+175°

36．戴维南定理适用于（ ）

A：外部非线性电路 B：外部线性电路 C：内部线性含源电路 D：内部电路非线性含源电路

37．控硅（ ）PN结组

A：1 B：2 C：3 D：4

38．电容器电流I=CΔUC/ΔtUC增电容器（ ）

A：充电程并吸取电能转换电场能 B：充电程并吸取电场能转换电能

C：放电程并由电场能释放电能 D：放电程并由电能释放电场能

39．晶体三极管处于放工作状态测集电极电位6V基极电位0.7V发射极接则该三极管（ ）型

A：NPN B：PNP C：N D：P

40．已知：电流I=6+j8电源频率50Hz其瞬值表达式I=（ ）

A：10 sin (314t+53.1°) B：10 sin (314t+36.9°)

C：10sin (314t+53.1°) D：10sin (314t+36.9°)

41．共发射极放器集电极电阻RC作用（ ）

A：实现电流放 B：晶体管电流放转变速器电压放 C：电流放与电压放 D：稳定工作点

42．三相电源Y连接已知UB=220∠-10°伏其UAB=（ ）伏
二、选题：

1．弦交流电路列公式确（ ）

A：ic=c/dt B：Ic=jwcU C：UC=-jwct D：XC=1/wc E：QC=UIsinφ

2．基本逻辑运算电路三种即（ ）电路

A：与非门 B：与门 C：非门 D：或非门 E：或门

3．于三相称交流电路论星形或三角形接列结论确（ ）

A：P=3UmImcosφ B：S= 3UmIm C：Q= U1I1sinφ D：S= E：S=3UI

4．级放器极间耦合形式（ ）

A：二极管 B：电阻 C：阻容 D：变压器 E：直接

5．电电路基本逻辑电路（ ）

A：与门 B：非门 C：与非 D：或门 E：异或

6．基尔霍夫定律（ ）

A：节点电流定律 B：路电压定律 C：路电流定律 D：节点电压定律

7．弦交流电三要素（ ）

A：值 B：初相角 C：角频率 D：串联 E：并联

8．我规定三相电力变压器联结组别（ ）等

A：Y/Δ-11 B：Y0/Δ-11 C：Y0/Y-12D：Y/Y-12 E：Y/Δ-7

9．提高功率数（ ）

A：并联适电容器 B：电路串联适电容器 C：并联电抗器 D：串联电容器 E：串联适电量

10．三相负载称（ ）

A：各相阻抗值相等 B：各相阻抗值差 C：各相阻抗复角相差120° D各相阻抗值复角相等 E：各相阻抗复角相差180°

11．晶闸管导通条件（ ）

A：阳极与阴极间加向电压 B：阳极与阴极间加反向电压

C：控制极与阴极间加向电压 D：控制极与阴极间加反向电压 E：阳极与控制极间加向电压

12．弦交流电路列程哪些确（ ）

A：IL=U/XL B篣C=Xcic C：U=Ri D：X=X1+X2+X3 E：Z=Z1+Z2+Z3

13．交流电用相量表示称符号几种形式（ ）

A：代数式 B：三角式 C：几何式 D：指数式 E：极坐标式

14．提高功率数处（ ）

A：充发挥电源设备容量 B：提高电机力 C：减少线路功率损耗

D：减少电机启电流 E：提高电机功率

15．电桥外接电源高低产（ ）现象

A：损坏电阻 B：降低灵敏度 C：降低精确度 D：调零 E：读数准

16．关断晶闸管（ ）

A：切断控制极电压 B：断阳极电源 C：降低向阳极电压 D：给阳极加反向电压 E：减少控制极电流

17．三根电源作Y连接线电压与相电压（ ）倍且线电压超前相电压（ ）

A： B： C：60° D：30° E：90°

18．三相称性负载别采用三角形Y形接同电源则结论：（ ）

A：负载相电压：UΔ相=3UY相 B：线电流：IΔ相=3IY C：功率：PΔ=3PY D：相电流：IIΔ相= IY E：承受相电压相同

19．电力系统采用并联补偿电容器进行功补偿主要作用（ ）

A：提高功率数 B：提高设备力 C：降低功率损耗电能损失 D：改善电压质量 E：改善架空线路防雷性能

20．RLC串联弦交流电路XL=XC电路发谐振谐振特性（ ）

A：电容电压与电电压相等向相反 B：电路电流 C：电路阻抗

D：电路功功率0 E：电阻电压与外加电压相等向相反

21．单相变压器连接组测定（ ）

A：直流 B：电阻 C：交流 D：功率测量 E：交流电流

22．戴维南定理适用外部电路（ ）电路

A：线性 B：整流 C：放 D：非线性 E：饱

23．已知放电路三极管三管脚电位（1）0V（2）0.7V（3）6V该三极各管脚应电场（ ）

A：（1）基极 B：（2）基极 C：（1）发射极 D：（3）集电极 E：（3）发射极

24．三极管极限参数主要（ ）

A：集电极允许电流ICM B：集—射极击穿电压（基极路）UCEO C：集电极—基极反向饱电流ICBO

D：穿透电流ICEO E：集电极允许耗散功率PCN

25．放电路三种组态（ ）

A：共发射极放 B：共集电极放 C：饱 D：截止 E：共基极放

26．设三相弦交流电ia=Imsinωt则ib（ ）

A：ib=Imsin (ωt -120°) B：ib=Imsin (ωt +240°)

C：ib=Imsin (ωt -240°) D：ib=Imsin (ωt +120°) E：ib=Imsin (ωt ±0°)

27．三极管三种工作状态（ ）

A：路 B：放 C：截止 D：短路 E：饱

28．晶闸管阻断作用（ ）

A：向阻断 B：反向阻断 C：向偏置 D：反向偏置 E：门极偏置

29．提高功率数意义（ ）

A：充利用设备容量 B：提高供电质量 C：线路功率电压损耗减 D：节约经济支 E：节省线路投资

30．放电路三种组态（ ）

A：低频放器 B：共集极放器 C：共基极放器 D：极放器 E：共发射极放器

三、判断题：

1．功率数负载电路电压U与电流I相位差越功率数越（ ）

2．TTL集电路全称晶体管—晶体管逻辑集电路 （ ）

3．三极管发射结集电结都处于偏状态三极管定工作饱区（ ）

4． 晶体三极管放器消除湿度变化影响般采用固定偏置电路（ ）

5．控硅整流电路触发脉冲定能量要求脉搏冲电流太控硅导通 （ ）

6．两同频率弦量相位差叫相位差（ ）

7．并联电容器提高性负载本身功率数 （ ）

8．叠加原理能用严寒计算电压电流能用计算电路功率（ ）

9．晶闸管控制角越电压则越高 （ ）

10．某电气元件两端交流电压相位超前于流面电流则该元件容性 负载（ ）

11．晶闸管导通条件晶闸管加向电压门极加反向电压 （ ）

12．晶闸管具反向阻断能力（ ）

13．电元件电路消耗能量功负荷（ ）

14．所谓部电路欧姆定律其部电路指含电源电路（ ）

15．线圈磁通产应电势与磁通比（ ）

16．射极输器仅能作电压放器主要增加输入阻抗减低输阻抗（ ）

17．晶闸管触发电路脉冲前沿要陡前沿升间超100μs （ ）

18．单结晶体管具发射极、基极、集电极 （ ）

19．单结晶体管发射极电压高于谷点电压晶体管导通 （ ）

20．纯电负载功率数零纯电容负载功率数1

填空 1、变压器空载电流（功）（功量）较所变压器空载其功率数（低）并且（性） 2、做空载器空载试验便于选择仪表设备及保证试验安全般都(低压)侧接仪表电源使(高压)侧路 3、铁性能试验主要内容 已经替换掉< 测试(空载电流)(空载损耗) 4、三相异步电机安全绕组若采用单层绕组则总线圈数等于(总槽数半)若采用双层叠绕组则总线线圈数等(总槽数)每极每相含 Z1/ （ 2Pm) 线圈 5、变压器运行其总损耗随负载变化变化其(铁耗)变(铜耗)变化 6、随着负载变化变压器效率发变化(变损耗)等于(变损耗)其效率高 7、电焊变压器必须较高(电抗)且(调节) 其外特性应(陡降) 8、绝缘处理工艺主要包括（预烘 、浸漆干燥） 三程 9、异步电机做耐压试验电压升（半值）应逐渐升至全值般少于（10 秒）免受冲击电压影响保持（1）钟再降至（半值）切断电源 10 、交流控制电机（伺服电机、测速发电机自整角机）三类 11 、触点电磨损由触点间（电弧）或（电火）高温使触点金属气化蒸造机械磨损由于触点接触面（撞击）造 12 、交流接触器栅片灭弧原理由于触点铁质栅片（磁阻）电弧部磁通都进入（栅片）使电弧周围空气磁场布形式（疏密）电弧拉入灭弧栅电弧栅片割若干短弧使起弧电（高于）电源电压并产（阴极）效应栅片量吸收电弧（热量）所电弧熄灭 13 、触点压力（终压力） （初压力）触点终压力主要取决于触点（材料）与导体允许（温升）及电机（稳定性）触点压力于交流接触器般按终压力（65%~90%）调整直流接触器按终压力（60%~80%）调整 14 、电磁式断电器释放电压（电流）值取决于衔铁（吸终间隙）其（弹簧压力） 15 、三相绕组转异步电机用频敏变阻器起起程其等效电阻变化（）变（）其电流变化（）变（） 16 、同步电机起（辅助电机）起（调频）起（异步）起用（异步）起性 17 、自耦变压器具（抽）获同（变比）笼型电机采用自耦变压器起其起电流起转矩均按变比（平）倍降低种适用容量（较）能工作并接（ Y）形接（Y）-（Δ）起笼型电机 18 、绕线转异步电机应频敏变阻器起若刚起起转矩机械（冲击）起完毕稳定转速低短接冲击电流较铁间（增加）气隙 19 、桥式起重机放重物电机产电磁转矩重物力矩向（相反）电机串入电阻越重物降速度（越快） 20 、功率表量程包括（电流、电压功率） 三种 21 、使磁电测量机械能测量较电压般需测量机构线路（串接电阻）所测电压越（串接电阻阻值越） 22 、磁电仪表能用测量（直流电） 且使用要注意通电想用其测量（极性）必须配整流器组（交流电）仪表 23 、见负反馈四种组态（电压并联 、电压串联、电流串联电流并联） 24 、加二级管反向电压增定数值反向电流突增该反向电压值称（反向击穿电压）现象叫做（反向击穿）现象 25 、使晶闸管能够靠触发要求触发脉冲具定（幅度）（宽度）尤其带性负载脉冲具定（宽度）更重要 26 、变压器部截门补油使变压器底（脏物）冲入绕组内影响变压器（绝缘）（散热） 27 、判断导线接发热通（示温蜡片监视、用测温仪监视、色漆变化现象） 28 、电气设备工作保证安全技术措施（停电、验电、装设接线、悬挂标示牌及设置临遮栏、工作完恢复送电） 29 、电压互器停电应先断（关保护自装置）断（电压互器） 31 、零序电压接故障点（）故障点距保护安装处越近该处零序电压（越） 32 、瓦斯继电器装变压器（油箱）（油枕）间联接管道 33 、间继电器作用（延） 间继电器作用（转）（放）信号继电器作用（作指示）继电保护装置都采用（电磁）式结构 34 、电压继电器（电压）（欠电压） 两种般都采用（电磁）式与电流继电器同处于电压继电器（线圈匝数）且（线径） 35 、变压器故障（内部故障外部故障）两点 二、选择题 1、直流电机要实现反转需要调电柜电源极性其励磁电源极性（ A ） A、保持变 B、同调 C、变与变均 2、（ C ）由于电枢电源换向较容易同都设换向极 A、串励直流电机 B、直流测速电机 C、直流同服电机 D、交磁电机扩机 3、变压器绕组若采用交叠式放置绝缘便般靠近磁轭位置安放（ A ）
问答：
：用单臂电桥应注意些
二：二级管些参数参数意义
三：叫电压继电器与电磁继电器 同
四：接触器工作原理画自保线路
五：电气控制线路用环节些

H. Ryzen 1950X和1920X哪个好 AMD锐龙1920X与1950X区别对比

1950X好

I. 玩游戏的话，是1950x好还是8700好

如果光考虑游戏性能的话8700性能是略优于1950x(不论是性价比还是游戏性能)
不过如果有买1950x的钱来玩游戏那我更推荐买8700k而不是8700,8700k只比8700贵500左右(现在价格是这样子，以后不确定)，核心数和8700相同但是主频更高。
现在主流游戏对多线程优化并不好，一般只要那么几个线程(主要做运算的只有1~2个线程)，因此用来打游戏核心少频率高的8700k是最好的

J. 1950x和7900X哪个强

网络cpu天梯图，自己看应该1950X强一点。