5纳米芯片挖矿机

㈠ 5nm的芯片是什么意思

平时所讲5nm或者7nm说的是晶体管的宽度（也叫线宽）。

芯片最底层的器件就是mos管，特征尺寸越小，制造出的mos管越小，这代表芯片的集成度越高，进而成本降低。在芯片占据相同面积的条件下，集成越高的芯片能够塞入更多的功能电路。

同主频情况下，5nm比7nm制程节能30％；同功耗下，5nm的性能比7nm提升15％，功耗就直接体现在手机电池的待机时间上了。

芯片工艺从14nm到10nm再到最近的7nm和5nm，每一次制程的升级，都伴随着cpu的巨大升级。据计算，晶体管宽度每前进1nm性能将提升30％－60％，从而实现在体积不变的前提下，提升性能，降低能耗。

更先进的制造工艺会使处理器的核心面积进一步减小，也就是说在相同面积的晶圆上可以制造出更多的CPU产品，直接降低了CPU的产品成本，从而最终会降低CPU的销售价格使广大消费者得利。

(1)5纳米芯片挖矿机扩展阅读：

由于硅是由硅原子组成的，最小的晶体管也至少要比硅原子大，目前已知硅原子的直径大约是0．22nm，再考虑到原子之间的距离，理论极限至少是0．5nm，但目前没人可以达到。

而要让制程变得更先进，代价非常大，毕竟到纳米级别的晶体管，每精细一点点，需要的投入呈几何倍增长。

当达到10nm级别的制程时，越往下研究，难度越大，门槛越高，投入也越大，所以一些芯片代工厂就放弃了往下钻研了，毕竟目前80％以上的芯片都是10nm及以上工艺制程的。

㈡ 央视: 中国中微正式宣布掌握5nm刻蚀机技术!

当中国中微公司宣布已经掌握5nm刻蚀机技术并领先全球的时候，有不少国内自媒体再次站出来，义正言辞地宣布中国的芯片制造业已经领先全球，不惧美国、荷兰、德国、日本等高科技国家。

就5nm刻蚀机技术而言，中微确实已经步入世界领先水平，但绝没有像公众号鼓吹的那般“实现弯道超车”。其实芯片制造业的上下游供应商和制造商有很多，中微也仅是在这一个闭环中的一个环节上取得领先地位，但在芯片制造业的整体水平仍是落后状态。

荷兰ASML公司几乎垄断了全球的高端光刻机生产及供应，尤其是EUV光刻机，在2019年仅向全球供应了26台，其中近一半都被提供给了中国台湾的台积电。而中国大陆的中芯国际连续多年向ASML公司提出购买要约，并先期支付巨额交易费用，却迟迟等不到荷兰ASML方面发货的消息。

㈢ 我国的光刻机5纳米生产技术要多久才能突破

月初一条“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻火了，在很多无良自媒体的口中这则新闻完全变了味，给人的感觉像是中国不久将会拥有自己的5nm光刻机，其实真实情况完全不是一回事。下面我们就来谈谈这则新闻真实的内容到底是什么，以及中国光刻机5nm生产技术还要多久才能取得突破。

中国和荷兰ASML的差距最起码也在十年以上现在国内最好的光刻机生产企业应该是上海微电子，目前生产的最好光刻机也只是90nm的制程。尽管有传言说上海微电子明年将会推出28nm的全新光刻机，但是和ASML的EUV光刻机精度依旧相差甚远。中国想要生产5nm的光刻机有一个最大的难点，就是自主研发。这不光意味着我们需要跨越从28nm到5nm这个巨大的障碍，并且在突破的过程中最好不要使用其他国家的专利，只能发展出一条属于自己的光刻机道路。需要达成这么多的条件，研发的难度可想而知。总的来说短时间内我国的光刻机技术取得重大突破的概率为0，还是要被人牵着鼻子走。落后就要被挨打卡脖子在任何时候都是真理，只希望我们国家的科研人员能够迎头赶上，尽快取得突破吧。

㈣ 国产芯片订单量井喷，国产芯片现在处于什么水平

国产芯片现在处于什么水平:

中国的芯片制造技术在快速发展，同时存在工艺落后、产能不足、人才紧缺等问题。

目前发达国家的芯片工艺是要比国内的先进很多，而国内芯片发展也是屡屡受到阻碍，但这些都只是短暂的，同时还能刺激国产芯片的发展节奏，在未来不久的时间中，国产芯片会有着越发壮大，迟早会追赶上发达国家的脚步。

在区块链技术火爆的今天，矿机专用的芯片基本上已经被中国的产品所垄断。挖矿用的芯片起初只是普通电脑的CPU，后来是GPU、FPGA芯片，再后来中国的创业者通过把其中不必要的部件都减掉，造出来专门用来挖矿的芯片，把算力和能耗发挥到极致，再加上中国强大的基础制造体系，一举垄断了这个新兴的市场。

在传统芯片领域已经被巨头垄断的当今，一些面向专门的应用领域的芯片是中国未来实现弯道超车的重点，除了上面提到的手机芯片、矿机芯片，还有专门用于人工智能计算的AI芯片等等。

㈤ 为什么中国的5纳米刻蚀机不能突破华为的芯片压制eimkt

中国目前还没有生产出五纳米刻蚀机，而且华为芯片从设计到制造都需要国外的技术和设备，并不是只缺一台光刻机。

㈥ 5nm芯片是什么意思

5nm芯片是集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。

集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm，每mm可以达到一百万个晶体管。

这些年来，集成电路持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能，见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每1.5年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了，单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC也存在问题，主要是泄漏电流。

因此，对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图中有很好的描述。

㈦ 硅基芯片物理极限是七纳米，为何台积电却依然能做出五纳米的芯片

其实在各种芯片领域，所谓的物理极限都只是当时人们技术水平不够所导致的理论极限，就比如在若干年之前，当时研究硅基芯片的人难道会想到现在的硅基芯片能做成这样吗？时代是在进步的，人类的科技水平每日都在更新，硅基芯片的物理极限被不断被突破是一个非常正常的现象。

随着人类的工艺进程不断突破物理上的极限，人类的制造工艺也会达到一个又一个新的标准，不想被时代抛弃的话，只能不断的自我进步，芯片绝对是世界上一个经久不衰的领域，这个领域的突破是可以直接代表了人类在科技水平上的突破。