ltc晶元與lt晶元區別

A. 穩壓晶元 型號前綴 ams lm lt 是什麼意思

前綴一般表示廠家，如果AMS的就是AMS廠家，LM一般是NS的，LT就是凌特的

B. 和TTL集成電路相比，CMOS集成電路的主要優點是什麼

TTL集成電路使用TTL管，也就是PN結。功耗較大，驅動能力強，一般工作電壓+5V
CMOS集成電路使用MOS管，功耗小，工作電壓范圍很大，一般速度也低，但是技術在改進，這已經不是問題。
就TTL與CMOS電平來講，前者屬於雙極型數字集成電路，其輸入端與輸出端均為三極體，因此它的閥值電壓是<0.2V為輸出低電平；>3.4V為輸出高電平。
而CMOS電平就不同了，他的閥值電壓比TTL電平大很多。而串口的傳輸電壓都是以COMS電壓傳輸的。
1，TTL電平：
輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平
是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，雜訊容限是
0.4V。
2，CMOS電平：
1邏輯電平電壓接近於電源電壓，0邏輯電平接近於0V。而且具有很寬的雜訊容限。

3，電平轉換電路：
因為TTL和COMS的高低電平的值不一樣（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相連接時需
要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什麼高深的東西。哈哈

4，OC門，即集電極開路門電路，OD門，即漏極開路門電路，必須外界上拉電阻和電源才能
將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅
動門電路。

5，TTL和COMS電路比較：
1）TTL電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。
2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。
COMS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，晶元集越熱，這是正常
現象。

C. ltc1628cg什麼晶元

就是普通的哦！

D. TTL和CMOS電平在使用過程中有什麼本質的區別為什麼有的晶元是TTL而有的是CMOS，就一種不妥嗎

(一)TTL高電平3.6~5V，低電平0V~2.4V CMOS電平Vcc可達到12V
CMOS電路輸出高電平約為0.9Vcc，而輸出低電平約為0.1Vcc。
CMOS電路不使用的輸入端不能懸空，會造成邏輯混亂。EDA中國門戶網站 e q C9f Q
TTL電路不使用的輸入端懸空為高電平，另外，CMOS集成電路電源電壓可以在較大范圍內變化，因而對電源的要求不像TTL集成電路那樣嚴格。
用TTL電平他們就可以兼容

(二)TTL電平是5V，CMOS電平一般是12V。
因為TTL電路電源電壓是5V，CMOS電路電源電壓一般是12V。
5V的電平不能觸發CMOS電路，12V的電平會損壞TTL電路，因此不能互相兼容匹配。

(三)TTL電平標准
輸出 L： <0.8V ； H：>2.4V。
輸入 L： <1.2V ； H：>2.0V
TTL器件輸出低電平要小於0.8V，高電平要大於2.4V。輸入，低於1.2V就認為是0，高於2.0就認為是1。

CMOS電平：
輸出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc。
輸入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc.

一般單片機、DSP、FPGA他們之間管教能否直接相連. 一般情況下，同電壓的是可以的，不過最好是要好好查查技術手冊上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能夠匹配（VOL要小於VIL，VOH要大於VIH，是指一個連接當中的）。有些在一般應用中沒有問題，但是參數上就是有點不夠匹配，在某些情況下可能就不夠穩定，或者不同批次的器件就不能運行。

例如：74LS的器件的輸出，接入74HC的器件。在一般情況下都能好好運行，但是，在參數上卻是不匹配的，有些情況下就不能運行。

TTL與CMOS電平使用起來有什麼區別?

1. 電平的上限和下限定義不一樣，CMOS具有更大的抗噪區域或者稱更寬的雜訊容限。
同是5伏供電的話，TTL一般是1.7V和3.5V的樣子，CMOS一般是2.2V,2.9V的樣子，不準確，僅供參考。

2。電流驅動能力不一樣，TTL一般提供25毫安的驅動能力，而CMOS一般在10毫安左右。

3。需要的電流輸入大小也不一樣。TTL電路是電流控制器件，而CMOS電路是電壓控制器件;一般TTL需要2.5毫安左右，CMOS幾乎不需要電流輸入。

4。TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。
CMOS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。
CMOS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，晶元集越熱，這是正常現象。

5。很多器件都是兼容TTL和CMOS的，datasheet會有說明。如果不考慮速度和性能，一般器件可以互換。但是需要注意有時候負載效應可能引起電路工作不正常，因為有些TTL電路需要下一級的輸入阻抗作為負載才能正常工作。

E. 基帶晶元的區別

傳統的說，一個手機包括很多部分，學一件東西，首先我們從簡單入手，假設我所要了解的手機只有最基本的功能--打電話發簡訊，那麼這個手機應該包括以下幾個部分，①射頻部分，②基帶部分，③電源管理，④外設，⑤軟體。
從去年MTK颳起一陣旋風，大江南北70%的國產手機都是基於MTK平台的，MTK平台的6117，6119，6228，6305等一系列的晶元組代號紅遍手機行業，但它們之間是怎樣的聯系呢?有人誤解這些晶元組代號是MTK平台的代號，按照我的理解，61xx系列是射頻晶元組；62xx系列是基帶晶元組；63xx系列是電源管理晶元組，每一種MTK平台是這三種晶元組的組合，其中由於基帶晶元組的重要性更高，所以一般以基帶晶元組的代號來代指該MTK平台。
①射頻部分；一般是信息發送和接收的部分；
②基帶部分；一般是信息處理的部分；
③電源管理；一般是節電的部分，由於手機是能源有限的設備，所以電源管理十分重要，MTK做得好一個很大的原因就是電源管理做的好。
④外設；一般包括LCD，鍵盤，機殼等；
⑤軟體；一般包括系統，驅動，中間件，應用四大部分；
基帶晶元是整個手機的核心部分，這個就好比電腦的主機，其它都是外設。傳統的基帶晶元分為ABB和DBB兩個部分，BB是Baseband的縮寫，別想歪了，現在的網路小說太多，很多詞都有了特殊的含義，但其實，它們真的很朴實。A是ANALOG的縮寫，D是DIGITAL的縮寫。
為什麼會有ABB呢，因為基帶晶元不光處理數字信號，也有可能處理模擬信號，最常見的就是聲音的捕捉和合成轉換，不要幻想手機中的聲音是數字編碼的，早期的大哥大根本沒有那個處理能力。
DBB又是干什麼的呢?在手機行業中，有一個潛規則，定義雙晶元解決方案為smartphone，單晶元解決方案為feature phone，所謂的單雙晶元就是DBB的核心部分。一般情況這種核心晶元的價格不菲，低端手機為了節約成本，只內嵌一個MCU晶元，成本稍高的中高端手機額外內嵌一個DSP晶元。還有一些高端手機的DBB有三個晶元，一個ARM7的主管通信部分，一個ARM9的充當MCU負責應用，一個DSP專用晶元負責大計算編解碼的，隨著硬體成本在手機中的比重越來越低，三晶元的解決方案可能將會是主流。
MCU和DSP充當DBB的CPU是整個手機主機的靈魂，但這不意味著其他的就可要可不要，手機有串口，有紅外，有藍牙，有sim卡，有鍵盤，有內存，有LCD，有USB…基帶晶元上要支持這些東西，光說說是做不到的，有復雜的匯流排，石英鍾，附加安全晶元等等，也可能是基帶晶元上捆綁的附屬品。基帶晶元加上基本外設的成本通常也叫BOM成本。
手機終端中最重要的核心就是射頻晶元和基帶晶元。射頻晶元負責射頻收發、頻率合成、功率放大；基帶晶元負責信號處理和協議處理。
在TD-SCDMA終端發展中，處於產業鏈上游位置終端晶元方案的研發進展是推動TD產業商用化深入的關鍵。只有射頻收發和基帶晶元相互配合，才能共同完成中國3G晶元產業鏈的完整布局。
但射頻晶元跟基帶晶元相比，中國廠商的力量明顯薄弱。從廠商數量和融資規模來看就可見一斑。
射頻晶元簡單的說就是接收信號和發送信號。我們的手機接打電話和接收簡訊時主管與基站通信的部分。
射頻原理，全天下的都差不多一樣，兩條通道，一條發射，一條接收，但只有一根天線，一般是由一個開關(switch)來切換接收和發送的狀態。有人要問，何時切換?我打電話的時候既接收信號又發送信號，怎麼沒有感覺到切換呀!，這個開關切換速度非常快，就好比我們平時在電腦上可以同時下載和上傳多個文件而感覺不出來是通過一根網線做到的一樣。
我們的手機是數字手機，所以要處理的都是數字信號，而射頻發射的都是模擬信號，所以這個有一個數模轉換的過程，數模轉換的部分可能被包含在基帶晶元中也可能被包含在射頻晶元中。MTK平台的就包含在基帶晶元中。
數字信號轉換成模擬信號後信號非常的弱，不足以發送給基站，所以一般射頻晶元中都有一個PA功放，功放顧名思義就是將功率放大，功率放大的代價就是電源消耗嚴重，所以我們打電話的時候特別的消耗電，那一般不打電話時也有信號發送給基站啊，要不手機上的信號怎麼忽強忽弱的，對的，但是沒有電話時射頻信號一般發送的周期特長，比通話時信號發送的頻率要低的多，所以這時不太耗電。
發送的通道要比接收的多一個振盪器，為啥要多個振盪器呢?我們都知道目前世界上有850MHz/900MHz/1800MHz/1900MHz四個GSM手機頻段，這個頻段是啥意思?以900MHz為例，就是一秒鍾傳輸9億個信號，換句話說每傳輸一個信號的時間間隔是9億分之一秒，那麼這個時間間隔由誰來把關呢?就是由這個振盪器，這個振盪器的震盪頻率就是採用的頻段標准。
於是我們理理思路；
發射端；
數字信號-->DAC(數模轉換)-->混頻器(與振盪器混合)-->發射功放-->發射
接收端；
數字信號<--ADC(模數轉換)<--濾波器<--接收功放<--接收
下劃線的部分為MTK平台射頻晶元集成的功能，這就是一個射頻原理框架，是不是所有的射頻都一樣?只除了振盪頻率不一樣。
其實不是的，現在只是在硬體層面，在軟體層面每個手機射頻晶元中還有射頻協議棧，GSM的是GSM協議棧，CDMA的是CDMA協議棧，WCDMA的是WCDMA協議棧，每個都不一樣，傳說中的ttpcom公司就是依靠著GSM協議棧發家的，這個所謂的協議棧有點象我們的ip協議，定義了一系列的傳輸規則，所以兩部手機通信不僅是因為他們的頻率相同，也因為他們使用相同的協議棧。
在寫windows編程時，盡管我們不曉得網卡如何傳輸數據，但我們只需要根據編程定義中的socket使用方法來寫程序，我們就能夠寫網路應用，同樣道理，我們只要知道GSM協議如何傳輸信息，那麼我們就可以將信息通過射頻傳輸出去，這個類似socket的方法就是我們所謂的AT命令，射頻晶元數模轉換後的信號就是AT命令，有了AT命令就有了可以識別的數字信號，手機可以做相應處理，所以手機上的數據業務豐富都是多虧了AT命令的出現。
所以，簡單的說，射頻晶元就是起到一個發射機和接收機的作用。

F. LT1541和LTC1541是同一個晶元嗎

概覽
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演示電路板
電路
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技術支持
LTC1541 - 微功率運算放大器、比較器和基準

特點

靜態電流：5µA (典型值)
軌至軌輸出擺幅
低的運放失調電壓：700µV (最大值)
基準輸出可驅動 0.01µF 電容器
內部 1.2V ±0.4% 基準輸出 (LTC1541)
低輸入偏置電流：1nA (最大值)
基準輸出能提供高達 2mA 電流
內部 ±2.25mV 比較器遲滯
比較器和運放輸入范圍包括地電位
運放能夠驅動高達 1000pF 負載
具有穩定的單位增益和 12kHz 帶寬
2.5V 至 12.6V 電源電壓范圍
MAX951 / MAX953 的引腳兼容型升級產品
採用 3mm x 3mm x 0.8mm DFN 封裝

典型應用

LTC1541 Typical Application
LTC1541 Typical Application
描述

LTC®1541 / LTC1542 將一個微功率放大器、比較器和帶隙基準 (LTC1541) 整合在一個 8 引腳封裝中。該器件依靠 2.5V 至 12.6V 單電源或 ±1.25V 至 ±6.3V 雙電源供電運作，並具有一個 5µA 的典型電源電流。運放和比較器均具有一個從負電源擴展至正電源之 1.3V 以內的共模輸入電壓范圍。運放輸出級具有軌至軌輸出擺幅。比較器的負輸入在內部連接至基準輸出 (LTC1541)。

基準輸出電壓在擴展溫度范圍內為 1.2V ±1%。輸出能夠驅動一個高達 0.01µF 的旁路電容器，並不會產生任何振盪。另外，它還能供應高達 2mA 和吸收高達 20µA 的電流。

運放在內部進行補償，以實現穩定的單位增益以及在 12kHz 的典型 GBW 和 8V/ms 的擺率。比較器具有 ±2.25mV 的內部遲滯以確保干凈的輸出開關切換，即使在採用緩慢移動的輸入信號時也不例外。

LTC1541 / LTC1542 採用 MSOP 和 SO-8 封裝。對於空間受限的應用，LTC1541 / LTC1542 可提供 3mm x 3mm 扁平 (僅高 0.8mm) 雙側引腳細間距無引線封裝 (DFN)。

應用

電池或太陽能供電型系統
汽車無鑰匙進入
低頻、局域報警 / 探測器
用於遙控的紅外接收器
煙霧探測器和安全感測器
GSM 攜帶型電話

G. LTBFC是什麼晶元

LTBFC是塊級格式化范圍晶元。

在BFC比特未來的生態中，礦工和礦池可能因參與門檻低、風險低等優勢加入至BFC網路中，這將增加BFC網路節點數量。

增加持幣者人數，而持幣者人數增加將會增加BFC的需求量，從而促使BFC市場價格提升，當BFC市場價格提升後會讓礦工和礦池更加看好BFC，並增加投入購買礦機，進一步擴大BFC網路，形成良性循環。

分類：

集成電路的分類方法很多，依照電路屬模擬或數字，可以分為：模擬集成電路、數字集成電路和混合信號集成電路（模擬和數字在一個晶元上）。

數字集成電路可以包含任何東西，在幾平方毫米上有從幾千到百萬的邏輯門、觸發器、多任務器和其他電路。這些電路的小尺寸使得與板級集成相比，有更高速度，更低功耗（參見低功耗設計）並降低了製造成本。

模擬集成電路有，例如感測器、電源控制電路和運放，處理模擬信號。完成放大、濾波、解調、混頻的功能等。通過使用專家所設計、具有良好特性的模擬集成電路，減輕了電路設計師的重擔，不需凡事再由基礎的一個個晶體管處設計起。

H. LED燈珠和LED晶元有什麼區別

1、兩者的光線集中度不同，射程也不同：

LED燈珠的角度做的非常小，屬於光線比較集中，射程的很遠，但是照射范圍有限;而LED貼片的一般角度做的都很大，屬於光線比較散亂，照射范圍廣，但是射程比較近。

2、採用的發光方式不同：

LED燈珠是採用放電放光，而LED貼片採用於冷性發光。

3、優缺點不同：

LED燈珠：對於led燈珠，led燈珠外形經歷了直插、貼片，隨著技術進步，順理成章地出現了將多個led發光晶元，高度集成直接封裝在基板上(電路、散熱一體設計)，形成結構緊湊、大功率、超大功率led發光元件，這就是「COB」(看似一個燈珠，實際上是一組燈珠)。

LED晶元：集成LED一般是市場上對COB光源的一種別稱，但實際上並不能將COB光源的特點描述清楚。COB指Chip-On-Board，將小功率晶元直接封裝到鋁基板上快速散熱，晶元面積小，散熱效率高、驅動電流小。因而具有低熱阻、高熱導的高散熱性。

相比普通SMD小功率光源特點：亮度更高，熱阻小(<6℃/W)，光衰更小，顯指更高，光斑完美，壽命長。

4、成本不同：

從產品成本角度講，大功率的LED燈珠成本要高於小功率的成本，一是大功率LED本身的造價要高，二是大功率的LED要加鋁散熱片，而小功率只要用普通電路板，加上自然散熱就可達到要求。

I. multisim 11中的TTL和CMOS晶元每種都有D和N兩種類型，他們有什麼區別呢比如74LS85N和74LS85D~

N是雙列直插的封裝，D是貼片封裝。從邏輯功能上，兩者沒有區別；在電氣性能上可能略有差別（不同廠家，不同型號定）。