btc210r性能參數

⑴ BTC8210的技術參數

1、額定電壓：220V
2、光 源
額定功率：400W
光通量：38000LM
使用壽命：20000h
3、引入電纜：φ8.5mm
4、距高比：1.5
5、外形尺寸：φ338mm
長 度：456mm
總高度：523mm
6、燈具重量：13.8KG
鎮流器：4.5KG

⑵ BTC210R牌號鋼板相當於什麼材料

這個是寶鋼的搪瓷鋼沒什麼能代替

⑶ 如何看懂輪胎參數

輪胎規格表示實例
輪胎規格為195/65R15 91V，其中195表示輪胎的寬度為195mm；65表示輪胎的斷面高度與寬度的百分比為65%，即輪胎的扁平比；「R」代表單詞RADIAL，表示是子午輪胎；15表示輪輞的直徑為15英寸；91表示負荷指數；V則表示輪胎的許用車速等級。

輪胎規格表示含義
國際標準的輪胎規格，一般由六部分組成，「輪胎寬度（mm）+輪胎斷面的扁平比（%）+輪胎類型代號+輪輞直徑（英寸）+負荷指數+許用車速代號」。輪胎寬度、輪輞直徑及扁平比如上圖所示，其中扁平比為胎厚與胎寬的百分比。
輪胎寬度，是影響整車油耗表現的一個因素。輪胎的越寬，與地的接觸面積越大，相應的就增加了輪胎與地面的摩擦力，車輛的動能轉化為摩擦熱能而損失的能量會增加，如若行駛相同距離時寬胎就更容易耗油。不過事物都有它的兩面性，雖然油耗增加，但寬胎的抓地力要更強，進而也將獲得更好的車身穩定性。
扁平比，是影響車輛對路面的反應靈敏度的主要因素。扁平比越低的車輛，胎壁越薄，且輪胎承受的壓力亦越大，其對路面的反應非常靈敏，從而能夠迅速把路面的信號傳遞給駕駛者，更便於操控，多見於一些以性能操控見長的車型。扁平比越高，胎壁越厚，雖然擁有充裕的緩沖厚度，但對路面的感覺較差，特別是轉彎時會相對更為拖沓，多見於一些以舒適性見長的車型。還有就是越野車的扁平比一般較高，主要是為了適應環境惡劣的路況。
輪胎類型代號，常見的表示有「X」高壓胎，「R」、「Z」子午胎，「一」低壓胎。市場上的轎車一般採用子午線輪胎，且目前已經實現了子午線輪胎無內胎，俗稱「原子胎」。這種輪胎在高速行駛中不易聚熱，當輪胎受到釘子或尖銳物穿破後，漏氣緩慢，可繼續行駛一段距離。另外，原子胎還有簡化生產工藝，減輕重量，節約原料等好處。
負荷指數是把一條輪胎所能承受的最大負荷以代號的形式表示，來表徵輪胎承受負荷的能力，數值越大，輪胎所能承受的負荷也越大。負荷指數及對應承載質量列表如下。
許用車速表示對車輛速度的極限限制，超過可能引起爆胎，速度級別越高，輪胎設計及對材料的要求也就越高。

⑷ 世界頂級跑車的參數標准有哪些

流線型的外形 靚麗的外觀 巨大的發動機 動人的發動機聲浪 低低的底盤 人幾乎躺在駕駛室里 駕駛室很小 這些都具備了絕對就是跑車了

⑸ 內存的參數2-2-2-4里的數字各代表什麼意思

不同品牌的不相同:
你可參考如下資料吧:

從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SPDinfo這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM內存標注格式

（1）1.0---1.2版本

這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1.2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

（2）1.2b+版本

其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式

威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。

PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式

其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。

4、RDRAM 內存標注格式

其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。

5、各廠商內存晶元編號

內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存晶元上的編號。內存條上一般有多顆內存晶元，內存晶元因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。

由於韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存晶元質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，因此我們就先來看看它們的內存晶元編號。

（1）HYUNDAI（現代）

現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。

（3）Kingmax(勝創)

Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。

Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。

KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵風金條)

金邦金條分為'金、紅、綠、銀、藍'五種內存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。

金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13
FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V
Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。

三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用'S'後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2
[15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64M/4K (15.6μS)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示產品類型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封裝，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖MICRON PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表處理工藝（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF設備號碼（深度*寬度），無字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代錶速度，分成以下四類：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）時鍾率 @ CL=2.5
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（時鍾率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含義
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ

（7）其它內存晶元編號

NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表BANK數（3或4代表4個BANK，在16位和32位時代表2個BANK；2代表2個BANK）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個BANK和LVTTL，3代表4個BANK和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS較10慢，TAC為7，不完全符合PC100規范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。

SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB為容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66規格〕）。

TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10
[15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64M/4K (15.6μS)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示產品類型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封裝，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖MICRON PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表處理工藝（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF設備號碼（深度*寬度），無字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代錶速度，分成以下四類：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）時鍾率 @ CL=2.5
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（時鍾率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含義
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ

（7）其它內存晶元編號

NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表BANK數（3或4代表4個BANK，在16位和32位時代表2個BANK；2代表2個BANK）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個BANK和LVTTL，3代表4個BANK和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS較10慢，TAC為7，不完全符合PC100規范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。

SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB為容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66規格〕）。

TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

⑹ 豐宇數控車床參數表

◆採用30°整體斜置式床身結構，剛性好，樹脂砂鑄造，時效處理，精度及精度保持性較好。
◆全自動化內藏式液壓尾座，精度高，穩定性好、效率高、結構簡單化，工作安全性提高，搭配安全穩定液壓系統，嚴謹的設計安裝，保證高的機床契合度。
◆整體式全封閉防護，堅固耐用，運動平穩，噪音小，在防水、防油、防塵及安全性能上大大優於同類產品。
◆一體式電機座與滑板設計，強度好，減少裝配精度誤差，保證機床精度。
◆選配的自動排屑器採用一體式流行造型，美觀大方，排屑順暢，體積小、效能高運輸平穩，安全可靠、噪音小，具有過載保護等特性。
機床數據\型號單位FDL-46KTFDL-52KTFDL-68KT加工范圍床身最大回轉直徑mm460500500最大加工直徑mm400450450托板上最大回轉直徑mmΦ170φ210Φ210最大加工長度mm350500450兩頂尖距離370550520主軸參數主軸端部形式A2-5A2-6A2-8夾頭方式6寸卡盤or筒夾8寸卡盤or筒夾10寸卡盤or筒夾主軸通孔直徑φ/mm566686最大棒料通過直徑φ/mm465668主軸轉速范圍r/min500045002600主電機功率Kw7.51115X/Z軸參數X/Z軸行程m/min210/400225/610225/610X/Z軸快移速度m/min25/2525/2525/25X/Z軸重復定位精度mm±0.003±0.003±0.003X/Z軸定位精度mm±0.002±0.002±0.002X軸伺服電機功率kw2.43.03.9Z軸伺服電機功率kw2.43.03.9刀塔刀架形式T8/12（選配）8/12（選配）8/12（選配）方刀/鏜刀尺寸mm25*25/φ3225*25/φ4025*25/φ40尾座尾座套筒直徑mmΦ65φ80Φ100尾座套筒行程mm80/12080/15080/150尾座最大行程mm300450450尾座形式液壓液壓液壓尾座套筒錐度莫式4號 MT4莫式4號 MT4莫式5號 MT5其他液壓電機功率kw1.52.22.2水泵電機功率kw0.30.450.45機床重量KG365048505500床身形式及斜度度整體式/30°整體式/30°整體式/30°機床尺寸（長*寬*高）mm2600*1700*19503100*1800*19503200*1900*2050
備註：本公司機床不斷進行研發改良，如有外觀及技術參數僅供參考，實際外觀技術參數均以訂貨為准。

⑺ 輪胎上的參數都代表什麼

110表示的是輪胎的最大負荷為1060千克。W表示的是輪胎的速度級別為270KM／H。

國際標準的輪胎代號，以毫米為單位表示斷面寬度和扁平比的百分數。後面加上：輪胎類型代號，輪輞直徑（英寸），負荷指數（許用承載質量代號），許用車速代號。

例如185／75R1577H代表的含義：

185代表輪胎寬度是185MM。

75表示輪胎斷面的扁平比是75％，即斷面高度是寬度的75％。

R代表的是子午線輪胎。

15代表的輪輞直徑是15英寸。

77代表的負荷指數。

車輛輪胎參數規定：

我國國家規定，輪胎兩側除標明輪胎規格外，還應標明生產廠家的商標、水平度、最大負載及相應的壓力、生產編號等。為了便於胎兒臍帶的識別，在胎兒側面也標注了漢語拼音。

如M（或無字）表示棉子午線輪胎，R表示人造絲子午線輪胎，N表示尼龍子午線輪胎，Z表示子午線輪胎，G表示鋼絲子午線輪胎，ZG表示鋼絲子午線輪胎等。

如今，汽車輪胎進一步向平坦方向發展，而平坦率是高／寬比［（H／B）X100］從60～80趨於50～70，多用途50、55、60、65、70，少數汽車已採用40、45等規格。

美國最新的輪胎系列是以「扁平比」為基礎的「字母數字」標記。例如某輪胎標有F78－14，其中F表示該輪胎的承載能力。

第一個數字是指H／BX100的「平坦率」，78是指輪胎高度為寬度的78％，值越低，輪胎段越平坦；第二個數字14表示輪輞直徑為14英寸。

載重量單位為kg，表示載重量的字母如下：A－410、B－445、C－480、D－510、E－540、F－580、G－620、H－685、I－715、K－735、L－760、M－810、N－850、V－295、W－320、Y－350、Z－375。

⑻ 輪胎規格參數解釋

國際標準的輪胎規格：

以毫米為單位，各標識分別表述輪胎寬度、扁平比、輪胎種類、輪輞直徑、載重指數、速度級別。

例如一條輪胎的規格為例：245/55/R18 91V，具體意思是：

245——輪胎寬度為245毫米；

55——指的是輪胎扁平比，即斷面高度是寬度的55%；一般來說，扁平比越小就意味著操控性越強，也就是所謂的「路感」，但減震效果就會相對變差；

R——該輪胎為子午胎；

18——是輪輞直徑是18英寸；

91——指的是負荷指數91，代表這條輪胎最大可承重615公斤，四條輪胎就是615×4=2460公斤；

V——指的是許用車速代號，允許的最大速度級別為240公里/小時。還有很多其他級別，比如T、U、H，分別代指的是190公里/小時、200公里/小時、210公里/小時。最大速度越高，表示這個輪胎運動性能越好。

(8)btc210r性能參數擴展閱讀：

用車竅門，怎麼檢查輪胎：

1、檢查氣壓

輪胎氣壓不合適，會影響車輛特別是在濕地環境下的操縱和制動能力，嚴重危及您的安全。輪胎嚴重充氣不足，會導致熱量迅速集聚，最終引起胎壓突然流失。每月及每次長途旅行前檢查輪胎的氣壓。

2、遵守負載能力

不要超出與輪胎負載指數相聯系的負載能力。當輪胎負載超過其最大負載時會產生大量熱能，最終可能導致輪胎損壞。

3、查看磨損標記

輪胎上在胎面溝槽底的部位，會設置一個磨損標記，這是一個判斷輪胎磨損程度的重要標准。看清楚，如果輪胎的花紋高度已經很接近這個磨損標記，就表示花紋的深度已經很低，這時會影響排水等性能，表示該要換輪胎了。

4、是否出現裂縫或鼓包

平時在開車過程中，通常會遇到各種不同的情況，比如走過非鋪裝路面、撞過路沿，甚至是走過亂石路面等。不管是多麼貴或性能多麼好的輪胎，都有可能遇到破損情況，例如出現裂縫，又或者有一個地方鼓起來——鼓包。春節前檢查一下，一發現有這種情況，或者橡膠缺失、胎側磨損嚴重等情況，不要吝嗇，該換就馬上換吧。

5、使用年限

輪胎畢竟是由橡膠做的，就算是放著不用也會存在老化現象，因此還有一個使用年限問題。如果輪胎老化嚴重，就會出現橡膠硬化，導致胎面變形。不過，目前並沒有一個絕對官方的輪胎使用年限，大家可以通過官方使用說明書來進行檢查。目前一般的說法，輪胎的使用年限通常在5年左右。

⑼ 超級跑車的參數

只要不是概念車 限量版本 的 或者沒有限制上路的在 4S 店都能通過訂購買到，像恩佐什麼的樓主你就別想了除了一輛在法拉利博物館能看到其餘的 399輛早被人收藏了 很難看到了