btc80f050

A. 減速機有哪幾種型號

有NMRV蝸輪蝸桿減速機、R系列減速機、F系列減速機、K系列減速機、S系列減速機、TKM雙曲面減速機、TRC硬齒面減速機、HG直交軸減速機、齒輪減速電機、行星減速機這幾種型號。

B. BTC鍵盤鍵位沖突怎麼解決

這個是薄膜鍵盤本身線路決定的 必須要換鍵盤可以實現
可以選擇無沖突的鍵盤
比如steel的7g
filco n-key
cherry 2100 3494 5000

C. 蜜蜂BTC礦機調試教程

摘要 很高興能夠回答你的問題。

D. btccom礦池怎麼樣

BTC.com 礦池（Pool.BTC.com）是目前最優秀的SHA256演算法幣種礦池.理由如下：
--最高BTC算力礦池：BTC.com礦池BTC算力由2018年6月的400P左右到2018年5月30日曾突破9000P，在不到一年的時間里，算力翻了20倍不止。
--技術大牛帶隊，實力超群，性能穩定.
--多種輔助工具實現挖礦管理便利性（礦池app+批量管理工具）、提高挖礦效率（智能代理+VIP伺服器+多節點全球布局）
--全網最好的無廣告客戶群通過QQ、微信、Telegram等多種渠道直接對話客戶，最專業的運營人員全天16個小時以上解答用戶在挖礦中遇到的各種問題。
--最優秀的收益分配模式：FPPS
--最科學的工作量統計方法，對每個share對應其挖礦難度進行記錄統計，公平。
--最全周邊工廠，全年製作各類精美有趣的周邊產品，不定期發向礦工群體。
--目前支持SHA256系列如BTC、BCH、UBTC等多幣種挖礦，且支持一鍵切換至目標幣種。
--據悉其他演算法幣種也將逐步上線。
拓展資料：以太幣礦池怎麼選？
選擇礦池。首先就要了解礦池的分配模式。現在礦池的收益分配模式有：PPS、PPLNS、PPS+、FPPS等。具體各種模式結束在這里就不做說明了，大家可以在網上查到。
那麼，對於挖以太坊ETH的人來說，常見的分配模式是PPS和PPLNS分配模式。如果是追求短期高回報，要求立竿見影的效果，那可以考慮PPS分配模式的礦池，通過貢獻自己的算力來獲取收益，但是一般需要支付較高的手續費，通常會有3%-5%的手續費，礦池扣除手續費之後剩下的才是你的收益。
二. 礦池的存在對比特幣來講有哪些利弊？
礦池的存在降低了比特幣等虛擬數字貨幣開採的難度，降低了開採的門檻，真正實現了人人都能參與的比特幣開采理念。但是，它的弊端也非常明顯，因為算力與礦池相連，而且作為礦池，它將掌握極其龐大的算力資源。在比特幣世界，算力代表記賬權，算力代表一切。如果單家的算力礦達到50%以上，就很容易對比特幣等類似的虛擬數字貨幣發動51%的攻擊，後果是可怕的：
1、對采礦權的壟斷會使剩餘49% 算力的礦池顆粒無收最終導致退出競爭，瞬間破產。礦井池的算力超過50%。如果發動51%的攻擊，很容易占據整個網路的所有有效算力。
2、對記賬權的壟斷，通過51%攻擊的雙重支付，一筆錢的多次使用，將直接破壞比特幣的信用體系等。並使其信用消失。
3、分配權壟斷。因為單家的礦池(或者幾個礦池的聯盟)通過51%的攻擊占據了整個網路的算力，剩下的礦池可以很快被擠出來關閉。因為沒有競爭，礦池可以分配自己的收入，向礦工收取沉重的費用和稅款。

E. 為什麼Blockchain上的余額和我的錢包里的余額不一致求大神幫助

錢包余額和地址余額是不同概念，兩者有時相等，有時不等，是找零機制導致的，差的那8btc肯定在找零的地址上了，這個地址只存在錢包中，不在客戶端顯示的。你的余額還是68.89214424不會少。 查看原帖>>

F. 請問內存晶元上面的序列號是什麼意思

朋友：
內存序列號
(ZT)

從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SiSoft Sandra2001這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。
內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM內存標注格式
（1）1.0---1.2版本
這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1。2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

（2）1.2b+版本
其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式
威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。
PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式
其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。

4、RDRAM 內存標注格式
其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。

5、各廠商內存晶元編號
內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存晶元上的編號。內存條上一般有多顆內存晶元，內存晶元因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。
由於韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存晶元質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，先來看看它們的內存晶元編號。

（1）HYUNDAI（現代）
現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代
表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改
換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。

（2）LGS〔LG Semicon〕
LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。
LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕 ，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。

（3）Kingmax(勝創)
Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。

Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的
Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。

KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAXPC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵風金條)
金邦金條分為"金、紅、綠、銀、藍"五種內存條，各種金邦金
條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。
金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 =128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針，2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標
識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] =256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 =16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。
三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三
星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 =x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 =7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100MHz @ CAS值為2、L=100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用"S"後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是
10ns(100 MHz)。
三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4=4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =
256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K
[15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 =128m/16K[7.8μs]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針
TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns,166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns,133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64m/4K
(15.6μs)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP II，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示產品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中MT代表Micron的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設備號碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型
FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代錶速度，分成以下四類：
（A）、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）時鍾率 @ CL=2.5，-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）、Rambus（時鍾率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含義-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）、DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它內存晶元編號
NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表Bank數（3或4代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；2代表2個Bank）；1代表LVTTL（如為16
位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，3代表4個Bank和LVTTL）；G5為TSOPII封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。
HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOII封裝；B60代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。
SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66規格〕）。
TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPII封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。
IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit晶元中，260和360在CL=3時的標定速度為：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

G. 挖礦魚池怎樣查BTC交易記錄

摘要 訪問 F2Pool官網（https://www.f2pool.com） ，在頁面右上角「登入」右邊，點擊「搜索」圖標（如果在手機端：訪問https://www.f2pool.com後，在頁面右上角，點擊下拉菜單），輸入您的錢包地址，並選擇您所挖幣種，點擊「查看」（英文界面為「Go」）即可查詢礦機運行狀態，和挖礦收益情況。

H. btc鍵盤所有F鍵都不好使,怎麼辦

鍵位沖突!

換鍵位.不過有的鍵盤再怎麼換還是沖突的,只有換鍵盤了,這是一點辦法也沒有的.
建議不要買很高級的鍵盤,通常越高級就越容易沖突,特別別買微軟的,必鎖!

附:以下是資料
什麼是鍵位沖突

首先我們還是了解一下什麼叫做鍵位沖突吧，鍵位沖突是至今一個成品鍵盤無法迴避的問題。簡單的舉個例子，當我們在電腦操作中同時按下Ctrl＋Alt＋Del的時候，電腦只識別按下了Ctrl＋Alt，而是別不了DEL，這個就叫做鍵位沖突。當然這個問題是不可能發生的，符合WINDOWS標準的鍵盤，其他鍵位是否能夠正常的識別組合不重要，重要的是這三個組合必須要沒有鍵位沖突才可以出廠，不然不能重啟動的鍵盤誰會要哦。

對於鍵位沖突我們是這么定義的：當在操作鍵盤的過程中，同時按下兩到三個鍵的時候，鍵盤卻只能正確的識別前兩個鍵，對第三或者第四個按鍵完全沒有響應。然而這些問題往往都存在與游戲當中，而對於WINDOWS的組合快捷鍵是不太可能存在沖突的。

對於鍵位沖突一般大家的心態分為兩種，一種根本不關注鍵位沖突，甚至根本不了解，比如他在玩KOF的時候，發現對手可以通過鍵盤操作放出XX必殺技，可是自己怎麼嫻熟的操作都不能完成這個動作，這個時候悔之晚矣。

而另一種則是非常痴迷於游戲的超級發燒FANS，他們一直在苦苦尋找「沒有鍵位沖突」的游戲極品，如同武林高手瘋狂的找尋武功秘技一樣。由於偏好的關系他們對鍵位沖突的核心問題並沒有非常清楚的了解，以至於稀里糊塗的找尋自己烏托邦式的夢想。

我們都清楚，現在的鍵盤技術採用的是非編碼的薄膜接觸式結構，這樣的構造是任何一個按鍵都有上下兩層薄膜的觸點，我們將鍵盤拆開後，就會發現在任何一層薄膜上，導線數都遠少於按鍵數，而且每一條導線都同時連通多個按鍵的觸點，而且，上層和下層的任何兩條導線都最多隻在一個按鍵上重合。也就是說，上層的1號導線可能會同時經過1、2、3、4、5等鍵，而下層的1號導線可能同時經過1、Q、A、Z等按鍵，且兩條導線只在1鍵上重合。

這樣，根據上層薄膜和下層薄膜所經過的按鍵，就可以排出一個類似下面的表格：

上層導線 1
上層導線 2
上層導線 3
上層導線 4
上層導線 5
……

下層導線 1
1
2
3
4
5
……

下層導線 2
Q
W
E
R
T
……

下層導線 3
A
S
D
F
G
……

下層導線 4
Z
X
C
V
B
……

……
……
……
……
……
……
……

沒一個鍵盤的處理晶元中都會有類似這樣原理的一張表，而設計者為了減少鍵位沖突也是都絞盡腦汁的去修改鍵盤的線路排列和資料表格，盡量讓常用的游戲，快捷鍵不互相沖突，但這是使盡可能的減少，絕對不是完全消除。現在大家理解為什麼我們用熱啟動的Ctrl－Alt－Del不會出現沖突？四個方向按鍵不會沖突的原因了吧？人而人算不如天算，就偏偏會有一些鍵盤撞到了游戲的槍眼上，這樣就導致了鍵位沖突。所以說沒有鍵位沖突的鍵盤在現在的鍵盤設計中是不可能存在的，如果有廠家宣傳他的鍵盤（至今來說）沒有鍵位沖突，如果不是反樸歸真，就是相當的荒謬的。

總結：

1．如這一段中所說，鍵盤的鍵位沖突是根據設計者設計晶元數據的巧妙性所掛鉤的，也就是說鍵盤在使用不相同型號，品牌的集成塊（也算是鍵盤的CPU了）時，鍵位所沖突的地方也不會完全一樣。

2．對於非編碼結構的鍵盤來說不不存在鍵位沖突是絕對的不可能。其中解決辦法只能是游戲廠商，鍵盤製造商，相互協調，盡量避免鍵位沖突的出現。所以前面說那種狂熱游戲FANS的想法是比較烏托邦的。

選擇「沒有鍵位沖突」的鍵盤

大家一定覺得奇怪，為什麼我之前說現在的鍵盤不可能迴避鍵位沖突，現在又說可以找到「沒有鍵位沖突」的鍵盤呢？這個不是自相矛盾么？其實我的這個說法是相對的同時也幫助大家更好的正視「鍵位沖突」，做到取其精華，去其糟粕。與DIY一樣，合適就是最好的。雖然如此，但是這部分不會和以往的鍵盤選購文章相同（具體看到後面就知道拉），我所告訴大家的是如何選擇稱心如意的鍵盤，也就是不會影響到自己日常習慣，游戲愛好的鍵盤。

我們通常都喜歡在電腦城購物，但是大家都知道，電腦城購買產品雖然可以當場試試有沒有大問題出現。但絕對不會讓你當場玩游戲進行測試吧？就算你說你買了鍵盤要玩玩游戲，商家也都會覺得你比較奇怪。如果剛巧碰上了商家的電腦里沒有你需要的游戲怎麼辦？難道現場安裝么？

我現在給大家介紹一款測試鍵盤的軟體，它不光能測試鍵盤是否有鍵位沖突，同時還可以檢測到鍵盤每個鍵的靈敏程度，它是由PassMark軟體公司所出品的一款鍵盤測試軟體Keyborad Test，這款軟體界面相當的簡潔直觀，並且體積相當的小巧只有1M不到。大家也不用操心移動問題了，就是磁碟也都容納的下。但是唯一不爽的是，它是一款共享軟體。

下載地址是：http://www.passmark.com/ftp/keytest.exe

開啟這個軟體之後，跳過一個注冊頁面，軟體的界面就顯示出來了。我們測試鍵盤的時候，按下需要測試的按鍵，不管你按幾個。如果這個按鍵有反映則會變成紅色，使用過的鍵被標為綠色也就是圖中的A區域，而圖中的B區域則是以文字的方式顯示你按下去的按鍵所反映出來的字母。這個軟體還有一個比較實用的功能，就是測試鍵盤理論平均可以打字的數量（半形英文）也就是C區域的地方拉。通過這個軟體鍵盤有什麼缺陷我們可以一覽無遺。

鍵位沖突較小的鍵盤

其實這一段本不想寫，因為需要得罪國內的一些廠商了。我們既然知道了鍵盤不可能沒有鍵位沖突。那麼到底最適合大眾的是什麼鍵盤呢？因為我也不是神，不是所有的按鍵習慣都符合讀者的口味，所以我這里簡單說一下比較有突出性能的鍵盤。

在我把玩鍵盤這么多年的日子裡發現了一個很奇怪的問題，這也是我至今不能理解的並且總結出來了一個理論。我先提出來一個問題大家看看了，為什麼鍵位沖突至今才被拿出檯面？細心的朋友估計都有所察覺，這不光是近年來FPS游戲火爆所導致，還有一部分原因就是大家都開始使用高檔的鍵盤了（基本逃不了國際幾大大鍵盤代工廠的產品 SK，BTC…）似乎以前大家都在用質量低劣的鍵盤時都對這個問題覺得無關緊要。

總結之後就能發現一個很奇怪的定律：越是價格、質量低廉的產品，玩游戲越是爽。反而那些高高在上的鍵盤都或多或少的有明顯的鍵位沖突，鍵位沖突最為出名的就是ELITE了，沖突的令人莫名其妙，甚至方向鍵都有沖突。可能是老天作弄人吧，既然鍵位沖突與手感不能完全意義上的兩權，但我們又決不向垃圾低頭。我們要手感，同時也要較不影響大局好鍵盤。

由於我們玩的這個超強另類無敵好玩的游戲的特殊性,我們的評判標准不能和那些玩魔獸,CS等自以為自己對鍵盤很懂的人用一個標准.我是上了當了,買的明基上個月剛出來的新品貝殼鍵盤,回家居然發現我能適應的O2鍵位設置方法全部鍵位沖突,無法游戲.因為鍵盤本身沒有質量問題,故我只能重新購買一個鍵盤--! 這次我做足了充分准備,帶了個測試軟體測試了一下午的鍵盤,關於鍵盤沖突,我做以下總結:

USB介面的不能購買,多媒體鍵盤不能購買,PS/2介面的小部分不能購買

就是說做為O2jam玩家,我們最好考慮購買PS/2介面的鍵盤,購買時要自帶測試軟體,確定無鍵位沖突後就可以購買了.測試軟體的使用方法:打開然後同時按下游戲中需要使用的7個按鍵,如果軟體顯示這7個鍵全部為紅色的話那麼說明這7個鍵不互相沖突,此鍵盤玩O2jam是理想的.這個軟體你按過的鍵全部顯示為綠色,用來測試鍵盤有無壞鍵.這個鍵盤測試軟體名字叫:keytest。

除了這個問題,對於O2jam玩家來說,我個人覺得挑選鍵盤還應該注意:
1.鍵盤彈性要好.這個你在購買時自己按按感覺下就可以了
2.鍵盤上面的字要是激光雕刻,不然經過O2jam的洗禮不久鍵盤上面的字就模糊了.這個主要看字印的凹凸感怎麼樣,凹凸感強的為好
3.鍵盤按鍵鍵程要短.這個鍵程越短按鍵反應時間就越快,像X架構的按鍵在這方面的表現就比較出色.一般來說筆記本鍵盤用的都是X架構。

那麼再說說X架構：從按鍵行程上來看，台式機鍵帽的按鍵行程平均為3.8-4.0毫米，筆記本電腦鍵帽的按鍵行程平均為2.50-3.0毫米，而"X架構"鍵盤保持了台式機鍵帽的優點，按鍵行程平均為3.5-3.8毫米，手感舒適。當分別測試鍵帽左上角、右上角、左下角、右下角以及按鍵中心五個部位的敲擊力道時發現，傳統鍵盤敲擊力道大而且不均衡，而"X架構"鍵盤的敲擊力道小而且相當均衡。也就是說，當我們敲擊"X架構"鍵盤時費力較小，不宜疲勞，而且作用力平均分布在鍵帽的各個部分，手感更加舒適。

剪刀腳與「X架構」
筆記本鍵盤採用的結構稱之為「剪刀腳」結構。因為筆記本鍵盤要求的厚度很薄，無法使用單軌直滑式結構。所以，筆記本鍵盤就使用了如圖所示的設計結構。將橡膠彈簧的尺寸縮小，使用專用的支架來承擔按鍵的壓力並保持按鍵的平衡。
剪刀腳結構很好的解決了單軌直滑結構尺寸大和易卡住的問題，但是由於剪刀腳結構的鍵行程很小，所以雖然有利於減小鍵盤的厚度，但手指受到的沖擊力很大，不利於提高鍵盤的手感。
為了解決這個問題，IBM在設計經典的TP600系列筆記本的時候，找到了在筆記本鍵盤製造上最有經驗的明基公司合作，隨之明基設計出了後來稱之為「X架構」的新式鍵盤結構，從示意圖中可以看出來，「X架構」實質上是剪刀腳結構的一種變形，通過把剪刀腳延長，形成「X」型的支架，一方面加大了按鍵的行程，另一方面增強了按鍵的穩定性，使得同時保留了單軌直滑和剪刀腳兩種結構的優點。IBM筆記本鍵盤的手感長期被用戶稱道，和「X」架構的使用密不可分。

「X架構」主要為剪刀腳工作原理，運用兩組平行四連桿機構，以強迫運動方式運動，讓使用者無論是按觸鍵帽中心或者四個角落時，都能享受到順暢及一致的手感。相比之下，普通的台式機鍵盤，手指若是落在鍵帽的四個角落與落在鍵帽的正中間，所耗費的力道是完全不同的，這樣就會造成敲擊鍵盤時的手感很不一致。據大量試驗結果統計分析表明，傳統的台式機鍵盤在敲擊時所耗費的力道要比「X架構」高5～12倍。
參考資料：http://..com/question/10596957.html

I. 礦池算力排行

1、螞蟻礦池
螞蟻礦池是比特大陸投入很多資源開發的高效的數字貨幣礦池，致力於為礦工提供更友好的界面、更完善的功能、更方面的使用和更豐厚透明的收益，並為數字貨幣的發展做出更多的貢獻。螞蟻礦池是一家高效的數字貨幣礦池，致力於為礦工提供更友好的界面、更完善的功能、更方便的使用和更豐厚透明的收益，螞蟻礦池提供比特幣、萊特幣、以太坊等多種數字貨幣的挖礦服務，並支持PPS、PPLNS、SOLO等多種付款方式。
2、F2Pool
魚池，2013年4月創立於北京，是全球領先的綜合性數字貨幣礦池。魚池擁有一支由高學歷、高技術、高素質的國內頂尖人才組成的團隊，創始人神魚、王純，作為國內首批從事區塊鏈行業的意見領袖，帶領團隊打造了領先的數字貨幣挖礦平台。業務遍布全球多個國家和地區，帶領了區塊鏈行業的快速發展。我們期待年輕而充滿朝氣的新成員加入，並肩為全球區塊鏈事業作出貢獻。
3、BTC.com
BTC.com是全球領先的比特幣數據服務商與礦池、錢包解決方案提供商。自2015年起，BTC.com團隊從區塊瀏覽器等行業基礎設施入手，致力於在各個細分領域建立新標准，錢包、礦池、行情、資訊等領域均能見到BTC.com品牌的身影。BTC.com團隊成員均來自於國內一線互聯網公司，近年來持續服務於比特幣礦機與挖礦行業，擁有多年系統設計、開發維護、運營管理經驗。伴隨著BTC.com團隊與品牌的成長，可以預見到，未來還將帶給比特幣用戶更多的驚喜。
4、微比特
微比特是一家專業的數字貨幣技術服務提供商，服務范圍包括數字貨幣交易平台以及數字貨幣礦池、雲挖礦合約等。其於2016年5月成立，同年6月上線比特幣礦池，11月上線雲挖礦產品。2017年3月，微比特獲得由比特大陸領投的2000萬人民幣A輪融資以拓展交易所業務。6月，微比特正式推出數字貨幣交易平台。
5、幣印
幣印創辦於2017年11月，由BTC.com原核心團隊建立。團隊的產品及技術輸出，現正服務於全網大部分的比特幣算力;曾在兩年內打造出了多個產品，跨越區塊鏈瀏覽器、礦池、錢包等多個垂直領域。幣印礦池是支持全主流幣種挖礦的專業礦池，現支持幣種包括：BTC、BCH、BSV、ZEC、LTC、ETH、DCR、DASH、XMR。
6、BTC.TOP
萊比特礦池的開端是全網算力最大的私人礦池，經過多年的穩定運營。現面向市場，邀請所有的礦工，來分享其技術所帶來的挖礦收益。全新升級改版的萊比特礦池系統，更貼切客戶的需求，內容更加豐富，操作簡單易上手。
眾所周知，收益最高的礦池往往是網路損耗最低的礦池，而數字貨幣挖礦的網路損耗，就體現在礦機詢問礦池伺服器，伺服器回應，礦機回傳結果到服務等數據在網路上來回傳輸的過程，內網礦機與外網伺服器傳輸數據會受到地理位置、本地網速、本地網路服務商網關，外網網關，礦池伺服器等等因素影響，所以各礦池的損耗會有所不同，因此投資者在選擇礦池的時候，一定要查看清楚該礦池的損耗情況。

J. 這個NANYA內存顆粒編號代表什麼意思呀

下面這也是我網上復制來的

慢慢看吧. 也算多長點知識

把你的編號問題都給解釋了

內存作假主要是以低速內存冒充高速度的，以低容量內存冒充高容量的。要杜絕此類作假，就要學會識別內存規格和內存晶元編號，方法一般是看SPD晶元中的信息和內存晶元上的編號，前者是內存的技術規范，後者由於廠家的不同，其編號規則也不同。

從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SPDinfo這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM內存標注格式

（1）1.0---1.2版本

這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1.2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

（2）1.2b+版本

其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式

威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。

PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式

其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。

4、RDRAM 內存標注格式

其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。

5、各廠商內存晶元編號

內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存晶元上的編號。內存條上一般有多顆內存晶元，內存晶元因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。

由於韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存晶元質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，因此我們就先來看看它們的內存晶元編號。

（1）HYUNDAI（現代）

現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。

（3）Kingmax(勝創)

Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。

Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。

KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵風金條)

金邦金條分為'金、紅、綠、銀、藍'五種內存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。

金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13

FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V

Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。

三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用'S'後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64m/4K (15.6μs)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示產品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設備號碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代錶速度，分成以下四類：

（A）DRAM

-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns

SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）

-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz

DDR SDRAM（x4，x8，x16）時鍾率 @ CL=2.5

-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）Rambus（時鍾率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns

+的含義

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它內存晶元編號

NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表Bank數（3或4代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；2代表2個Bank）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，3代表4個Bank和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。

SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66規格〕）。

TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit晶元中，260和360在CL=3時的標定速度為：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。