btcbt2bcd

1. BTC杠桿基金ETF收益如何

比如說，比特幣現價為7000美金時，您認為比特幣還會上漲，此時BTC3X的基金凈值位1，因此，你在這時候申購了1000美金的BTC3X基金份額1000份。第二天比特幣漲至7700美金，漲幅為10%，由於BTC3X是3倍杠桿，此時BTC3X基金凈值位1.3，因此你盈利了30%，也就是說你盈利了300美金。

2. btc是什麼意思

比特幣（Bitcoin）的概念最初由中本聰在2008年11月1日提出。是一種P2P形式的數字貨幣。比特幣不依靠特定貨幣機構發行，它依據特定演算法，通過大量的計算產生，目前在幣安、火幣、比特網bitewang（免手續費）等主流平台可以買賣比特幣。

3. 比特幣縮寫是用BTC好還是XBT好

BTC！最近BTC.com以天價成交，不管是用戶還是域名界，都認同BTC

4. 200分內存型號怎麼認的

EDO DRAM(Extended Data Output RAM)，擴展數據輸出內存，是Micron公司的專利技術，有72線和168線之分，5V電壓，帶寬32bit，基本速率40ns以上。 EDO RAM 是在傳統 FPRAM (Fast Page RAM) 中改進過來, 運作上主要系假定下一次的存取地址都是與上一次連續, 然後准備定資料 (這是假設用戶的資料多數是 sequential 的), 這樣便能把 memory throughput 由 FPRAM 的最高 176MB/s 提升到 EDO RAM 的最高 264MB/s, 於 1993 年後 EDO RAM 便開始取代 FPRAM 的位置

靜態隨機存取內存 (Static Random Access Memory, SRAM) 是半導體內存的一種, 屬隨機存取內存 (RAM) 一類。所謂的「靜態」, 是指這種內存只要保持通電, 裡面儲存的資訊就可以恆常保持。相對之下, 動態隨機存取內存（DRAM）裡面所儲存的資料就需要周期性地更新。然而, 當電力供應停止時, 其內儲存的資料還是會消失, 這與在斷電後還能儲存資料的 ROM 或快閃記憶體仍然是不同的。

SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動態隨機存儲器）的簡稱，是前幾年普遍使用的內存形式。SDRAM採用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內存相比速度能提高50％。SDRAM基於雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據時，另一個就已為讀寫數據做好了准備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應用。SDRAM曾經是長時間使用的主流內存，從430TX晶元組到845晶元組都支持SDRAM。但隨著DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場。

DDR雙通道同步動態隨機存儲器（雙通道同步動態隨機存取內存）即DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 為具有雙倍資料傳輸率之SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈之兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。

由於傳統SDRAM在運作時，一個單位時間內只能讀/寫一次，當同時需要讀取和寫入時，便要等其中一個動作完成才能繼續進行下一個動作。而DDR SDRAM則解決這項缺點，由於讀取和寫入可以在一個單位時間內進行，因此效能便會提升兩倍，這也便是為何DDR SDRAM的時脈要「自動乘以二」的緣故。
JEDEC為DDR存儲器設立了速度規范，並分為了以下兩個部分：按內存晶元分類和按內存模塊分類。
規格（記憶晶元）
DDR-200: DDR-SDRAM 記憶晶元在100 MHz下運行
DDR-266: DDR-SDRAM 記憶晶元在133 MHz下運行
DDR-333: DDR-SDRAM 記憶晶元在166 MHz下運行
DDR-400: DDR-SDRAM 記憶晶元在200 MHz下運行(JEDEC制定的DDR最高規格)
DDR-500: DDR-SDRAM 記憶晶元在250 MHz下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
DDR-600: DDR-SDRAM 記憶晶元在300 MHz下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
DDR-700: DDR-SDRAM 記憶晶元在350 MHz下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
DDR-700的例子(產品):Patriot PDC1G5600ELK

[編輯] 規格 （晶元模塊）
PC-1600內存模塊指工作在100 MHz下的DDR-200內存晶元，其擁有1.600 MegaByte/s的帶寬
PC-2100內存模塊指工作在133 MHz下的DDR-266內存晶元，其擁有2.133 MegaByte/s的帶寬
PC-2700內存模塊指工作在166 MHz下的DDR-333內存晶元，其擁有2.667 MegaByte/s的帶寬
PC-3200內存模塊指工作在200 MHz下的DDR-400內存晶元，其擁有3.200 MegaByte/s的帶寬

DDR2第二代雙倍數據率同步動態隨機訪問內存（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為 DDR2 SDRAM），是一種計算機內存規格。它屬於SDRAM家族的內存產品，提供了相較於DDR SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR SDRAM（雙倍數據率同步動態隨機訪問內存）的後繼者，也是現時流行的內存產品。

JEDEC為DDR存儲器設立了速度規，並分為了以下兩個部分：按內存晶元分類和按內存模塊分類。
規格（記憶晶元）
DDR2-400：DDR2-SDRAM 記憶片在200 MHz下運行
DDR2-533：DDR2-SDRAM 記憶晶元在266 MHz下運行
DDR2-667：DDR2-SDRAM 記憶晶元在333 MHz下運行
DDR2-800：DDR2-SDRAM 記憶晶元在400 MHz下運行
DDR2-1000：DDR2-SDRAM 記憶晶元在500 MHz下運行
DDR2-1066：DDR2-SDRAM 記憶晶元在533 MHz下運行
現時有售的DDR2-SDRAM已能達到DDR2-1200，但必須在高電壓下運作，以維持其穩定性。

DDR3顯存可以看作是DDR2的改進版，二者有很多相同之處，例如採用1.8V標准電壓、主要採用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。不過DDR3核心有所改進：DDR3顯存採用0.11微米生產工藝，耗電量較DDR2明顯降低。此外，DDR3顯存採用了「Pseudo Open Drain」介面技術，只要電壓合適，顯示晶元可直接支持DDR3顯存。當然，顯存顆粒較長的延遲時間(CAS latency)一直是高頻率顯存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency為5/6/7/8，相比之下DDR2為3/4/5。客觀地說，DDR3相對於DDR2在技術上並無突飛猛進的進步，但DDR3的性能優勢仍比較明顯：

(1)功耗和發熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控製成本的基礎上減小了能耗和發熱量，使得DDR3更易於被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由於能耗降低，DDR3可實現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點，同時還可作為顯卡的賣點之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。
(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少後，顯存功耗也能進一步降低。
(4)通用性好：相對於DDR變更到DDR2，DDR3對DDR2的兼容性更好。由於針腳、封裝等關鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能採用DDR3顯存，這對廠商降低成本大有好處。
目前，DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。

RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存儲器匯流排式動態隨機存儲器）的簡稱，是Rambus公司開發的具有系統帶寬、晶元到晶元介面設計的內存，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的匯流排傳輸數據，同時使用低電壓信號，在高速同步時鍾脈沖的兩邊沿傳輸數據。最開始支持RDRAM的是英特爾820晶元組，後來又有840，850晶元組等等。RDRAM最初得到了英特爾的大力支持，但由於其高昂的價格以及Rambus公司的專利許可限制，一直未能成為市場主流，其地位被相對廉價而性能同樣出色的DDR SDRAM迅速取代，市場份額很小。

5. 在電子商務里btbcdcbtc是什麼意思

1、BTC（BusinessToCustomer）又稱B2C，電子商務按交易對象分類中的一種，即表示商業機構對消費者的電子商務。這種形式的電子商務一般以網路零售業為主，主要藉助於Internet開展在線銷售活動。

B2C模式是我國最早產生的電子商務模式，以8848網上商城正式運營為標志。B2C即企業通過互聯網為消費者提供一個新型的購物環境——網上商店，消費者通過網路在網上購物、在網上支付。

由於這種模式節省了客戶和企業的時間和空間，大大提高了交易效率，特別對於工作忙碌的上班族，這種模式可以為其節省寶貴的時間。

2、BTB（BusinessToBusiness）又稱B2B，是指一個互聯網市場領域的一種，是企業對企業之間的營銷關系。它將企業內部網，通過B2B網站與客戶緊密結合起來，通過網路的快速反應，為客戶提供更好的服務，從而促進企業的業務發展。近年來B2B發展勢頭迅猛，趨於成熟。

6. BTCU和BTC有啥關系沒事

Btcu和btc是沒有關系的，雖然他們只差一個英文字母，但是他們的意思是這樣相反的

7. btc是什麼幣

BTC就是比特幣。

BTC是一種P2P形式的虛擬加密數字貨幣，數量有限，但是可以用來交易，兌換成大多數國家的貨幣。它可以點對點的傳輸支付而無需通過任何中央機構，

例如銀行或付款通道，它是通過電子方式創建並保存的。比特幣不依靠任何特定貨幣機構發行，而是由世界各地的電腦使用免費軟體生產的，我們俗稱「挖礦」。

(7)btcbt2bcd擴展閱讀

貨幣特徵——

去中心化：比特幣是第一種分布式的虛擬貨幣，整個網路由用戶構成，沒有中央銀行。去中心化是比特幣安全與自由的保證 。

全世界流通：比特幣可以在任意一台接入互聯網的電腦上管理。不管身處何方，任何人都可以挖掘、購買、出售或收取比特幣。

專屬所有權：操控比特幣需要私鑰，它可以被隔離保存在任何存儲介質。除了用戶自己之外無人可以獲取。

低交易費用：可以免費匯出比特幣，但最終對每筆交易將收取約1比特分的交易費以確保交易更快執行。

8. X86指令集的內容有哪些

CPU擴展指令集CPU依靠指令來計算和控制系統，每款CPU在設計時就規定了一系列與其硬體電路相配合的指令系統。指令的強弱也是CPU的重要指標，指令集是提高微處理器效率的最有效工具之一。從現階段的主流體系結構講，指令集可分為復雜指令集和精簡指令集兩部分，而從具體運用看，如Intel的MMX（Multi Media Extended）、SSE、 SSE2（Streaming-Single instruction multiple data-Extensions 2）、SEE3和AMD的3DNow!等都是CPU的擴展指令集，分別增強了CPU的多媒體、圖形圖象和Internet等的處理能力。我們通常會把CPU的擴展指令集稱為CPU的指令集。SSE3指令集也是目前規模最小的指令集，此前MMX包含有57條命令，SSE包含有50條命令，SSE2包含有144條命令，SSE3包含有13條命令。目前SSE3也是最先進的指令集，英特爾Prescott處理器已經支持SSE3指令集，AMD會在未來雙核心處理器當中加入對SSE3指令集的支持，全美達的處理器也將支持這一指令集。

指令集：
(1) X86指令集要知道什麼是指令集還要從當今的X86架構的CPU說起。X86指令集是Intel為其第一塊16位CPU(i8086)專門開發的，IBM1981年推出的世界第一台PC機中的CPU—i8088(i8086簡化版)使用的也是X86指令，同時電腦中為提高浮點數據處理能力而增加的X87晶元系列數學協處理器則另外使用X87指令，以後就將X86指令集和X87指令集統稱為X86指令集。雖然隨著CPU技術的不斷發展，Intel陸續研製出更新型的i80386、i80486直到今天，但為了保證電腦能繼續運行以往開發的各類應用程序以保護和繼承豐富的軟體資源，所以Intel公司所生產的所有CPU仍然繼續使用X86指令集，所以它的CPU仍屬於X86系列。由於Intel X86系列及其兼容CPU都使用X86指令集，所以就形成了今天龐大的X86系列及兼容CPU陣容。
(2) RISC指令集RISC指令集是以後高性能CPU的發展方向。它與傳統的CISC(復雜指令集)相對。相比而言，RISC的指令格式統一，種類比較少，定址方式也比復雜指令集少。當然處理速度就提高很多了。而且RISC指令集還兼容原來的X86指令集。

9. 海爾冰箱BCD-239BTC的冷藏室出現結冰現象，是什麼原因怎麼解決

您好，感謝向企業知道提問
冰箱冷藏室內結霜有多種原因：
1、檢查下冰箱設置溫度。一般溫度調在3～4度之間，如果溫度不在這個范圍內，有可能會出現這個現象；
2、冷藏室內的空氣濕度比較大，而冰箱里的蒸發器的溫度卻比較低，所以冷藏室的水氣會凝聚到後壁而結成冰。避免將溫度太高的食品置於冰箱內，熱的空氣會造成大量的冷凝水而間接產生這種現象；
3、冷藏室溫度下降後，冷藏室後壁的冰會融化成水而通過排水孔流出。而冰箱排水孔堵塞或者設置模式不對，造成水流不暢或者冰未融化完全，就會出現冰箱冷藏室結冰的現象；
4、檢查一下冰箱門是否密封不嚴，門密封不嚴會導致空氣中的水蒸氣凝結結冰；
如果結霜嚴重，建議您撥打海爾全國服務熱線400-699-9999進行報修！

歡迎您再次向企業知道提問.

祝您工作生活愉快~

10. 這個NANYA內存顆粒編號代表什麼意思呀

下面這也是我網上復制來的

慢慢看吧. 也算多長點知識

把你的編號問題都給解釋了

內存作假主要是以低速內存冒充高速度的，以低容量內存冒充高容量的。要杜絕此類作假，就要學會識別內存規格和內存晶元編號，方法一般是看SPD晶元中的信息和內存晶元上的編號，前者是內存的技術規范，後者由於廠家的不同，其編號規則也不同。

從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SPDinfo這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM內存標注格式

（1）1.0---1.2版本

這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1.2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

（2）1.2b+版本

其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式

威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。

PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式

其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。

4、RDRAM 內存標注格式

其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。

5、各廠商內存晶元編號

內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存晶元上的編號。內存條上一般有多顆內存晶元，內存晶元因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。

由於韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存晶元質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，因此我們就先來看看它們的內存晶元編號。

（1）HYUNDAI（現代）

現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。

（3）Kingmax(勝創)

Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。

Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。

KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵風金條)

金邦金條分為'金、紅、綠、銀、藍'五種內存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。

金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13

FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V

Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。

三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用'S'後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64m/4K (15.6μs)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示產品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設備號碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代錶速度，分成以下四類：

（A）DRAM

-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns

SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）

-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz

DDR SDRAM（x4，x8，x16）時鍾率 @ CL=2.5

-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）Rambus（時鍾率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns

+的含義

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它內存晶元編號

NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表Bank數（3或4代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；2代表2個Bank）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，3代表4個Bank和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。

SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66規格〕）。

TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit晶元中，260和360在CL=3時的標定速度為：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。