區塊鏈U盤數據保存

1. U盤真的只能將數據存10年嗎能永久將數據保存起來嗎

怎麼弄都不是很保險，各種意外都可能會使數據丟失。可以用不同的存儲設備多做幾個備份啊。

像U盤光碟網盤都用上。我以前申請的網易郵箱帶網盤功能，6年前存的數據現在還有。網易網盤不開放共享的功能，但是下載速度和安全性都很好。8年的老牌子了

2. U盤保存數據，可以存放多久,前提是存入資料後，不在 使用U盤。存放起來。

通常靜態數據丟失是由於磁性介質消磁，或半導體器件電子流失導致的。雖然很微弱，但是然在流失，所以會有一個有效存儲時間的出現。
嚴格地說這和U盤使用的存儲方法有著直接關系，U盤是通過晶元處理信號分配給EEPROM存儲晶元的相應地址存儲二進制數據，實現數據的存儲。EEPROM數據存儲器，其控制原理是電壓控制柵晶體管的電壓高低值，柵晶體管的結電容可長時間保存電壓值，斷電後能保存數據的原因主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵。在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。
這樣，U盤掉電後數據保存時間就更eeprom數據存儲器中的電子流失時間有關，一般常規說法是可以保存100年左右，但是，在某些電路非控態下，就是掉電之後EEPROM可能會進入「寫狀態」，這雖是小概率事件，但一旦發生後果嚴重。高溫當然也是可能的原因，環境溫度過高、時間過長可能會使存儲單元內的封閉電子部分溢出，邏輯狀態也會因此不穩定甚至改變，這樣可能會改變eeprom中儲存的數據，造成數據丟失。這樣的數據丟失幾個月內就可以發生。
所以U盤存儲時間更U盤使用的eeprom存儲晶元和U盤放置的環境有關，溫度合適的環境下，可以保存進百年時間。

3. U盤數據能保存多久，怎樣長久保存數據

在保管環境好的前提下，最長時間的是光碟，其次是U盤，最後是移動硬碟。。。因為存儲介質不一樣，光碟是直接刻寫上在光碟介質上的，U盤是存儲晶元，具有一定的讀寫次數，而移動硬碟由於所用硬碟里有液態軸承馬達，控制磁頭進行讀寫操作，存在一定的磨損。。。因為光碟是最好的存儲工具，能不能存到70年那就看保存環境了呀，還有使用頻率咯

4. 在區塊鏈中，記錄的數據是以什麼形式儲存的

加密代碼。每幾分鍾就有一個新的區塊生成，裡面儲存了不同的信息由不同的密碼（雙鑰）構成。

5. 區塊鏈技術中數據的儲存方式是怎樣的

簡單的來說，區塊鏈的數據儲存是通過區塊通過公式演算法過程後被正式納入區塊鏈中儲存，全網節點均表示接受該區塊，而表示接受的方法，就是將區塊的隨機散列值是為最新的區塊散列值，興趣快的製造將以該區塊鏈為基礎進行延長。

6. U盤，儲存卡是如何儲存數據的啊，困擾我好久了。

轉一篇文章"U盤原理"，很長，專業術語較多，希望能有幫助。
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U盤設計

「USB快閃記憶體檔」（以下簡稱「U盤」）是基於USB介面、以快閃記憶體晶元為存儲介質的無需驅動器的新一代存儲設備。U盤的出現是移動存儲技術領域的一大突破，其體積小巧，特別適合隨身攜帶，可以隨時隨地、輕松交換資料數據，是理想的移動辦公及數據存儲交換產品。

U盤的結構基本上由五部分組成：USB埠、主控晶元、FLASH（快閃記憶體）晶元、PCB底板、外殼封裝。

U盤的基本工作原理

USB埠負責連接電腦，是數據輸入或輸出的通道；主控晶元負責各部件的協調管理和下達各項動作指令，並使計算機將U盤識別為「可移動磁碟」，是U盤的「大腦」；FLASH晶元與電腦中內存條的原理基本相同，是保存數據的實體，其特點是斷電後數據不會丟失，能長期保存；PCB底板是負責提供相應處理數據平台，且將各部件連接在一起。當U盤被操作系統識別後，使用者下達數據存取的動作指令後，USB移動存儲盤的工作便包含了這幾個處理過程。

通用串列匯流排（Universal serial Bus）是一種快速靈活的介面，
當一個USB設備插入主機時，識別出USB設備是一個支持Bulk-Only傳輸協議的海量存儲設備。這時應可進行Bulk-Only傳輸方式。在此方式下USB與設備之間的數據傳輸都是通過Bulk-In和Bulk-Out來實現的。在這種傳輸方式下，有三種類型數據在USB和設備傳送，它們是命令塊包（CBW），命令執行狀態包（CSW）和普通數據包。CBW是主機發往設備的命令。

格式如下：其中dCBWSignature的值為43425355h,表示當前發送的是一個CBW。
DCBWDataTransferLength：表示這次CBW要傳送數據長度。

BmCBWFlags：表示本次CBW是讀數據還是寫數所BBWCBLength：表示命令的長度。 CBWCB：表示本次命令內容。也即是SCSI命令。

當設備從主機收到CBW塊以後，它會把SCSI命令從CBW中分離出來，然後根據要求執行，執行的結果又以CSW的形式發給主機。 CSW的格式如下：

其中dCSWSignature的值為53425355h,表示當前發送的是一個CSW。 DCSWTag：必須和CBW中dCBWTag一樣。
DCSWDataResie：還要傳送的數據。

BCSWStatue：命令執行狀態，命令正確執行時，為0。

由於USB設備硬體本身的原因，它會使USB匯流排的數據信號線的電平發生變化，而主機會經常掃描USB匯流排。當發現電平有變化時，它即知道有設備插入。USB設備它本身會初始化，並認為地址是0。也就是沒有分配地址，這有點象剛進校的大學生沒有學號一樣。

正如有一個陌生人闖入時我們會問「你是什麼人」一樣，當一個USB設備插入主機時，，它也會問：「你是什麼設備」。並接著會問，你使用什麼通信協議等等。當這一些信息都被主機知道後，主機與USB設備之間就可以根據它們之間的約定進行通信。
USB的這些信息是通過描述符實現的，USB描述符主要包括：設備描述符，配置描述符，

介面描述符，端點描述符等。當一個U盤括入主機時，你立即會發現你的資源管理器里多了一個可移動磁碟，在Win2000下你還可以進一步從主機上知道它是愛國者或是朗科的。這里就有兩個問題，首先主機為什麼知道插入的是移動磁碟，而不是鍵盤或列印機等等呢？另外在Win2000下為什麼還知道是哪個公司生產的呢？其實這很簡單，當USB設備插入主機時，主機首先就會要求對方把它的設備描述符傳回來，這些設備描述符中就包含了設備類型及製造商信息。又如傳輸所採用的協議是由介面描述符確定，而傳輸的方式則包含在端點描述符中。

USB設備分很多類:顯示類,通信設備類,音頻設備類,人機介面類,海量存儲類.特定類的設備又可分為若乾子類,每一個設備可以有一個或多個配置，配置用於定義設備的功能。配置是介面的集合，介面是指設備中哪些硬體與USB交換信息。每個與USB交換信息的硬體是一個端點。因些，介面是端點的集合。

U盤應屬於海量存儲類。

USB海量存儲設備又包括通用海量存儲子類,CDROM,Tape等，U盤實際上屬於海量存儲類中通用海量存儲子類。通用海量存儲設備實現上是基於塊/扇區存儲的設備。

USB組織定義了海量存儲設備類的規范，這個類規范包括4個獨立的子類規范。主要是指USB匯流排上的傳輸方法與存儲介質的操作命令。

海量存儲設備只支持一個介面,即數據介面,此介面有三個端點Bulk input ,Bulk output,中斷端點

這種設備的介面採用SCSI-2的直接存取設備協議,USB設備上的介質使用與SCSI-2以相同的邏輯塊方式定址。

在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。

快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。

寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。

讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。

U盤原理的存儲是:計算機把二進制數字信號轉為復合二進制數字信號（加入分配、核對、堆棧等指令）讀寫到USB晶元適配介面，通過晶元處理信號分配給EPROM2存儲晶元的相應地址存儲二進制數據，實現數據的存儲。

7. U盤裡面的數據能保存多久

應該有 我的128mU盤 到現在很久了，肯定超了2年了。上次找到。裡面的數據還是可以打開和使用的。我忘了說是紫光的U盤。可能具體看你自己保存和使用的方法了。進像人的壽命，你可以說你能活到多少嗎？你最多有個預期，U盤應該可以超2年，保存好的話。

8. U盤是如何存儲數據的

快閃記憶體(Flash Memory)是非揮發存儲的一種，具有關掉電源仍可保存數據的優點，同時又可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數據量，以及低功耗特性等優點。 其存儲物理機制實際上為一種新型EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲）。是SCM（半導體存儲器）的一種。

早期的SCM採用典型的晶體管觸發器作為存儲位元，加上選擇、讀寫等電路構成存儲器。現代的SCM採用超大規模集成電路工藝製成存儲晶元，每個晶元中包含相當數量的存儲位元，再由若干晶元構成存儲器。目前SCM廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效應管（MOS），包括PMOS、NMOS、CMOS三類，尤其是NMOS和CMOS應用最廣泛。

RAM（隨機存取存儲），是一種半導體存儲器。必須在通電情況下工作，否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM（動態）和SRAM（靜態）兩種，我們現在普遍使用的PC機內存即是SDRAM（同步動態RAM），它在運行過程當中需要按一定頻率進行充電（刷新）以維持信息。DDR DDR2內存也屬於SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的緩存（cache）上。

PROM（可編程ROM）則只能寫入一次，寫入後不能再更改。

EPROM（可擦除PROM）這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。

EEPROM（電可擦除PROM），用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。

快閃記憶體實際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給存儲的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的完整性。

Flash Memory晶元中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash Memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元，還可以預先設定「區塊」(Block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除干凈，以備重新寫入。傳統的EEPROM晶元每次只能擦除一個位元組，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個晶元。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶元。

MSM（磁表面存儲）是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態記錄信息"0"和"1"。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁碟存儲器。計算機中目前廣泛使用的MSM是磁碟和磁帶存儲器。硬碟屬於MSM設備。

ODM（光碟存儲）和MSM類似，也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小，耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層，以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構成光碟介質，後者構成磁光碟介質。
ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器，存儲容量很大且碟片易於更換。缺點是存儲速度比硬碟低一個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。

9. U盤的數據可以保存多久

可以擦寫100萬次以上，數據可以保存10年以上。這是極好的u盤，很貴，但是現在市場上的一般是60~90的大多是3年就不行了，這是我的個人體驗，要是你不動的話應該能到十年吧！！！
這樣可以么？