vds挖礦計算

❶ 單端反激式開關電源中測試VDS波形的占空比怎麼計算

?，問題有歧義呀
占空比=高電平持續時間/波形周期

❷ 半導體物理 mosfet vds怎麼計算

注意運用圖象：圖象法是一種分析問題的新方法，它的最大特點是直觀，對我們處理問題有很好的幫助。但是容易混淆。如位移圖象和速度圖象就容易混淆，同學們常感到頭痛，其實只要分清楚縱坐標的物理量，結合運動學的變化規律，就比較容易掌握。（3）注意實驗能力和實驗技能的培養：高中物理實驗分演示實驗和學生實驗，它對於我們學習知識和鞏固知識都起到重要的作用。因此，要求同學們要認真觀察演示實驗，切實做好學生實驗，加強動手能力的鍛煉，注意對實驗過程中出現的問題進行分析。

❸ M0S管VDS計算公式

看到模電我就想shi

❹ Vds錢包怎麼下載

打開官網，
一、下載安裝最新版本VDS錢包；

二、按提示流程創建普通錢包，私鑰+密碼自己保存好，去中心化的世界，沒有個人或者組織為你的財產負責，只有自己為自己負責；

三、在交易所或者找朋友購買10個幣，存入自己普通錢包，

四、通過創建VID，把幣轉給推薦人VID賬號，即可成為VDS會員，也擁有自己的VID地址，享受會員權益；

五、你可以選擇挖礦，囤幣待漲，多種不同的方式都可賺取財富。

❺ 請教一下西數硬碟的vds、RS、EAL、YS各是什麼意思

西部數據硬碟之前的產品名稱多為CS、DS、 JS、KS、YS、GP等等，很容易讓消費者混淆,所以西部數據近期對旗下硬碟產品線進行重組，用普通用戶容易理解的三種顏色來進行區分。此次共劃分三大系列：
Caviar Black黑版代表桌面高性能產品；LS系列（雙核，32M緩存，廠家3年全免質保）適合玩家以及追求極速性能的要求（速度快，玩游戲或用BT、電驢 ）
Caviar Blue藍版是以性價比為主要訴求的主流型號；BB/JB/KB/JS/KS系列:為日常計算提供理想性能和可靠性，桌面級主導（簡單來說屬於一般民用）
Caviar Green綠版就是之前的GreenPower系列，主打低功耗、低噪音等環保特性。CS/DS/VS系列 節能環保型硬碟，適合企業及穩定（這一類雖然比較穩定，但速度欠佳）

VDS : 綠版
RS : 綠版
EAL : 藍版
YS : 綠版

❻ 反激電路RCD參數怎麼計算

一、首先對MOS管的VD進行分段：
ⅰ，輸入的直流電壓VDC；
ⅱ，次級反射初級的VOR；
ⅲ，主MOS管VD餘量VDS；
ⅳ，RCD吸收有效電壓VRCD1。
二、對於以上主MOS管VD的幾部分進行計算：
ⅰ，輸入的直流電壓VDC。
在計算VDC時，是依最高輸入電壓值為准。如寬電壓應選擇AC265V，即DC375V。
VDC＝VAC *√2
ⅱ，次級反射初級的VOR。
VOR是依在次級輸出最高電壓,整流二極體壓降最大時計算的，如輸出電壓為：5.0V±5%（依Vo =5.25V計算），二極體VF為0.525V（此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值）．
VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns
ⅲ，主MOS管VD的餘量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%為最小值．如KA05H0165R的VD=650應選擇DC65V．
VDC＝VD* 10%
ⅳ，RCD吸收VRCD．
MOS管的VD減去ⅰ，ⅲ三項就剩下VRCD的最大值。實際選取的VRCD應為最大值的90%（這里主要是考慮到開關電源各個元件的分散性，溫度漂移和時間飄移等因素得影響）。
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%
注意：① VRCD是計算出理論值，再通過實驗進行調整，使得實際值與理論值相吻合．
② VRCD必須大於VOR的1.3倍．（如果小於1.3倍，則主MOS管的VD值選擇就太低了）
③ MOS管VD應當小於VDC的2倍．（如果大於2倍，則主MOS管的VD值就過大了）
④ 如果VRCD的實測值小於VOR的1.2倍，那麼RCD吸收迴路就影響電源效率。
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR組成的
ⅴ，RC時間常數τ確定．
τ是依開關電源工作頻率而定的，一般選擇10~20個開關電源周期。
三、試驗調整VRCD值
首先假設一個RC參數，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市電，應遵循先低壓後高壓，再由輕載到重載的原則。在試驗時應當嚴密注視RC元件上的電壓值，務必使VRCD小於計算值。如發現到達計算值，就應當立即斷電，待將R值減小後，重復以上試驗。（RC元件上的電壓值是用示波器觀察的，示波器的地接到輸入電解電容「＋」極的RC一點上，測試點接到RC另一點上）
一個合適的RC值應當在最高輸入電壓，最重的電源負載下，VRCD的試驗值等於理論計算值。
四、試驗中值得注意的現象
輸入電網電壓越低VRCD就越高，負載越重VRCD也越高。那麼在最低輸入電壓，重負載時VRCD的試驗值如果大於以上理論計算的VRCD值，是否和（三）的內容相矛盾哪？一點都不矛盾，理論值是在最高輸入電壓時的計算結果，而現在是低輸入電壓。
重負載是指開關電源可能達到的最大負載。主要是通過試驗測得開關電源的極限功率。
五、RCD吸收電路中R值的功率選擇
R的功率選擇是依實測VRCD的最大值，計算而得。實際選擇的功率應大於計算功率的兩倍。

❼ MOSFET中跨導的計算問題

一般是利用I對V的偏導求。
注意，這時候需要先判斷MOS處於什麼工作區域。

case1：Vds<Vgs-Vt，Vt是閾值電壓，MOS處於線形區，
Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]
然後I對Vgs求偏導即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）
以上partial為偏導算符，打不出來，只能這么寫了，u是載流子遷移率，Cox是單位柵電容大小，W和L分別是MOS的寬和長。

case2：Vds>Vgs-Vt，MOS處於飽和區，
Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]
同樣求偏導：g = partial （Id）/partial （Vgs） = u*Cox*（Vgs-Vt）*（W/L）
如果你知道Id，而不知道Vgs，就用Id的表達式把Vgs代換掉即可，以case2為例，g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5
[]^x代表[]的內容的x次方
------------------------------------------------------------------

你還有啥是已知的啊？
請你完整的把已知的參數以及最後要求的東西告訴我。。。就是把題目原樣說下
------------------------------------------------------------------

注意，你現在已經有了Id和Vg關系對應曲線和數據了對吧？
針對case2而言，先用Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]這個式子
應為你知道了Vg，也知道了Vt和Id，這些數據又是對應於同一個管子的，所以上面那個式子的參數u、Cox、W和L都不用管，姑且認為u*Cox*（W/L）是一個完整的參數k；現在利用隨便一組數據都可以得到這個k，即利用
Id = 0.5*k*[（Vgs-Vt）^2]求。
然後直接帶到g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5 = [2k*Id]^0.5 求跨導即可

❽ ESP、VDS、VSC、ABS+EBD等汽車上的安全配置，都有什麼不同的作用

ESP:
Electronic Stablity Program
ESP系統通常是支援ABS及ASR（驅動防滑系統，又稱牽引力控制系統）的功能。它通過對從各感測器傳來的車輛行駛狀態信息進行分析，然後向ABS、ASR發出糾偏指令，來幫助車輛維持動態平衡。ESP可以使車輛在各種狀況下保持最佳的穩定性，在轉向過度或轉向不足的情形下效果更加明顯。
ESP一般需要安裝轉向感測器、車輪感測器、側滑感測器、橫向加速度感測器等。ESP可以監控汽車行駛狀態，並自動向一個或多個車輪施加制動力，以保持車子在正常的車道上運行，甚至在某些情況下可以進行每秒150次的制動。目前ESP有3種類型：能向4個車輪獨立施加制動力的四通道或四輪系統；能對兩個前輪獨立施加制動力的雙通道系統；能對兩個前輪獨立施加制動力和對後輪同時施加制動力的三通道系統。

VDS:
不知道你說的VDS是什麼..
可能是VDC(VEHICLE DYNAMIC CONTROL)吧?
車輛動態控制：當汽車出現車輪打滑、側傾或者輪胎喪失附著力的瞬間，VDC系統會立刻介入，在降低發動機轉速的同時，有目的地針對個別車輪進行制動控制，並最終將車引入正常的行駛軌道，從而避免車輛因失控而造成的危險。在轉向不足、轉向過度或光滑路面上有可能發生的各種狀況時，自動調整剎車力度和扭矩，以便駕駛者保持行駛方向。在車輛進入彎道時轉向不足的情況仍然存在，但車體的剛性在彎道中仍然能夠保持一定的穩定性，車輛在很短時間內通過系統調整而得到解決。

VSC:
對於ESP不同的車型，往往賦予其不同的名稱，如BMW稱其為DSC，豐田、雷克薩斯稱其為VSC，而VOLVO 汽車稱其為DSTC，但其原理和作用基本相同。只不過是廠商的不同叫法

ABS:
ABS是Anti-LockBrakeSystem的英文縮寫，翻譯過來可以叫做「剎車防抱死系統」。在沒有ABS時，如果緊急剎車一般會使輪胎抱死，由於抱死之後輪胎與地面是滑動摩擦，所以剎車的距離會變長。如果前輪鎖死，車子失去側向轉向力，容易跑偏；如果後輪鎖死，後輪將失去側向抓地力，就易發生甩尾。特別是在積雪路面，當緊急制動時，就更容易發生上述的情況。

ABS是通過控制剎車油壓的收放，來達到對車輪抱死的控制。其工作過程實際上是抱死—松開—抱死—松開的循環工作過程，使車輛始終處於臨界抱死的間隙滾動狀態。

EBD:
EBD的英文全稱是ElectricBrakeforceDis-tribution，中文直譯就是「電子制動力分配」。汽車制動時，如果四隻輪胎附著地面的條件不同，比如，左側輪附著在濕滑路面，而右側輪附著於乾燥路面，四個輪子與地面的摩擦力不同，在制動時（四個輪子的制動力相同）就容易產生打滑、傾斜和側翻等現象。

EBD的功能就是在汽車制動的瞬間，高速計算出四個輪胎由於附著不同而導致的摩擦力數值，然後調整制動裝置，使其按照設定的程序在運動中高速調整，達到制動力與摩擦力（牽引力）的匹配，以保證車輛的平穩和安全。

當緊急剎車車輪抱死的情況下，EBD在ABS動作之前就已經平衡了每一個輪的有效地面抓地力，可以防止出現甩尾和側移，並縮短汽車制動距離。

EBD實際上是ABS的輔助功能，它可以改善提高ABS的功效。所以在安全指標上，汽車的性能又多了「ABS+EBD」。

❾ 關於場效應管Vgs和Vds電壓的問題

導通是有電阻的，它又不是超導材料，連「導體」都不是，而是「半導體」，只要有電流流過，就有電壓降，當電流達到某值，超過這時Vgs控制電壓能夠產生的電流量，才進入飽和區。

❿ 跨導 Gm的計算方法

一般是利用I對V的偏導求。

注意，這時候需要先判斷MOS處於什麼工作區域。

例子：VdsMOS處於線形區，

Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]

然後I對Vgs求偏導即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）

以上partial為偏導算符，打不出來，只能這么寫了，u是載流子遷移率，Cox是單位柵電容大小，W和L分別是MOS的寬和長。

(10)vds挖礦計算擴展閱讀：

對於真空管，跨導被定義為板（陽極）/陰極電流的變化除以電網/陰極電壓的相應變化，恆定板（陽極）/陰極電壓。gm典型值為小信號真空管是1至10毫西門子。它是真空管的三個特徵常數之一，另外兩個是增益μ（mu）和平板電阻rp或ra。

類似地，在場效應晶體管和MOSFET中，跨導是漏極電流的改變除以柵極/源極電壓的小改變以及恆定的漏極/源極電壓。gm的典型值為小信號場效應晶體管是1至30毫西門子。