1950x挖礦

A. CPU是1950X需要那種品牌的散熱器，性能和質量

1950X是目前頂級CPU，需要用的散熱器也不能差的，如果是風冷散熱器，酷冷至尊V8散熱，499塊，如果是一體水冷散熱器，海盜船H100i GTX一體水冷，899塊，這些散熱效果和質量都不錯

B. 線程撕裂者1950x和英特爾i7-8700k哪個更好

英特爾吧，兩款都是高端U，你的日常使用都可以滿足，如果不關注價格，英特爾更好一些。畢竟老大，很多軟體和游戲的優化要好，而且架構方面也有優勢。

C. amd 1950x 一套機要多少錢

照著1.5萬起吧

再加顯卡，機箱，外設的話小2萬

D. TR 1950x配內存有什麼需要特別注意的嗎

==沒什麼需要注意的 正常配就行 如果雙通道 就選擇同廠家同頻率同款的就好了

E. 銳龍1950x相當於什麼intel什麼系列

推測差不多是未上市的7920x到7940x之間的水平，比10核的7900x綜合性能要強，但由於內部是四片晶圓組成，中間的同步率肯定是不如一片晶圓硅，核心數量相同的cpu，i9中16核的是未上市的7960x，加上主頻比較高，7960x肯定強於1950x，7920x最大4.3G，12核，7940x最大4.2G，14核，估計跟7920x比較接近。
但這中間有一個問題，1950x跟7900x同價格，所以如果看重性價比，1950x的性價比要好不少。

F. AMD 1950X的磁碟性能是不是很糟糕

首先 1950X本質是由倆個8C Zen核心通過IF匯流排高速互聯的雙路結構。
一個CPU能影響到磁碟什麼性能，無法理解。至少對日常辦公打游戲什麼的，這種伺服器U是沒有什麼提升的。除了在工程方面有需求的例如做workstations的需要外

G. 1950x穩定4.0需要多少電壓

、單選題：

1．金屬導體電阻值隨著溫度升高（ ） A：增 B：減少 C：恆定 D：變弱

2．純電電路抗（ ） A：L B：ωL C：1/ωL D：1/2πfL

3．弦交流電阻電路確反映電流電壓關系式（ ） A：i=U/R B：i=Um/R C：I=U/R D：I=Um/R

4．些情況縮短晶閘管導通間加觸發電流（兩倍）電流稱（ ） A：觸發電流 B：強觸發電流 C：掣位電流 D：導通電流

5．三相負載接三相電源若各相負載額定電壓等於電源線電壓1/ 應作（ ）連接 A：星形 B：三角形 C：口三角形 D：雙星形

6．單相弦交流電路功功率表達式（ ） A：UI B： UI C：UIcosφ D：UIsinφ

7．純電容交流電路電流與電壓相位關系電流（ ） A：超前90° B：滯90° C：同相 D：超前0~90°

8．兩弦量u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V則（ ）A：u1超前u290° B：u2比u1超前90° C：能判斷相位差 D：

9．射極輸器輸阻抗（ ）故用輸極 A：較高 B：低 C：高低 D：高

10．二極體半波整流負載兩端直流電壓等於（ ） A：0.75U2 B： U2 C：0.45U2 D：0.9U2

11．三相變壓器連接組別表示（ ） A：原付邊線電壓相位關系 B：原付邊同名端關系 C：原付邊相電壓至關系 D：原付邊電流關系

12．射極輸器電壓放倍數約等於（ ） A：80--100 B：1 C：<50

13．晶閘管控制角越則輸電壓（ ）A：越高 B：移相位 C：越低 D：越

14．某弦交流電壓初相角φU=π/6t=0其瞬值（ ） A：於零 B：於零 C：等於零 D：定

15．已知msinwt第達值刻0.005s則第二達值刻（ ） A：0.01s B：0.025s C：0.05s D：0.075s

16．U=311sin（314t-15°）伏則U=（ ）伏 A：220∠-195° B：220∠1950° C：311∠-15° D：220∠-15°

17．實際電壓源與實際電流源等效互換內電路言（ ） A：等效 B：等效 C：電路線性等效 D：電路非線性等效

19．任條件具備都肯定結論（ ）邏輯

A：與 B：或 C：或非 D：非

20．放電路穩定輸電流應引入（ ）

A：電壓負反饋 B：電壓反饋 C：電流負反饋 D：電流反饋

21．Z=A+B（ ）邏輯

A：與 B：與或非 C：與或非 D：或非

22．三極體放電路增強帶負載能力應採用（ ）放電路

A：共發射極 B：共基極 C：共集電極 D：共陰極

23．結論給定條件相反邏輯（ ）

A：與 B：或 C：與非 D：非

24．已知放電路三管腳電位（1）0V；（2）0.7V；（3）6V則該三極體（ ）型

A：NPN B：PNP C：硅管 D：鍺管

25．放器採用射極偏置改善工作點偏離（ ）

A：電流反饋 B：電流負反饋 C：電壓反饋 D：電壓負反饋

26．控硅向阻斷（ ）

A：控硅加向陽極電壓控制極加反向電壓 B：控加廠向陽極電壓控制極加反向電壓

C：控硅加反向陽極電壓控制極加向電壓 D：控硅加反向陽極電壓控制極加反向電壓

27．三相稱負載三角形連接已知：相電流IBC=10∠-10°安則線電流I=（ ）安

A：17.3∠-40° B：10∠-160° C：10∠80° D：17.3∠80°

28．單相半波控硅整流電路決定控制角元件（ ）

A：U2 B：U2/2 C： U2 0.45U2

29．所條件都具備才肯定結論（ ）邏輯

A：與非 B：或非 C：與 D：非

30．單相橋式半控整流電路通改變控制角負載電壓（ ）間連續調

A：0~0.45U2 B：0~0.9U2 C：0~U2 D：0~2.34U2

31．已知：I=-14.1sin100πtA其電流相量I=（ ）A

A：14.1∠0° B：14.1∠180° C：10∠0° D：10∠-180°

32．控硅導通條件( )

A：陽極與陰極加向電壓控制極與陽極加反向電壓 B：陽極與陰極加向電壓控制極與陰極加向電壓

C：陽極與陰極加反向電壓控制極與陽極加反向電壓 D：陽極與陽極加反向電壓控制極與陰極加向電壓

33．晶體三極體發射結反偏置、集電結處於偏置晶體三極體處於（ ）工作狀態

A：放 B：截止 C：飽 D：路

34．晶體三極體發射結處於偏集電結處反偏則三極體工作狀態（ ）

A：飽 B：截止 C：放 D：導通

35．已知e=311sin (314t+5°)V其相量E=（ ）

A：311∠5° B：220∠5° C：220∠+185° D：220∠+175°

36．戴維南定理適用於（ ）

A：外部非線性電路 B：外部線性電路 C：內部線性含源電路 D：內部電路非線性含源電路

37．控硅（ ）PN結組

A：1 B：2 C：3 D：4

38．電容器電流I=CΔUC/ΔtUC增電容器（ ）

A：充電程並吸取電能轉換電場能 B：充電程並吸取電場能轉換電能

C：放電程並由電場能釋放電能 D：放電程並由電能釋放電場能

39．晶體三極體處於放工作狀態測集電極電位6V基極電位0.7V發射極接則該三極體（ ）型

A：NPN B：PNP C：N D：P

40．已知：電流I=6+j8電源頻率50Hz其瞬值表達式I=（ ）

A：10 sin (314t+53.1°) B：10 sin (314t+36.9°)

C：10sin (314t+53.1°) D：10sin (314t+36.9°)

41．共發射極放器集電極電阻RC作用（ ）

A：實現電流放 B：晶體管電流放轉變速器電壓放 C：電流放與電壓放 D：穩定工作點

42．三相電源Y連接已知UB=220∠-10°伏其UAB=（ ）伏
二、選題：

1．弦交流電路列公式確（ ）

A：ic=c/dt B：Ic=jwcU C：UC=-jwct D：XC=1/wc E：QC=UIsinφ

2．基本邏輯運算電路三種即（ ）電路

A：與非門 B：與門 C：非門 D：或非門 E：或門

3．於三相稱交流電路論星形或三角形接列結論確（ ）

A：P=3UmImcosφ B：S= 3UmIm C：Q= U1I1sinφ D：S= E：S=3UI

4．級放器極間耦合形式（ ）

A：二極體 B：電阻 C：阻容 D：變壓器 E：直接

5．電電路基本邏輯電路（ ）

A：與門 B：非門 C：與非 D：或門 E：異或

6．基爾霍夫定律（ ）

A：節點電流定律 B：路電壓定律 C：路電流定律 D：節點電壓定律

7．弦交流電三要素（ ）

A：值 B：初相角 C：角頻率 D：串聯 E：並聯

8．我規定三相電力變壓器聯結組別（ ）等

A：Y/Δ-11 B：Y0/Δ-11 C：Y0/Y-12D：Y/Y-12 E：Y/Δ-7

9．提高功率數（ ）

A：並聯適電容器 B：電路串聯適電容器 C：並聯電抗器 D：串聯電容器 E：串聯適電量

10．三相負載稱（ ）

A：各相阻抗值相等 B：各相阻抗值差 C：各相阻抗復角相差120° D各相阻抗值復角相等 E：各相阻抗復角相差180°

11．晶閘管導通條件（ ）

A：陽極與陰極間加向電壓 B：陽極與陰極間加反向電壓

C：控制極與陰極間加向電壓 D：控制極與陰極間加反向電壓 E：陽極與控制極間加向電壓

12．弦交流電路列程哪些確（ ）

A：IL=U/XL B篣C=Xcic C：U=Ri D：X=X1+X2+X3 E：Z=Z1+Z2+Z3

13．交流電用相量表示稱符號幾種形式（ ）

A：代數式 B：三角式 C：幾何式 D：指數式 E：極坐標式

14．提高功率數處（ ）

A：充發揮電源設備容量 B：提高電機力 C：減少線路功率損耗

D：減少電機啟電流 E：提高電機功率

15．電橋外接電源高低產（ ）現象

A：損壞電阻 B：降低靈敏度 C：降低精確度 D：調零 E：讀數准

16．關斷晶閘管（ ）

A：切斷控制極電壓 B：斷陽極電源 C：降低向陽極電壓 D：給陽極加反向電壓 E：減少控制極電流

17．三根電源作Y連接線電壓與相電壓（ ）倍且線電壓超前相電壓（ ）

A： B： C：60° D：30° E：90°

18．三相稱性負載別採用三角形Y形接同電源則結論：（ ）

A：負載相電壓：UΔ相=3UY相 B：線電流：IΔ相=3IY C：功率：PΔ=3PY D：相電流：IIΔ相= IY E：承受相電壓相同

19．電力系統採用並聯補償電容器進行功補償主要作用（ ）

A：提高功率數 B：提高設備力 C：降低功率損耗電能損失 D：改善電壓質量 E：改善架空線路防雷性能

20．RLC串聯弦交流電路XL=XC電路發諧振諧振特性（ ）

A：電容電壓與電電壓相等向相反 B：電路電流 C：電路阻抗

D：電路功功率0 E：電阻電壓與外加電壓相等向相反

21．單相變壓器連接組測定（ ）

A：直流 B：電阻 C：交流 D：功率測量 E：交流電流

22．戴維南定理適用外部電路（ ）電路

A：線性 B：整流 C：放 D：非線性 E：飽

23．已知放電路三極體三管腳電位（1）0V（2）0.7V（3）6V該三極各管腳應電場（ ）

A：（1）基極 B：（2）基極 C：（1）發射極 D：（3）集電極 E：（3）發射極

24．三極體極限參數主要（ ）

A：集電極允許電流ICM B：集—射極擊穿電壓（基極路）UCEO C：集電極—基極反向飽電流ICBO

D：穿透電流ICEO E：集電極允許耗散功率PCN

25．放電路三種組態（ ）

A：共發射極放 B：共集電極放 C：飽 D：截止 E：共基極放

26．設三相弦交流電ia=Imsinωt則ib（ ）

A：ib=Imsin (ωt -120°) B：ib=Imsin (ωt +240°)

C：ib=Imsin (ωt -240°) D：ib=Imsin (ωt +120°) E：ib=Imsin (ωt ±0°)

27．三極體三種工作狀態（ ）

A：路 B：放 C：截止 D：短路 E：飽

28．晶閘管阻斷作用（ ）

A：向阻斷 B：反向阻斷 C：向偏置 D：反向偏置 E：門極偏置

29．提高功率數意義（ ）

A：充利用設備容量 B：提高供電質量 C：線路功率電壓損耗減 D：節約經濟支 E：節省線路投資

30．放電路三種組態（ ）

A：低頻放器 B：共集極放器 C：共基極放器 D：極放器 E：共發射極放器

三、判斷題：

1．功率數負載電路電壓U與電流I相位差越功率數越（ ）

2．TTL集電路全稱晶體管—晶體管邏輯集電路 （ ）

3．三極體發射結集電結都處於偏狀態三極體定工作飽區（ ）

4． 晶體三極體放器消除濕度變化影響般採用固定偏置電路（ ）

5．控硅整流電路觸發脈沖定能量要求脈搏沖電流太控硅導通 （ ）

6．兩同頻率弦量相位差叫相位差（ ）

7．並聯電容器提高性負載本身功率數 （ ）

8．疊加原理能用嚴寒計算電壓電流能用計算電路功率（ ）

9．晶閘管控制角越電壓則越高 （ ）

10．某電氣元件兩端交流電壓相位超前於流面電流則該元件容性 負載（ ）

11．晶閘管導通條件晶閘管加向電壓門極加反向電壓 （ ）

12．晶閘管具反向阻斷能力（ ）

13．電元件電路消耗能量功負荷（ ）

14．所謂部電路歐姆定律其部電路指含電源電路（ ）

15．線圈磁通產應電勢與磁通比（ ）

16．射極輸器僅能作電壓放器主要增加輸入阻抗減低輸阻抗（ ）

17．晶閘管觸發電路脈沖前沿要陡前沿升間超100μs （ ）

18．單結晶體管具發射極、基極、集電極 （ ）

19．單結晶體管發射極電壓高於谷點電壓晶體管導通 （ ）

20．純電負載功率數零純電容負載功率數1

填空 1、變壓器空載電流（功）（功量）較所變壓器空載其功率數（低）並且（性） 2、做空載器空載試驗便於選擇儀表設備及保證試驗安全般都(低壓)側接儀表電源使(高壓)側路 3、鐵性能試驗主要內容 已經替換掉< 測試(空載電流)(空載損耗) 4、三相非同步電機安全繞組若採用單層繞組則匯流排圈數等於(總槽數半)若採用雙層疊繞組則匯流排線圈數等(總槽數)每極每相含 Z1/ （ 2Pm) 線圈 5、變壓器運行其總損耗隨負載變化變化其(鐵耗)變(銅耗)變化 6、隨著負載變化變壓器效率發變化(變損耗)等於(變損耗)其效率高 7、電焊變壓器必須較高(電抗)且(調節) 其外特性應(陡降) 8、絕緣處理工藝主要包括（預烘 、浸漆乾燥） 三程 9、非同步電機做耐壓試驗電壓升（半值）應逐漸升至全值般少於（10 秒）免受沖擊電壓影響保持（1）鍾再降至（半值）切斷電源 10 、交流控制電機（伺服電機、測速發電機自整角機）三類 11 、觸點電磨損由觸點間（電弧）或（電火）高溫使觸點金屬氣化蒸造機械磨損由於觸點接觸面（撞擊）造 12 、交流接觸器柵片滅弧原理由於觸點鐵質柵片（磁阻）電弧部磁通都進入（柵片）使電弧周圍空氣磁場布形式（疏密）電弧拉入滅弧柵電弧柵片割若干短弧使起弧電（高於）電源電壓並產（陰極）效應柵片量吸收電弧（熱量）所電弧熄滅 13 、觸點壓力（終壓力） （初壓力）觸點終壓力主要取決於觸點（材料）與導體允許（溫升）及電機（穩定性）觸點壓力於交流接觸器般按終壓力（65%~90%）調整直流接觸器按終壓力（60%~80%）調整 14 、電磁式斷電器釋放電壓（電流）值取決於銜鐵（吸終間隙）其（彈簧壓力） 15 、三相繞組轉非同步電機用頻敏變阻器起起程其等效電阻變化（）變（）其電流變化（）變（） 16 、同步電機起（輔助電機）起（調頻）起（非同步）起用（非同步）起性 17 、自耦變壓器具（抽）獲同（變比）籠型電機採用自耦變壓器起其起電流起轉矩均按變比（平）倍降低種適用容量（較）能工作並接（ Y）形接（Y）-（Δ）起籠型電機 18 、繞線轉非同步電機應頻敏變阻器起若剛起起轉矩機械（沖擊）起完畢穩定轉速低短接沖擊電流較鐵間（增加）氣隙 19 、橋式起重機放重物電機產電磁轉矩重物力矩向（相反）電機串入電阻越重物降速度（越快） 20 、功率表量程包括（電流、電壓功率） 三種 21 、使磁電測量機械能測量較電壓般需測量機構線路（串接電阻）所測電壓越（串接電阻阻值越） 22 、磁電儀表能用測量（直流電） 且使用要注意通電想用其測量（極性）必須配整流器組（交流電）儀表 23 、見負反饋四種組態（電壓並聯 、電壓串聯、電流串聯電流並聯） 24 、加二級管反向電壓增定數值反向電流突增該反向電壓值稱（反向擊穿電壓）現象叫做（反向擊穿）現象 25 、使晶閘管能夠靠觸發要求觸發脈沖具定（幅度）（寬度）尤其帶性負載脈沖具定（寬度）更重要 26 、變壓器部截門補油使變壓器底（臟物）沖入繞組內影響變壓器（絕緣）（散熱） 27 、判斷導線接發熱通（示溫蠟片監視、用測溫儀監視、色漆變化現象） 28 、電氣設備工作保證安全技術措施（停電、驗電、裝設接線、懸掛標示牌及設置臨遮欄、工作完恢復送電） 29 、電壓互器停電應先斷（關保護自裝置）斷（電壓互器） 31 、零序電壓接故障點（）故障點距保護安裝處越近該處零序電壓（越） 32 、瓦斯繼電器裝變壓器（油箱）（油枕）間聯接管道 33 、間繼電器作用（延） 間繼電器作用（轉）（放）信號繼電器作用（作指示）繼電保護裝置都採用（電磁）式結構 34 、電壓繼電器（電壓）（欠電壓） 兩種般都採用（電磁）式與電流繼電器同處於電壓繼電器（線圈匝數）且（線徑） 35 、變壓器故障（內部故障外部故障）兩點 二、選擇題 1、直流電機要實現反轉需要調電櫃電源極性其勵磁電源極性（ A ） A、保持變 B、同調 C、變與變均 2、（ C ）由於電樞電源換向較容易同都設換向極 A、串勵直流電機 B、直流測速電機 C、直流同服電機 D、交磁電機擴機 3、變壓器繞組若採用交疊式放置絕緣便般靠近磁軛位置安放（ A ）
問答：
：用單臂電橋應注意些
二：二級管些參數參數意義
三：叫電壓繼電器與電磁繼電器 同
四：接觸器工作原理畫自保線路
五：電氣控制線路用環節些

H. Ryzen 1950X和1920X哪個好 AMD銳龍1920X與1950X區別對比

1950X好

I. 玩游戲的話，是1950x好還是8700好

如果光考慮游戲性能的話8700性能是略優於1950x(不論是性價比還是游戲性能)
不過如果有買1950x的錢來玩游戲那我更推薦買8700k而不是8700,8700k只比8700貴500左右(現在價格是這樣子，以後不確定)，核心數和8700相同但是主頻更高。
現在主流游戲對多線程優化並不好，一般只要那麼幾個線程(主要做運算的只有1~2個線程)，因此用來打游戲核心少頻率高的8700k是最好的

J. 1950x和7900X哪個強

網路cpu天梯圖，自己看應該1950X強一點。