5納米晶元挖礦機

㈠ 5nm的晶元是什麼意思

平時所講5nm或者7nm說的是晶體管的寬度（也叫線寬）。

晶元最底層的器件就是mos管，特徵尺寸越小，製造出的mos管越小，這代表晶元的集成度越高，進而成本降低。在晶元占據相同面積的條件下，集成越高的晶元能夠塞入更多的功能電路。

同主頻情況下，5nm比7nm製程節能30％；同功耗下，5nm的性能比7nm提升15％，功耗就直接體現在手機電池的待機時間上了。

晶元工藝從14nm到10nm再到最近的7nm和5nm，每一次製程的升級，都伴隨著cpu的巨大升級。據計算，晶體管寬度每前進1nm性能將提升30％－60％，從而實現在體積不變的前提下，提升性能，降低能耗。

更先進的製造工藝會使處理器的核心面積進一步減小，也就是說在相同面積的晶圓上可以製造出更多的CPU產品，直接降低了CPU的產品成本，從而最終會降低CPU的銷售價格使廣大消費者得利。

(1)5納米晶元挖礦機擴展閱讀：

由於硅是由硅原子組成的，最小的晶體管也至少要比硅原子大，目前已知硅原子的直徑大約是0．22nm，再考慮到原子之間的距離，理論極限至少是0．5nm，但目前沒人可以達到。

而要讓製程變得更先進，代價非常大，畢竟到納米級別的晶體管，每精細一點點，需要的投入呈幾何倍增長。

當達到10nm級別的製程時，越往下研究，難度越大，門檻越高，投入也越大，所以一些晶元代工廠就放棄了往下鑽研了，畢竟目前80％以上的晶元都是10nm及以上工藝製程的。

㈡ 央視: 中國中微正式宣布掌握5nm刻蝕機技術!

當中國中微公司宣布已經掌握5nm刻蝕機技術並領先全球的時候，有不少國內自媒體再次站出來，義正言辭地宣布中國的晶元製造業已經領先全球，不懼美國、荷蘭、德國、日本等高科技國家。

就5nm刻蝕機技術而言，中微確實已經步入世界領先水平，但絕沒有像公眾號鼓吹的那般「實現彎道超車」。其實晶元製造業的上下游供應商和製造商有很多，中微也僅是在這一個閉環中的一個環節上取得領先地位，但在晶元製造業的整體水平仍是落後狀態。

荷蘭ASML公司幾乎壟斷了全球的高端光刻機生產及供應，尤其是EUV光刻機，在2019年僅向全球供應了26台，其中近一半都被提供給了中國台灣的台積電。而中國大陸的中芯國際連續多年向ASML公司提出購買要約，並先期支付巨額交易費用，卻遲遲等不到荷蘭ASML方面發貨的消息。

㈢ 我國的光刻機5納米生產技術要多久才能突破

月初一條「中科院5nm激光光刻技術突破」的新聞火了，在很多無良自媒體的口中這則新聞完全變了味，給人的感覺像是中國不久將會擁有自己的5nm光刻機，其實真實情況完全不是一回事。下面我們就來談談這則新聞真實的內容到底是什麼，以及中國光刻機5nm生產技術還要多久才能取得突破。

中國和荷蘭ASML的差距最起碼也在十年以上現在國內最好的光刻機生產企業應該是上海微電子，目前生產的最好光刻機也只是90nm的製程。盡管有傳言說上海微電子明年將會推出28nm的全新光刻機，但是和ASML的EUV光刻機精度依舊相差甚遠。中國想要生產5nm的光刻機有一個最大的難點，就是自主研發。這不光意味著我們需要跨越從28nm到5nm這個巨大的障礙，並且在突破的過程中最好不要使用其他國家的專利，只能發展出一條屬於自己的光刻機道路。需要達成這么多的條件，研發的難度可想而知。總的來說短時間內我國的光刻機技術取得重大突破的概率為0，還是要被人牽著鼻子走。落後就要被挨打卡脖子在任何時候都是真理，只希望我們國家的科研人員能夠迎頭趕上，盡快取得突破吧。

㈣ 國產晶元訂單量井噴，國產晶元現在處於什麼水平

國產晶元現在處於什麼水平:

中國的晶元製造技術在快速發展，同時存在工藝落後、產能不足、人才緊缺等問題。

目前發達國家的晶元工藝是要比國內的先進很多，而國內晶元發展也是屢屢受到阻礙，但這些都只是短暫的，同時還能刺激國產晶元的發展節奏，在未來不久的時間中，國產晶元會有著越發壯大，遲早會追趕上發達國家的腳步。

在區塊鏈技術火爆的今天，礦機專用的晶元基本上已經被中國的產品所壟斷。挖礦用的晶元起初只是普通電腦的CPU，後來是GPU、FPGA晶元，再後來中國的創業者通過把其中不必要的部件都減掉，造出來專門用來挖礦的晶元，把算力和能耗發揮到極致，再加上中國強大的基礎製造體系，一舉壟斷了這個新興的市場。

在傳統晶元領域已經被巨頭壟斷的當今，一些面向專門的應用領域的晶元是中國未來實現彎道超車的重點，除了上面提到的手機晶元、礦機晶元，還有專門用於人工智慧計算的AI晶元等等。

㈤ 為什麼中國的5納米刻蝕機不能突破華為的晶元壓制eimkt

中國目前還沒有生產出五納米刻蝕機，而且華為晶元從設計到製造都需要國外的技術和設備，並不是只缺一台光刻機。

㈥ 5nm晶元是什麼意思

5nm晶元是集成電路的規模生產能力，可靠性，電路設計的模塊化方法確保了快速採用標准化集成電路代替了設計使用離散晶體管。

集成電路對於離散晶體管有兩個主要優勢：成本和性能。成本低是由於晶元把所有的組件通過照相平版技術，作為一個單位印刷，而不是在一個時間只製作一個晶體管。性能高是由於組件快速開關，消耗更低能量，因為組件很小且彼此靠近。2006年，晶元面積從幾平方毫米到350 mm，每mm可以達到一百萬個晶體管。

這些年來，集成電路持續向更小的外型尺寸發展，使得每個晶元可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，見摩爾定律，集成電路中的晶體管數量，每1.5年增加一倍。總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標改善了，單位成本和開關功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級別設備的IC也存在問題，主要是泄漏電流。

因此，對於最終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯，製造商面臨使用更好幾何學的尖銳挑戰。這個過程和在未來幾年所期望的進步，在半導體國際技術路線圖中有很好的描述。

㈦ 硅基晶元物理極限是七納米，為何台積電卻依然能做出五納米的晶元

其實在各種晶元領域，所謂的物理極限都只是當時人們技術水平不夠所導致的理論極限，就比如在若干年之前，當時研究硅基晶元的人難道會想到現在的硅基晶元能做成這樣嗎？時代是在進步的，人類的科技水平每日都在更新，硅基晶元的物理極限被不斷被突破是一個非常正常的現象。

隨著人類的工藝進程不斷突破物理上的極限，人類的製造工藝也會達到一個又一個新的標准，不想被時代拋棄的話，只能不斷的自我進步，晶元絕對是世界上一個經久不衰的領域，這個領域的突破是可以直接代表了人類在科技水平上的突破。