半導體ltc

1. 特斯拉線圈的原理是什麼

特斯拉線圈的貌似就是兩個諧振線圈。
某網路中介紹特老剛開始做這個的時候是為了與愛迪生OOXX，愛迪生說交流電危險，然後特老就做了個特斯拉線圈，讓次級電流通過自己以反駁愛迪生的「謬論」。之後特老就開始向無線輸電的方向發展了（特老的無線輸電項目成功與否至今還是個迷），特老當年做的TC（特斯拉線圈縮寫）都是SGTC（火花間隙特斯拉）。特老之所以厲害是他能在當年就能把SGTC調諧振。

現在特斯拉線圈的分支有很多，最簡單的還是SGTC（不過效率低下，所以後來有了晶體管做開關元件的特斯拉線圈，效率大大提升）
OLTC（離線式特斯拉）
SSTC（固態特斯拉，這個的分支還有ISSTC，就是有滅弧的SSTC）
VTTC（電子管特斯拉）
DRSSTC（雙諧振固態特斯拉）

如果想做的話做個小的SGTC很簡單，成功率也很高（很容易出電弧，但是諧振很難調），如果你認識些賣原件的話，也花不了多少（100~300）不過這個只能拉電弧而且調諧振更會讓你糾結好久。
如果想放音樂的話 CLASS-E 的HIFI SSTC也不錯，不過需要電子基礎
提醒「這個實驗有一定的危險程度，請注意安全」
如果想做的話發郵件[email protected]細聊

2. 關於自製小型的特斯拉線圈..

小型特斯拉線圈還是比較安全的,它的放電電弧屬於高頻高壓電,由於高頻電流具有趨膚效應,所以,即使被特拉的電弧擊中也不過是,擊中點的輕微燒傷而已.真正危險的是那些天天懸在我們頭頂的工頻輸電線路,它可是要比被雷擊還要危險的工頻電流!
不知道樓主主要想做那種?一般的那種火花隙的,只需要有點動手能力就好了.這個網址就可以了
http://www.teralab.co.uk/Electronics/Tesla_Coil_1/Tesla_Coil_1_Page1.htm
http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Tesla_coil_3.svg
不好弄的就是高壓變壓器,你可以買一個霓虹燈變壓器代替
如果向做半導體的,去google搜索圖片"DRSSTC"\"OLTC"很多電路圖,和相關設計方案.
http://images.google.cn/images?gbv=2&hl=zh-CN&newwindow=1&sa=1&q=DRSSTC&aq=f&oq=
還有一種,電子管.稱之為VTTC.
http://images.google.cn/images?gbv=2&hl=zh-CN&newwindow=1&sa=1&q=VTTC&aq=f&oq=
另外半導體的比較安全,不容易觸電,但是經典火花器的,和電子管的要很危險,不是特斯拉危險,而是他們大都使用了高壓電源來驅動,如果觸電是比較痛苦的.
最後祝你好運,有問題我們再討論:)

3. IC型號的開頭和尾綴代表什麼意思

電子元器件,又叫電子晶元,半導體集成電路,廣泛應用於各種電子電器設備上.
封裝形式:
封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼.它不僅起著安裝,固定,密封,保護晶元及增強電熱性能等方面的作用,而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接.衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比,這個比值越接近1越好.
封裝大致經過了如下發展進程:
結構方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;
材料方面:金屬,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;
引腳形狀:長引線直插->短引線或無引線貼裝->球狀凸點;
裝配方式:通孔插裝->表面組裝->直接安裝.
英文簡稱
英文全稱
中文解釋
圖片
DIP
Double In-line Package
雙列直插式封裝.插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種.DIP是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標准邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等.
PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier
PLCC封裝方式,外形呈正方形,32腳封裝,四周都有管腳,外形尺寸比DIP封裝小得多.PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線,具有外形尺寸小,可靠性高的優點.
PQFP
Plastic Quad Flat Package
PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小,管腳很細,一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式,其引腳數一般都在100以上.
SOP
Small Outline Package
1968～1969年菲為浦公司就開發出小外形封裝(SOP).以後逐漸派生出SOJ(J型引腳小外形封裝),TSOP(薄小外形封裝),VSOP(甚小外形封裝),SSOP(縮小型SOP),TSSOP(薄的縮小型SOP)及SOT(小外形晶體管),SOIC(小外形集成電路)等.

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模擬濾波器 光纖通信 高速信號處理和轉換 無線/射頻
光線通訊,模擬 顯示支持電路 高頻模擬和混合信號ASIC
數字轉換器,介面,電源管理,電池監控 DC/DC電源 電壓基準
MAXIM前綴是"MAX".DALLAS則是以"DS"開頭.
MAX×××或MAX××××
說明:1後綴CSA,CWA 其中C表示普通級,S表示表貼,W表示寬體表貼.
2 後綴CWI表示寬體表貼,EEWI寬體工業級表貼,後綴MJA或883為軍級.
3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA後綴均為普通雙列直插.
舉例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通帶抗靜電保護
MAX202EEPE 工業級抗靜電保護(-45℃-85℃) 說明 E指抗靜電保護
MAXIM數字排列分類
1字頭 模擬器 2字頭 濾波器 3字頭 多路開關
4字頭 放大器 5字頭 數模轉換器 6字頭 電壓基準
7字頭 電壓轉換 8字頭 復位器 9字頭 比較器
DALLAS命名規則
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工業級
S=表貼寬體 MCG=DIP封
Z=表貼寬體 MNG=DIP工業級
IND=工業級 QCG=PLCC封 Q=QFP
下面是MAXIM的命名規則:
三字母後綴:
例如:MAX358CPD
C = 溫度范圍
P = 封裝類型
D = 管腳數
溫度范圍:
C = 0℃ 至 70℃ (商業級)
I = -20℃ 至 +85℃ (工業級)
E = -40℃ 至 +85℃ (擴展工業級)
A = -40℃ 至 +85℃ (航空級)
M = -55℃ 至 +125℃ (軍品級)
封裝類型:
A SSOP(縮小外型封裝)
B CERQUAD
C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封裝)
D 陶瓷銅頂封裝
E 四分之一大的小外型封裝
F 陶瓷扁平封裝
H 模塊封裝, SBGA(超級球式柵格陣列, 5x5 TQFP)
J CERDIP (陶瓷雙列直插)
K TO-3 塑料接腳柵格陣列
L LCC (無引線晶元承載封裝)
M MQFP (公制四方扁平封裝)
N 窄體塑封雙列直插
P 塑封雙列直插
Q PLCC (塑料式引線晶元承載封裝)
R 窄體陶瓷雙列直插封裝(300mil)
S 小外型封裝
T TO5,TO-99,TO-100
U TSSOP,μMAX,SOT
W 寬體小外型封裝(300mil)
X SC-70(3腳,5腳,6腳)
Y 窄體銅頂封裝
Z TO-92,MQUAD
/D 裸片
/PR 增強型塑封
/W 晶圓
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DSP信號處理器 放大器工業用器件 通信 電源管理 移動通信
視頻/圖像處理器等 模擬A/D D/A 轉換器 感測器 模擬器件
AD產品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等開頭的.
後綴的說明:1,後綴中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,後綴中帶R表示表示表貼.
2,後綴中帶D或Q的表示陶封,工業級(45℃-85℃).後綴中H表示圓帽.
3,後綴中SD或883屬軍品.
例如:JN DIP封裝 JR表貼 JD DIP陶封
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DSP 信號處理器等嵌入式控制器 高性能運放IC 存儲器 A/D D/A
模擬器件轉換介面IC等 54LS軍品系列 CD4000軍品系列
工業 / 民用電表微控制器等
TI產品命名規則:SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的後綴說明:
SN或SNJ表示TI品牌
SN軍標,帶N表示DIP封裝,帶J表示DIP(雙列直插),帶D表示表貼,帶W表示寬體
SNJ軍級,後面代尾綴F或/883表示已檢驗過的軍級.
CD54LS×××/HC/HCT:
1,無後綴表示普軍級
2,後綴帶J或883表示軍品級
CD4000/CD45××:
後綴帶BCP或BE屬軍品
後綴帶BF屬普軍級
後綴帶BF3A或883屬軍品級
TL×××:
後綴CP普通級 IP工業級 後綴帶D是表貼
後綴帶MJB,MJG或帶/883的為軍品級
TLC表示普通電壓 TLV低功耗電壓
TMS320系列歸屬DSP器件, MSP430F微處理器
BB產品命名規則:
前綴ADS模擬器件 後綴U表貼 P是DIP封裝 帶B表示工業級
前綴INA,XTR,PGA等表示高精度運放 後綴U表貼 P代表DIP PA表示高精度

INTEL產品命名規則: N80C196系列都是單片機 前綴:N=PLCC封裝 T=工業級 S=TQFP封裝 P=DIP封裝 KC20主頻 KB主頻 MC代表84引角 TE28F640J3A-120 快閃記憶體 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP www.issi.com SRAM,SDRAM,EDO/FPM DRAM, EEPROM,8051 系列單片機,ASIC及語音晶元 以"IS"開頭 比如:IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM 封裝: PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP 高性能模擬器件 電壓基準 運算放大器 數/模 模數轉換器 電源及馬達 控制線路 以產品名稱為前綴 LTC1051CS CS表示表貼 LTC1051CN8 CN表示DIP封裝8腳 www.amd.com FLASH 快閃記憶體 微處理器 雙埠RAM 先進先出器件FIFO 高速靜態存儲器SRAM 快速邏輯器件FCT 低功耗高速TTL系列 如74FCT16XXX系列 IDT的產品一般都是IDT開頭的. 後綴的說明:1,後綴中TP屬窄體DIP. 2,後綴中P 屬寬體DIP. 3,後綴中J 屬 PLCC. 比如:IDT7134SA55P 是DIP封裝 IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP

看看對你有沒有幫助。

4. TO-92是什麼封裝

什麼是封裝？

[頂]什麼是封裝？
IC產品的封裝常識
一、 什麼叫封裝
封裝，就是指把矽片上的電路管腳,用導線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接.封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護晶元及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接，從而實現內部晶元與外部電路的連接。因為晶元必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對晶元電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝後的晶元也更便於安裝和運輸。由於封裝技術的好壞還直接影響到晶元自身性能的發揮和與之連接的PCB(印製電路板)的設計和製造，因此它是至關重要的。
衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。封裝時主要考慮的因素：
1、 晶元面積與封裝面積之比為提高封裝效率，盡量接近1：1；
2、 引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠，以保證互不幹擾，提高性能；
3、 基於散熱的要求，封裝越薄越好。
封裝主要分為DIP雙列直插和SMD貼片封裝兩種。從結構方面，封裝經歷了最早期的晶體管TO（如TO-89、TO92）封裝發展到了雙列直插封裝，隨後由PHILIP公司開發出了SOP小外型封裝，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。從材料介質方面，包括金屬、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高強度工作條件需求的電路如軍工和宇航級別仍有大量的金屬封裝。
封裝大致經過了如下發展進程：
結構方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引腳形狀：長引線直插－>短引線或無引線貼裝－>球狀凸點；
裝配方式：通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝
二、 具體的封裝形式
1、 SOP/SOIC封裝
SOP是英文Small Outline Package 的縮寫，即小外形封裝。SOP封裝技術由1968～1969年菲利浦公司開發成功，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。
2、 DIP封裝
DIP是英文 Double In-line Package的縮寫，即雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。
< 1 >
3、 PLCC封裝
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的縮寫，即塑封J引線晶元封裝。PLCC封裝方式，外形呈正方形，32腳封裝，四周都有管腳，外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優點。
4、 TQFP封裝
TQFP是英文thin quad flat package的縮寫，即薄塑封四角扁平封裝。四邊扁平封裝（TQFP）工藝能有效利用空間，從而降低對印刷電路板空間大小的要求。由於縮小了高度和體積，這種封裝工藝非常適合對空間要求較高的應用，如 PCMCIA 卡和網路器件。幾乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封裝。
5、 PQFP封裝
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的縮寫，即塑封四角扁平封裝。PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式，其引腳數一般都在100以上。
6、 TSOP封裝
TSOP是英文Thin Small Outline Package的縮寫，即薄型小尺寸封裝。TSOP內存封裝技術的一個典型特徵就是在封裝晶元的周圍做出引腳， TSOP適合用SMT技術（表面安裝技術）在PCB（印製電路板）上安裝布線。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。
7、 BGA封裝
BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。20世紀90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，BGA封裝開始被應用於生產。
採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。
說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），屬於是BGA封裝技術的一個分支。是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
採用TinyBGA封裝技術的內存產品在相同容量情況下體積只有TSOP封裝的1/3。TSOP封裝內存的引腳是由晶元四周引出的，而TinyBGA則是由晶元中心方向引
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出。這種方式有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4，因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外頻，而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。
TinyBGA封裝的內存其厚度也更薄（封裝高度小於0.8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。因此，TinyBGA內存擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。
三、 國際部分品牌產品的封裝命名規則資料
1、 MAXIM 更多資料請參考 www.maxim-ic.com
MAXIM前綴是「MAX」。DALLAS則是以「DS」開頭。
MAX×××或MAX××××
說明：
1、後綴CSA、CWA 其中C表示普通級，S表示表貼，W表示寬體表貼。
2、後綴CWI表示寬體表貼，EEWI寬體工業級表貼，後綴MJA或883為軍級。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA後綴均為普通雙列直插。
舉例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通帶抗靜電保護
MAX202EEPE 工業級抗靜電保護（-45℃-85℃）,說明E指抗靜電保護MAXIM數字排列分類
1字頭 模擬器 2字頭 濾波器 3字頭 多路開關
4字頭 放大器 5字頭 數模轉換器 6字頭 電壓基準
7字頭 電壓轉換 8字頭 復位器 9字頭 比較器
DALLAS命名規則
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工業級 S=表貼寬體 MCG=DIP封 Z=表貼寬體 MNG=DIP工業級
IND=工業級 QCG=PLCC封 Q=QFP
2、 ADI 更多資料查看www.analog.com
AD產品以「AD」、「ADV」居多，也有「OP」或者「REF」、「AMP」、「SMP」、「SSM」、「TMP」、「TMS」等開頭的。
後綴的說明：
1、後綴中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，後綴中帶R表示表示表貼。
2、後綴中帶D或Q的表示陶封，工業級（45℃-85℃）。後綴中H表示圓帽。
3、後綴中SD或883屬軍品。
例如：JN DIP封裝 JR表貼 JD DIP陶封
3、 BB 更多資料查看www.ti.com
BB產品命名規則：
前綴ADS模擬器件 後綴U表貼 P是DIP封裝 帶B表示工業級 前綴INA、XTR、PGA等表示高精度運放 後綴U表貼 P代表DIP PA表示高精度
4、 INTEL 更多資料查看www.intel.com
INTEL產品命名規則：
< 3 >
N80C196系列都是單片機
前綴：N=PLCC封裝 T=工業級 S=TQFP封裝 P=DIP封裝
KC20主頻 KB主頻 MC代表84引角
舉例：TE28F640J3A-120 快閃記憶體 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP
5、 ISSI 更多資料查看www.issi.com
以「IS」開頭
比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM
封裝： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP
6、 LINEAR 更多資料查看www.linear-tech.com
以產品名稱為前綴
LTC1051CS CS表示表貼
LTC1051CN8 **表示*IP封裝8腳
7、 IDT 更多資料查看www.idt.com
IDT的產品一般都是IDT開頭的
後綴的說明：
1、後綴中TP屬窄體DIP
2、後綴中P 屬寬體DIP
3、後綴中J 屬PLCC
比如：IDT7134SA55P 是DIP封裝
IDT7132SA55J 是PLCC
IDT7206L25TP 是DIP
8、 NS 更多資料查看www.national.com
NS的產品部分以LM 、LF開頭的
LM324N 3字頭代表民品 帶N圓帽
LM224N 2字頭代表工業級 帶J陶封
LM124J 1字頭代表軍品 帶N塑封
9、 HYNIX 更多資料查看www.hynix.com
封裝： DP代表DIP封裝 DG代表SOP封裝 DT代表TSOP封裝。 不足之處歡迎補充

5. 充電電路原理圖解釋

上圖為充電器原理圖，下面介紹工作原理。

1.恆流、限壓、充電電路。該部分由02、R6、R8、ZD2、R9、R10和R13等元件組成。當接通市電叫，開關變壓器T1次級感應出交流電壓。經D4、C4整流濾波後提供約12.5V直流電壓。一路通過R6、R1l、R14、LED3(FuL飽和指示燈)和R15形成迴路，LED3點亮，表示待充狀態：另一路電壓通過R8限流，ZD2(5V1)穩壓，再由並聯的R9、R10和R13分壓為Q2b極提供偏置，使Q2處於導通預充狀態。恆流源機構由Q2與其基極分壓電阻和ZD2等元件組成。當裝入被充電池時12.5V電壓即通過R6限流，經Q2的c—e極對電池恆流充電。這時由於Ul(Ul為軟封裝IC型號不詳)與R6並聯。R6兩端的電壓降使其①腳電位高於③腳，②腳就輸出每秒約兩個負脈沖。

使LED2(CH充電指示燈)頻頻閃爍點亮，表示正在正常充電。隨著被充電池端電壓的逐漸升高，即Q2 e極電位升高，升至設定的限壓值(4.25V)時，由於Q2的b極電位不變，使Q2轉入截止，充電結束。這時Q2c極懸空，Ul的③腳呈高電位，U1的②腳輸出高電平，LED2熄滅。這時電流就通過R6、R11、R14限流對電池涓流充電，並點亮LED3。LED3作待充、飽和、涓流充電三重指示。

2.極性識別電路。此部分由R12和LEDl(TEST紅色極性指示燈)構成。保護電路由Q3和R7等元件構成。假設被充電池極性接反了。

LED1就正偏點亮，警告應切換開關K，才能正常充電。如果電池一旦接反，Q3的I)極經R7獲得正偏置，Q3導通，Q2的b極電位被下拉短路而截止，阻斷了電流輸出(否則電池就會被反充而報廢)，從而保護了電池和充電器兩者的安全。

6. 有誰用過立深鑫的LDO晶元嗎質量如何

LDO即low dropout regulator，是一種低壓差線性穩壓器。這是相對於傳統的線性穩壓器來說的。傳統的線性穩壓器，如78XX系列的晶元都要求輸入電壓要比輸出電壓至少高出2V~3V，否則就不能正常工作。但是在一些情況下，這樣的條件顯然是太苛刻了，如5V轉3.3V，輸入與輸出之間的壓差只有1.7v，顯然這是不滿足傳統線性穩壓器的工作條件的。針對這種情況，晶元製造商們才研發出了LDO類的電壓轉換晶元。
LDO晶元供應商：拍明芯城元器件商城
LDO 是一種線性穩壓器，使用在其線性區域內運行的晶體管或場效應管（FET），從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。正輸出電壓的LDO（低壓降）穩壓器通常使用功率晶體管（也稱為傳遞設備）作為 PNP。這種晶體管允許飽和，所以穩壓器可以有一個非常低的壓降電壓，通常為 200mV 左右；與之相比，使用 NPN 復合電源晶體管的傳統線性穩壓器的壓降為 2V 左右。負輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設備，其運行模式與正輸出 LDO 的 PNP設備類似。
更新的發展使用 MOS 功率晶體管，它能夠提供最低的壓降電壓。使用 功率MOS，通過穩壓器的唯一電壓壓降是電源設備負載電流的 ON 電阻造成的。如果負載較小，這種方式產生的壓降只有幾十毫伏。
DC-DC的意思是直流變（到）直流（不同直流電源值的轉換），只要符合這個定義都可以叫DC-DC轉換器，包括LDO。但是一般的說法是把直流變（到）直流由開關方式實現的器件叫DC-DC。
LDO是低壓降的意思，這有一段說明：低壓降（LDO）線性穩壓器的成本低，噪音低，靜態電流小，這些是它的突出優點。它需要的外接元件也很少，通常只需要一兩個旁路電容。新的LDO線性穩壓器可達到以下指標：輸出雜訊30μV，PSRR為60dB，靜態電流6μA（TI的TPS78001達到Iq=0.5uA），電壓降只有100mV(TI量產了號稱0.1mV的LDO)。 LDO線性穩壓器的性能之所以能夠達到這個水平，主要原因在於其中的調整管是用P溝道MOSFET，而普通的線性穩壓器是使用PNP晶體管。P溝道MOSFET是電壓驅動的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流；另一方面，採用PNP晶體管的電路中，為了防止PNP晶體管進入飽和狀態而降低輸出能力， 輸入和輸出之間的電壓降不可以太低；而P溝道MOSFET上的電壓降大致等於輸出電流與導通電阻的乘積。由於MOSFET的導通電阻很小，因而它上面的電壓降非常低。
如果輸入電壓和輸出電壓很接近，最好是選用LDO穩壓器，可達到很高的效率。所以，在把鋰離子電池電壓轉換為3V輸出電壓的應用中大多選用LDO穩壓器。雖說電池的能量最後有百分之十是沒有使用，LDO穩壓器仍然能夠保證電池的工作時間較長，同時噪音較低。
如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近，就要考慮用開關型的DCDC了，因為從上面的原理可以知道，LDO的輸入電流基本上是等於輸出電流的，如果壓降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。
DC-DC轉換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。DC-DC轉換器的優點是效率高、可以輸出大電流、靜態電流小。隨著集成度的提高，許多新型DC-DC轉換器僅需要幾只外接電感器和濾波電容器。但是，這類電源控制器的輸出脈動和開關噪音較大、成本相對較高。
近幾年來，隨著半導體技術的發展，表面貼裝的電感器、電容器、以及高集成度的電源控制晶元的成本不斷降低，體積越來越小。由於出現了導通電阻很小的MOSFET可以輸出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如對於3V的輸入電壓，利用晶元上的NFET可以得到5V/2A的輸出。其次，對於中小功率的應用，可以使用成本低小型封裝。另外，如果開關頻率提高到1MHz，還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。有些新器件還增加許多新功能，如軟啟動、限流、PFM或者PWM方式選擇等。
總的來說，升壓是一定要選DCDC的，降壓，是選擇DCDC還是LDO，要在成本，效率，雜訊和性能上比較。
結構
LDO低壓差線性穩壓器的結構主要包括啟動電路、恆流源偏置單元、使能電路、調整元件、基準源、誤差放大器、反饋電阻網路和保護電路等。基本工作原理是這樣的：系統加電，如果使能腳處於高電平時，電路開始啟動，恆流源電路給整個電路提供偏置，基準源電壓快速建立，輸出隨著輸入不斷上升，當輸出即將達到規定值時，由反饋網路得到的輸出反饋電壓也接近於基準電壓值，此時誤差放大器將輸出反饋電壓和基準電壓之間的誤差小信號進行放大，再經調整管放大到輸出，從而形成負反饋，保證了輸出電壓穩定在規定值上，同理如果輸入電壓變化或輸出電流變化，這個閉環迴路將使輸出電壓保持不變，即：Vout=(R1+R2)/R2 ×Vref
實際的低壓差線性穩壓器還具有如負載短路保護、過壓關斷、過熱關斷、反接保護等其它的功能。
工作原理
取樣電壓加在放大器A的反相輸入端，與加在同相輸入端的基準電壓Uref相比較，兩者的差值經放大器A放大後，控制串聯調整管的壓降，從而穩定輸出電壓。當輸出電壓Uout降低時，基準電壓與取樣電壓的差值增加，比較放大器輸出的驅動電流增加，串聯調整管壓降減小，從而使輸出電壓升高。相反，若輸出電壓Uout超過所需要的設定值，比較放大器輸出的前驅動電流減小，從而使輸出電壓降低。供電過程中，輸出電壓校正連續進行，調整時間只受比較放大器和輸出晶體管迴路反應速度的限制。
應當說明，實際的線性穩壓器還應當具有許多其它的功能，比如負載短路保護、過壓關斷、過熱關斷、反接保護等，而且串聯調整管也可以採用MOSFET。
生產廠家
TOREX,SII,ROHM,RICOH,Diodes,Prisemi，Ame,TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild,Micrel,Natlinear,MPS,AATI，ACE,ADI,ST等；

7. 為什麼特斯拉的發明到現在仍然是機密

尼古拉特斯拉我覺得是至今最接近神的存在，聽說他的腦子里邊想到的那些都是三百年之後發生的的事情。尼古拉斯特斯拉之前語言交流電會充斥著我們的生活，與當時的愛迪生還討論過這些問題，但是愛迪生當時就覺得其實直流電就夠用了，但是到現在證實了，特斯拉是正確的。

四、他有圖片記憶功能

特斯拉擁有這樣能力，因此當他閱讀書籍和期刊的同時，特斯拉已經把他讀到的所有信息轉化為記憶存入大腦。就像存入了內部圖書館，可以隨意調取閱讀，所以，特斯拉很少畫他的發明，直接從腦海中的圖片或工作記憶中讀取資料。

特斯拉去世後，其實就算他是美國公民，但是他的很多東西還是被美國部門拿走了，並且是封存。材料多到被人形容為一個「裝載著特斯拉材料的火車車廂」過了一段時間後，他的家人被告知了一些項目，其他的則保留在特斯拉博物館，位於貝爾格萊德，塞爾維亞(他的骨灰也在哪裡)。特斯拉的一些文件和論文仍然是機密，雖然有人通過《信息自由法》請求解釋項目，就算被公開的這些項目也都是經過修訂了。最後，人們往往不知道誰是尼古拉•特斯拉，也不知道在他死亡之前，他已經領導開發了自由能源。

8. proteus 元件庫

朋友，與你類似的問題我回答過好像有三到四次了，沒有的這種元件庫的，proteus沒有protel 的功能那麼強大，有沒有隻能看你的版本的檔次了，沒有就沒有的，
補充：不曉得你的proteus 為幾版本的，好像最高有7.15的，我用的是7.14的，你可到網路收下，或GOUGOU里收下，看有沒有

補充：（參考參考 ）
Proteus原理圖元器件庫詳細說明
Device.lib 包括電阻、電容、二極體、三極體和PCB的連接器符號
ACTIVE.LIB 包括虛擬儀器和有源器件
DIODE.LIB 包括二極體和整流橋
DISPLAY.LIB 包括LCD、LED
BIPOLAR.LIB 包括三極體
FET.LIB 包括場效應管
ASIMMDLS.LIB 包括模擬元器件
VALVES .LIB 包括電子管
ANALOG.LIB 包括電源調節器、運放和數據采樣IC
CAPACITORS.LIB 包括電容
COMS.LIB 包括 4000系列
ECL.LIB 包括ECL10000系列
MICRO.LIB 包括 通用微處理器
OPAMP.LIB 包括 運算放大器
RESISTORS.LIB 包括 電阻
FAIRCHLD .LIB 包括FAIRCHLD 半導體公司的分立器件
LINTEC.LIB 包括 LINTEC公司的運算放大器
NATDAC.LIB 包括 國家半導體公司的數字采樣器件
NATOA.LIB 包括 國家半導體公司 的運算放大器
TECOOR.LIB 包括TECOOR公司的 SCR 和TRIAC
TEXOAC.LIB 包括 德州儀器公司的運算放大器和比較器
ZETEX .LIB 包括ZETEX 公司的分立器件
也許部分因版本回有所不同，這是 PROTEUS 6.7的版本。

9. 什麼是ltcc陶瓷基板

LTCC的優勢 與其它集成技術相比，LTCC有著眾多優點： 第一，陶瓷材料具有優良的高頻、高速傳輸以及寬通帶的特性。根據配料的不同，LTCC材料的介電常數可以在很大范圍內變動，配合使用高電導率的金屬材料作為導體材料，有利於提高電路系統的品質因數，增加了電路設計的靈活性； 第二，可以適應大電流及耐高溫特性要求，並具備比普通PCB電路基板更優良的熱傳導性，極大地優化了電子設備的散熱設計，可靠性高，可應用於惡劣環境，延長了其使用壽命； 第三，可以製作層數很高的電路基板，並可將多個無源元件埋入其中，免除了封裝組件的成本，在層數很高的三維電路基板上，實現無源和有源的集成，有利於提高電路的組裝密度，進一步減小體積和重量； 第四，與其他多層布線技術具有良好的兼容性，例如將LTCC與薄膜布線技術結合可實現更高組裝密度和更好性能的混合多層基板和混合型多晶元組件； 第五，非連續式的生產工藝，便於成品製成前對每一層布線和互連通孔進行質量檢查，有利於提高多層基板的成品率和質量，縮短生產周期，降低成本。 第六，節能、節材、綠色、環保已經成為元件行業發展勢不可擋的潮流，LTCC也正是迎合了這一發展需求，最大程度上降低了原料，廢料和生產過程中帶來的環境污染。

10. ltc336三極體

是一種電流控制電流的半導體器件。
三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型晶體管、晶體三極體，是一種電流控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號，也用作無觸點開關。晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。可用來對微弱信號進行放大和作無觸點開關。它具有結構牢固、壽命長、體積小、耗電省等一系列獨特優點，故在各個領域得到廣泛應用。