LTC快閃記憶體
⑴ 怎麼查詢蘋果6是mtc還是ltc
1、已越獄的iPhone 6或iPhone 6 Plus，且安裝了Cydia，
2、Windows系統請下載iFunbox電腦端工具(網路一下)，Mac系統自帶命令行工具。
●詳細檢測步驟：
1、在已越獄的iPhone 6/6 Plus上，進入Cydia搜索安裝OpenSSH、IOKit Tools兩個插件，前者用於在電腦上控制iPhone，後者是iPhone的快閃記憶體類型檢測工具;
安裝IOKit Tools和OpenSSH插件
2、請確保在此之前已經安裝iTunes，內含連接iPhone的必要驅動，然後將iPhone連接至電腦;
3、打開iFunbox工具，直接運行iFunbox.exe文件，如有殺毒文件阻止請放行;
iFunbox快捷工具箱
4、在「快捷工具箱」選項中，點擊SSH終端，首次打開會要求更改默認密碼，此時可選擇先不更改;
5、輸入【ioreg -lw0|grep "Device Characteristics"】命令符，按回車確認，命令符不含中括弧;
輸入命令符
6、得出快閃記憶體類型檢測報告，其中capacity欄位對應快閃記憶體容量，"default-bits-per-cell"=3表示是TLC快閃記憶體，"default-bits-per-cell"=2表示是MLC快閃記憶體，此外還有生產商和工藝信息，
⑵ 糾結iphone6是ltc還是mtc有意義嗎
有意義
TLC NAND快閃記憶體是固態NAND快閃記憶體的一種。它的數據存儲量是SLC存儲器的三倍，是MLC存儲器的1.5倍。最重要的是，TLC快閃記憶體更實惠。然而，它讀取和寫入數據的速度比SLC或MLC要慢一些
⑶ 魅族的miniplayer(4GB)和Music card(4GB)哪個音質好
個人覺得MUSIC CARD音質好一點
⑷ miniplayer sp 好，還是SL的好
看看就知道了 哦
新品是在舊的上面 改進的 當然要好一些了 ~~~
下面的是高人將 sl 的打開了 看 ~~~
牛人啊 ~~~
（看連接哦~~圖文並茂的 ，不知道你懂不懂了~~~）
原創]探究超薄的秘密 魅族M6 SL拆機評測探究超薄的秘密 魅族M6 SL拆機評測
.
本文已授權itime隨身數碼網及meizu.com，請勿隨意轉載。
一年前的5月25日，魅族發布了功能外觀界面都具備一流水平的MiniPlayer （M6）。這部經典機型上市已經一年有餘。
2007年9月25日，魅族發布了M6的升級版——Miniplayer SL（slim）。M6SL保留了M6經典的外觀設計元素。更將厚度壓縮至超薄的7.3mm。在如此超薄的機身下仍然提供了長達26小時的音樂播放時間。同時又更修改了音頻處理晶元的設計，提供更完美的音質表現。M6 SL是現今唯一通吃現有的3大無損音頻壓縮格式FLAC，WMA Lossless，APE的隨身聽產品，無損壓縮相對於一般音頻格式提供了更多細節表現，帶給消費者更好的聽覺感受。
M6的很多設計元素，如外殼的雙色注塑工藝，無螺絲底殼設計，觸摸條，功能鍵設計等，都為很多國內品牌所關注與仿效。可以說M6的出現代表了當時國產隨身數碼播放器的最高工藝水平，代表了當時國產隨身聽產品最高設計水準，代表了M6發布後相當長一段時間的國內市場關注熱點和市場走向。
M6 SL版的發布，又一次占據了國產數碼隨身聽類產品製造工藝的制高點。精湛細致的外殼製造精度和超薄的機身，在視覺上就造成了一種沖擊感。M6SL的三圍為長78mm 寬46.5mm 厚7.3mm。重量約為48克。可知平均密度約為1.8g/C㎡。較高的裝配密度不僅縮小了體積，也使得拿在手裡更具實感。
M6SL的前殼採用了同M6M3一樣的雙色注塑工藝，外表面透明，內襯白色塑料材質。這使得不僅能夠表現純白色如凝脂般的晶亮色彩，更能抵禦一般的磨損刮擦和氧化，不易變色。M6SL的後蓋採用了和M3相近的不銹鋼外殼，相對於M6採用的鋁合金鍍鉻方案，鋼制外殼增加了強度，減小了厚度，同時均質的質地更具耐候性。筆者手頭這這台M6SL背面為磨砂工藝，相比於磨砂背板的M3，這次M6SL磨砂版的紋理稍粗，不易留下指紋，相比於鏡面增加了耐磨性，同時也更具金屬的質感與光澤。
M6SL版精簡掉了M6上面的開關鍵，這個按鈕被整合進觸摸鍵的下方按鍵。外觀更平滑整齊，同時液凈化了操作，降低了故障率，可謂一舉數得。
M6SL版最大的看點就是更換了這款2.41英寸廣視角的QVGA顯示屏（相比於原M6略增大了一點點，並且邊框變窄，更顯得美觀大方）。普通的LCD顯示屏在稍有角度的時候就會發生變色，變暗等失真現象。隨身觀看的時候因為距離較近，左右眼的角度也存在差異，普通顯示LCD容易發生左右眼觀看色彩亮度的不一致，這大大加劇了視覺疲勞，使得隨身視頻產品的意義大減。M6SL針對這一現象更換了具有全向160°可視范圍指標的QVGA顯示屏，大大提高了欣賞視頻，圖片，電子書閱讀等應用下的視覺舒適程度。這寬顯示屏的色彩傾向偏向冷色調，gamma值較高，亮度相比SP版的M6也有些微提高。
除開這些外部能一望即知的改變，M6SL的內部又經歷了怎樣的進化呢？筆者就為大家一拆為快。
M6SL版的背殼工藝非常精緻緊密，完全沒有任何松動和縫隙，拆開過程著實費了一番力氣。打開背殼之後可以看到，M6SL的不銹鋼外殼的四面都另有一層鋼條用點焊工藝固定在外殼上做加固，增強了外部邊框抗撞擊，抗擠壓的能力。可稱得上是隨身聽里的「防滾架」設計。（防滾架是賽車設計中多有採用的一種框架結構，用以預防車輛在碰撞或翻車時車體嚴重變形。）同時這排鋼條也承載了卡扣設計並提供著力點。
M6底殼的3面共有11個製作精細的卡扣。眾多的卡扣保證了M6SL底部外殼的緊密性。同時鋼制的卡扣具有更大的彈性，即使經過暴力擠壓和拉開，仍能恢復原有形狀，緊緊卡住外殼不至使其松脫。後文的拆解也證實了即使拆機的時候損壞了其中個別卡扣，裝機時候仍能保證外殼的緊密程度與新機無異。
背殼中間的黃色圓片是壓電陶瓷片，通過電路板上面的兩個彈性針接入電路。M6，M3，M6SL都採用了這種設計，滑動觸摸條的時候滴滴的響聲就是這里發出的。具備了這種按鍵音的聲音提示，又加上選中條目的自動字體放大這種視覺提示，雙感官反饋使得觸摸條的使用更加得心應手，提高了操作的速度與准確度。
取下背殼之後，M6SL的電池，電路板和各種介面的內部結構都暴露在眼前。
M6SL的電路板同M6，M3一樣採用了多層布線技術，使得各種元器件可以最大限度的利用板面空間，提高了裝配密度，減小了電路板的面積，這樣就可以使得小巧的電路板與大容量電池並排放置，降低厚度，讓強大功能與輕薄體積，超長續航完美共存。
主晶元仍然是三星公司的產品，編號為S5L8700A02.相對於M6採用的SA58700X07，在性能與功能上並無大的分別。都是200MHz的ARM9核心處理器，不過M6SL採用的S5L8700A02在製造工藝和功耗上都有改進，保證了M6SL在體積縮小，電池容量也略有見效的情況下，仍能保持26小時的超長續航（根據前期多位網友的反饋，26小時的續航時間在實際使用中可以輕松達到，並非紙面功夫）。
採用ARM核心雖然增加了固件編寫的難度，但是大大提高了產品功能的靈活性，M6就是明證，一年半以來，隨著各次固件更新，FLAC，WMA Lossless，三星音效等功能特性依次加入，在不久的將來，還會和M6SL一樣提供對APE無損音頻格式的支持。不斷進行的固件升級極大延長了產品的生命周期。這也是M6上市一年將半，仍能保持旺盛的生命力的秘訣所在。
--------------------------------------------------------------------------------
主控最近的就是sec開頭的三星mobil sdram。這枚晶元的容量為128mbit即16MB。數據位寬是16位，速度7.5納秒。大容量的內存是整機性能以及功能擴展的保證。
細心的朋友可以發現在幾片BGA封裝的晶元周圍都有黑黑亮亮的痕跡，這個是為了避免震動和擠壓導致晶元接觸不良採取的封膠。不僅降低了故障率，提高了抗震抗壓能力，同時也具有一定的防水防腐蝕能力。
M6SL採用了和M3接近的外部介面設計。耳塞插座相比M6固定於電路板上改為了和M3接近的軟線連接。這樣避免了插座受到長期反復的剪切力所導致的電路板焊點開焊。USB介面上面墊了一小塊金屬織物，背殼蓋上之後與背板接觸，完成了背殼金屬的接地，對外部干擾也能夠更加有效的進行屏蔽，提供更為純凈無染的音質表現。細心的朋友可以發現，在電池的兩側，也有數個接觸彈片，蓋上後蓋之後與上蓋接觸，也起到了同樣的作用。
--------------------------------------------------------------------------------
M6SL採用了同M3.M6相同，經過長期市場驗證其可靠性的電源管理晶元LTC3455. 這塊電源管理晶元有很強的保護功能和最高達96%的轉換效率。，同時實現了USB供電，限流充電，內置電池供電之間的無縫切換。M6SL的超長26小時播放這塊晶元功勞不小。
下面就是最多人關心的M6SL的音頻處理晶元。（CODEC，而不是大家通常稱呼的DAC，因為MP3使用的音頻處理晶元大多同時包含了DAC和ADC的功能，並提供一些簡單的音頻處理能力）可以清晰的看到M6SL採用了歐勝的WM8987，歐勝的系列晶元以平滑細致的高音，高解析度，低噪音水平而著稱。想來M6SL採用這款CODEC也是為了更好的突出無損音頻的細節感與解析力指標。與原來採用飛利浦1380的M6相比，M6SL在低音量感上進行的很大程度的縮減，可能讓特別偏愛低音效果的一些朋友有些失望了。不過由此帶來的人聲和高頻的提升讓M6SL的整體音質表現相對於M6又有了提高。有條件進行耳機/耳塞升級的朋友建議搭配3段表現相對均衡的耳塞/耳機產品。
可以注意到正面有一個空焊位，從形狀上判斷顯然是一片快閃記憶體晶元的位置。這款M6是4G的型號。快閃記憶體晶元的位置見後文，是在電路板的背面。當然M6SL也具有8G型號的產品。
拆下正面電路板上看到的螺絲釘，就會發現…… 電路板還是取不下來，呵呵。正面的排線與觸摸按鍵相連。還要取下鍵盤排線。OK，電路板可以抬起來了，電路板下面還有跟排線與顯示屏相連，不取下來的話電路板無法完全翻轉，或者也可以從前殼中取出電池，電池下的金屬擋板和顯示屏，這樣就可以翻轉電路板看到完整的電路板背面。可以看到電路板的背面被黃色的絕緣薄膜覆蓋。
經過觀察發現，背面電路較重要的兩顆晶元位於邊緣，所以為了降低風險就不做進一步拆解了，從這個角度可以看到這兩塊晶元。
首先是觸摸鍵的控制晶元QT1106
這款晶元採用了電荷轉移感應技術，電極可由任何導電材料製成，它們發射能夠穿過通常為塑料或玻璃的任何電介質的感應場。一個接近的手指會引起了感應場的變化，從而被記錄成一次觸摸。與傳統的電容式觸摸感測器不同，QT感測器的特點是在通電狀態下對活動進行自動自我校準，這樣避免了由於觸摸表面污染物堆積或環境轉換而引起的長時間漂移問題。並且，覆蓋於滑動觸摸檢測電極上方的絕緣保護層最大可達3-4mm（需電路設計支持）M6曾經因為觸摸鍵存在偶爾失靈問題曾被廣為詬病，在後續的產品以及M3，M6SL中魅族更換了觸摸感應晶元並改進了電路設計，就M3上市幾個月得到的反饋來看，魅族已經徹底解決了觸摸鍵漂移的問題。這次的M6SL直接使用成熟的M3方案，在使用中確實順暢靈敏，並無一次失靈問題。
在電路板的另一個角落可以看到M6SL的收音晶元TEA5760，飛利浦收音晶元在全球市場佔有70%的比例。TEA5760作為新一代收音晶元縮小了封裝體積，僅有3.0mm×2.8mm，並進一步提升了靈敏度，降低了功耗水平。其收音靈敏度達到1.7μV，甚至超過了普通收音機的指標。實際使用中，M6SL的收音晶元搜台塊，信號相對穩定，靈敏度高。相比於M6有了很大提高。
雖然照相機無法拍到，這款M6SL使用了三星生產的FLASH晶元。M6SL在讀寫速度指標上相比於市面上其他MP3/4類產品有一定優勢。使用ATTO測試結果如下：
可以看到，寫入速度達到了約6MB/s，讀取速度達到了5MB/s，較高的讀寫速度尤其是寫入速度大大提升了復制歌曲時的效率。如果發現讀寫速度明顯偏慢，請檢查主板USB控制器的相關驅動是否正常，是否工作與USB 2.0 Hihg-Speed模式下面。
總結：
M6SL作為M6的升級版，很好的繼承了M6的有點並針對M6上市以來反映的種種問題進行了改進。展現在我們面前的，是一個精雕細琢後擁有緊致身材，容光煥發的M6繼任者。不僅slim，更silk。
希望meizu在後續的M7，M8產品中能繼續發揮開發，審美意識，模具精度等方面的較大優勢，提供更精美，更方便，更科技，更時尚的產品。
⑸ mlc tlc iphone6有意義嗎
快閃記憶體的兩種，蘋果官方說mlc的快閃記憶體是有問題的，會導致機器各種bug，而ltc的沒有，
⑹ 模擬集成電路的常用型號
序號 型號 名稱
M001 2P4M 可控硅
M002 4N35 通用光電耦合器
M003 6N135 數字邏輯隔離
M004 24C01 1K/2K 5V I2C 匯流排串列EEPROM
M005 24LC08B 8K I2C 匯流排串列EEPROM
M006 93C46 1K 串列EEPROM
M007 AD574 12-BIT,DAC 轉換器
M008 BM2272 遙控解碼器
M009 CA3140E 4.5MHz，BiMOS 運算放大器
M010 TLP521 可編程式控制制AC/DC 輸入固態繼電器
M011 7805 正5V 三端穩壓集成電路
M012 LM7905 負5V 三端穩壓集成電路
M013 LA7806 B/W 電視機同步、偏轉電路，16PIN
M014 7906C 負6V 三端穩壓集成電路
M015 7808A 正8V 3 端穩壓器，輸入35V，功率20.8W
M016 7908AC 正8V 3 端穩壓器，輸入35V，功率12W
M017 LM7809 正9V 三端穩壓集成電路
M018 ADS7809 正9V 三端穩壓集成電路
M019 TA7810S 0.5A,3 端穩壓器
M020 TDA7910N 負10V 3 端穩壓器，輸入-35V，1A，功率12W
M021 IRF7811A N-MOSFET,功率場效應管,28V/11.4A/2.5W
M022 7812A 正12V 3 端穩壓器，輸入35V，功率20.8W
M023 LM7912 1A 3 端穩壓器
M024 AD7813 2.5V-5.5V,400kSPS，8/10-BIT，采樣，ADC 轉換器
M025 LM7815 正15V 三端穩壓集成電路
M026 LM7915 負15V1A 3 端穩壓器
M027 AD7819 2.7V-5.5V,200KSPS,8-BIT，采樣，ADC 轉換器
M028 LA7820 彩色電視機同步/偏轉電路
M029 L7920C 負20V1A 3 端穩壓器
M030 LC7821 模擬開關
M031 LM7824 正24V 三端穩壓集成電路
M032 KA7924 負24V1A 3 端穩壓器
M033 AD7825 3Vto5V、2MSPS、1/4/8 通道、8BitAD 轉換器
M034 PJ7925CZ 負25V1A 3 端穩壓器
M035 ADS7826 10/8/12 位取樣模擬數字轉換器用2.7V 的電源
M036 IRF840 功率場效應管,大功率、高速, 500V/8A/125W
M037 ADC0809 8-BIT up 兼容8 通道多路復用器A/D 轉換器
M038 ADC0832 2 路，8-BIT 串列輸入/輸出A/D 轉換多路選擇
M039 LM324N 四路運算放大器
M040 LM339 低功耗低失調電壓四比較器
M041 LM358 低功率雙運算放大器
M042 LM386 低壓音頻放大器
M043 LM747 雙運算放大器
M044 LM2717 降壓/升壓轉換器兩顆脈沖寬度調制(PWM) 直流/直流轉換器
M045 AT24C01A 串列（1K，128×8）
M046 AT28C17 16K EPROM
M047 AT8 9C51 低功耗/低電壓,高性能的8 位單片機
M048 AT89C52 8K Bytes 快閃記憶體，8 位微處理器
M049 BT136 雙向可控硅
M050 GAL20V8B 可編程的邏輯器件
M051 HS2262A 低功耗通用編碼器
M052 HT24C02 存儲器
M053 IC7109 3 位半ADC/LED 驅動
M054 ICL7106CPL 類似三位半轉換
M055 ICL8038CCJD 精確波形發生器/伏特控制振盪器
M056 AD9215 10-BIT,65/80/105MSPS,3V,A/D 轉換器
M057 ICL8038CCPD 精確波形發生器/伏特控制振盪器
M058 LF353 雙聲道功率放大器
M059 LF398 功率放大器
M060 LM111-211-311 帶濾波微分比較儀
M061 LM124X-4 低功耗四運放
M062 LM311P 單通道，選通差分比較器
M063 LM317T 3 端可調穩壓器
M064 LM318 單路高速通用OP
M065 LTC1595 連續16 位乘法器DAC
M066 M2764A-2F1 NMOS 64K 8K x 8 UV EPROM
M067 MAX232CPE 線性收發器，2 驅動器，16PIN
M068 MC1403 精密低基準電壓
M069 MJE2955T 晶體管
M070 MJE13005 晶體管
M071 MK2716 HDTU 時鍾合成器
M072 NE5532AP 雙低雜訊運算放大器
M073 NE5532P 雙低雜訊運算放大器
M074 NE5534P 低雜訊運算放大器
M075 NJM2217 帶自動頻率控制的視頻信號疊加
M076 AT28C64B
M077 SST39SF02-70-4C-NH
M078 ST13007DFP
M079 TC14433AEJG 3 位半A/D 轉換器
M080 TDA2003 10W 汽車收音機音頻放大器
M081 TEA2114 4096 Bit 靜態RAM
M082 TH7814A 50 MHz 2048 像素線陣CCD Sensor
M083 TIP31C PNPDARL 硅INGTON 晶體管
M084 TIP41C PNPDARL 硅INGTON 晶體管
M085 TIP42C PNPDARL 硅INGTON 晶體管
M086 TIP127 PNPDARL 硅INGTON 晶體管
M087 TIP122 PNPDARL 硅INGTON 晶體管
M088 TL084CN
M089 TLC7135C ADC/LCD 驅動BCD 輸出
M090 TM7282
M091 TRSTE-8532A
M092 ULN2003AN 周邊七段驅動陳列
M093 W28EE011
M094 GAL22V10 高性能，E2COMS，可編程邏輯器件
M095 GAL16LV8 低電壓，E2COMS，可編程邏輯器件
M096 HM472114
M097 ADS7817
M098 LC7930
M099 PM7830
M100 PM7832
M101 T7932
M102 TPS2817
⑺ 建興M3S緩存多少
摘要 建興ZETA mSATA 256GB SSD（型號為LMH-256V2M）採用慧榮SMI 2246EN主控，單顆容量為64GB的海力士原廠16nm MLC快閃記憶體（總計4顆），配備南亞原廠256MB DDR3緩存，採用mSATA 6Gbps速率介面。
⑻ 剛買的iPhone6檢測出是LTC快閃記憶體可以換機嗎
iPhone 6早就不生產了吧！你從哪裡買的？正規不？打客服問問能換不！！
⑼ iphone6怎麼查詢是ltc
怎麼看自己的iphone6是不是TLC快閃記憶體呢，首先要下載一個軟體，叫做IOKitBrowser
1、打開以後按照路徑Root->N61AP->AppleARMPE->arm-io->AppleT7000IO->ans->AppleA7IOPV1->AppleCSI->asp->ASPStorage
下可以看到Device Characteristics信息，並查看bits-per-cell欄位。
2、查看2與3的方式:2代表的是MLC，若數字為3則便是TLC了
3、此外，還可以直接看到歸屬地品牌，比如SNDSK為閃迪，HYX為海力士;T開頭就是東芝。
⑽ 什麼晶元和SSOP20性能相同
電子元器件,又叫電子晶元,半導體集成電路,廣泛應用於各種電子電器設備上.
封裝形式:
封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼.它不僅起著安裝,固定,密封,保護晶元及增強電熱性能等方面的作用,而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接.衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比,這個比值越接近1越好.
封裝大致經過了如下發展進程:
結構方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;
材料方面:金屬,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;
引腳形狀:長引線直插->短引線或無引線貼裝->球狀凸點;
裝配方式:通孔插裝->表面組裝->直接安裝.
英文簡稱
英文全稱
中文解釋
圖片
DIP
Double In-line Package
雙列直插式封裝.插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種.DIP是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標准邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等.
PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier
PLCC封裝方式,外形呈正方形,32腳封裝,四周都有管腳,外形尺寸比DIP封裝小得多.PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線,具有外形尺寸小,可靠性高的優點.
PQFP
Plastic Quad Flat Package
PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小,管腳很細,一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式,其引腳數一般都在100以上.
SOP
Small Outline Package
1968～1969年菲為浦公司就開發出小外形封裝(SOP).以後逐漸派生出SOJ(J型引腳小外形封裝),TSOP(薄小外形封裝),VSOP(甚小外形封裝),SSOP(縮小型SOP),TSSOP(薄的縮小型SOP)及SOT(小外形晶體管),SOIC(小外形集成電路)等.
www.maxim-ic.com
模擬濾波器 光纖通信 高速信號處理和轉換 無線/射頻
光線通訊,模擬 顯示支持電路 高頻模擬和混合信號ASIC
數字轉換器,介面,電源管理,電池監控 DC/DC電源 電壓基準
MAXIM前綴是"MAX".DALLAS則是以"DS"開頭.
MAX×××或MAX××××
說明:1後綴CSA,CWA 其中C表示普通級,S表示表貼,W表示寬體表貼.
2 後綴CWI表示寬體表貼,EEWI寬體工業級表貼,後綴MJA或883為軍級.
3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA後綴均為普通雙列直插.
舉例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通帶抗靜電保護
MAX202EEPE 工業級抗靜電保護(-45℃-85℃) 說明 E指抗靜電保護
MAXIM數字排列分類
1字頭 模擬器 2字頭 濾波器 3字頭 多路開關
4字頭 放大器 5字頭 數模轉換器 6字頭 電壓基準
7字頭 電壓轉換 8字頭 復位器 9字頭 比較器
DALLAS命名規則
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工業級
S=表貼寬體 MCG=DIP封
Z=表貼寬體 MNG=DIP工業級
IND=工業級 QCG=PLCC封 Q=QFP
下面是MAXIM的命名規則:
三字母後綴:
例如:MAX358CPD
C = 溫度范圍
P = 封裝類型
D = 管腳數
溫度范圍:
C = 0℃ 至 70℃ (商業級)
I = -20℃ 至 +85℃ (工業級)
E = -40℃ 至 +85℃ (擴展工業級)
A = -40℃ 至 +85℃ (航空級)
M = -55℃ 至 +125℃ (軍品級)
封裝類型:
A SSOP(縮小外型封裝)
B CERQUAD
C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封裝)
D 陶瓷銅頂封裝
E 四分之一大的小外型封裝
F 陶瓷扁平封裝
H 模塊封裝, SBGA(超級球式柵格陣列, 5x5 TQFP)
J CERDIP (陶瓷雙列直插)
K TO-3 塑料接腳柵格陣列
L LCC (無引線晶元承載封裝)
M MQFP (公制四方扁平封裝)
N 窄體塑封雙列直插
P 塑封雙列直插
Q PLCC (塑料式引線晶元承載封裝)
R 窄體陶瓷雙列直插封裝(300mil)
S 小外型封裝
T TO5,TO-99,TO-100
U TSSOP,μMAX,SOT
W 寬體小外型封裝(300mil)
X SC-70(3腳,5腳,6腳)
Y 窄體銅頂封裝
Z TO-92,MQUAD
/D 裸片
/PR 增強型塑封
/W 晶圓
www.analog.com
DSP信號處理器 放大器工業用器件 通信 電源管理 移動通信
視頻/圖像處理器等 模擬A/D D/A 轉換器 感測器 模擬器件
AD產品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等開頭的.
後綴的說明:1,後綴中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,後綴中帶R表示表示表貼.
2,後綴中帶D或Q的表示陶封,工業級(45℃-85℃).後綴中H表示圓帽.
3,後綴中SD或883屬軍品.
例如:JN DIP封裝 JR表貼 JD DIP陶封
www.ti.com
DSP 信號處理器等嵌入式控制器 高性能運放IC 存儲器 A/D D/A
模擬器件轉換介面IC等 54LS軍品系列 CD4000軍品系列
工業 / 民用電表微控制器等
TI產品命名規則:SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的後綴說明:
SN或SNJ表示TI品牌
SN軍標,帶N表示DIP封裝,帶J表示DIP(雙列直插),帶D表示表貼,帶W表示寬體
SNJ軍級,後面代尾綴F或/883表示已檢驗過的軍級.
CD54LS×××/HC/HCT:
1,無後綴表示普軍級
2,後綴帶J或883表示軍品級
CD4000/CD45××:
後綴帶BCP或BE屬軍品
後綴帶BF屬普軍級
後綴帶BF3A或883屬軍品級
TL×××:
後綴CP普通級 IP工業級 後綴帶D是表貼
後綴帶MJB,MJG或帶/883的為軍品級
TLC表示普通電壓 TLV低功耗電壓
TMS320系列歸屬DSP器件, MSP430F微處理器
BB產品命名規則:
前綴ADS模擬器件 後綴U表貼 P是DIP封裝 帶B表示工業級
前綴INA,XTR,PGA等表示高精度運放 後綴U表貼 P代表DIP PA表示高精度
INTEL產品命名規則: N80C196系列都是單片機 前綴:N=PLCC封裝 T=工業級 S=TQFP封裝 P=DIP封裝 KC20主頻 KB主頻 MC代表84引角 TE28F640J3A-120 快閃記憶體 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP www.issi.com SRAM,SDRAM,EDO/FPM DRAM, EEPROM,8051 系列單片機,ASIC及語音晶元 以"IS"開頭 比如:IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM 封裝: PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP 高性能模擬器件 電壓基準 運算放大器 數/模 模數轉換器 電源及馬達 控制線路 以產品名稱為前綴 LTC1051CS CS表示表貼 LTC1051CN8 CN表示DIP封裝8腳 www.amd.com FLASH 快閃記憶體 微處理器 雙埠RAM 先進先出器件FIFO 高速靜態存儲器SRAM 快速邏輯器件FCT 低功耗高速TTL系列 如74FCT16XXX系列 IDT的產品一般都是IDT開頭的. 後綴的說明:1,後綴中TP屬窄體DIP. 2,後綴中P 屬寬體DIP. 3,後綴中J 屬 PLCC. 比如:IDT7134SA55P 是DIP封裝 IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP