ltc半導體

A. IC型號的開頭和尾綴代表什麼意思

電子元器件,又叫電子晶元,半導體集成電路,廣泛應用於各種電子電器設備上.
封裝形式:
封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼.它不僅起著安裝,固定,密封,保護晶元及增強電熱性能等方面的作用,而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接.衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比,這個比值越接近1越好.
封裝大致經過了如下發展進程:
結構方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;
材料方面:金屬,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;
引腳形狀:長引線直插->短引線或無引線貼裝->球狀凸點;
裝配方式:通孔插裝->表面組裝->直接安裝.
英文簡稱
英文全稱
中文解釋
圖片
DIP
Double In-line Package
雙列直插式封裝.插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種.DIP是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標准邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等.
PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier
PLCC封裝方式,外形呈正方形,32腳封裝,四周都有管腳,外形尺寸比DIP封裝小得多.PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線,具有外形尺寸小,可靠性高的優點.
PQFP
Plastic Quad Flat Package
PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小,管腳很細,一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式,其引腳數一般都在100以上.
SOP
Small Outline Package
1968～1969年菲為浦公司就開發出小外形封裝(SOP).以後逐漸派生出SOJ(J型引腳小外形封裝),TSOP(薄小外形封裝),VSOP(甚小外形封裝),SSOP(縮小型SOP),TSSOP(薄的縮小型SOP)及SOT(小外形晶體管),SOIC(小外形集成電路)等.

www.maxim-ic.com
模擬濾波器 光纖通信 高速信號處理和轉換 無線/射頻
光線通訊,模擬 顯示支持電路 高頻模擬和混合信號ASIC
數字轉換器,介面,電源管理,電池監控 DC/DC電源 電壓基準
MAXIM前綴是"MAX".DALLAS則是以"DS"開頭.
MAX×××或MAX××××
說明:1後綴CSA,CWA 其中C表示普通級,S表示表貼,W表示寬體表貼.
2 後綴CWI表示寬體表貼,EEWI寬體工業級表貼,後綴MJA或883為軍級.
3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA後綴均為普通雙列直插.
舉例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通帶抗靜電保護
MAX202EEPE 工業級抗靜電保護(-45℃-85℃) 說明 E指抗靜電保護
MAXIM數字排列分類
1字頭 模擬器 2字頭 濾波器 3字頭 多路開關
4字頭 放大器 5字頭 數模轉換器 6字頭 電壓基準
7字頭 電壓轉換 8字頭 復位器 9字頭 比較器
DALLAS命名規則
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工業級
S=表貼寬體 MCG=DIP封
Z=表貼寬體 MNG=DIP工業級
IND=工業級 QCG=PLCC封 Q=QFP
下面是MAXIM的命名規則:
三字母後綴:
例如:MAX358CPD
C = 溫度范圍
P = 封裝類型
D = 管腳數
溫度范圍:
C = 0℃ 至 70℃ (商業級)
I = -20℃ 至 +85℃ (工業級)
E = -40℃ 至 +85℃ (擴展工業級)
A = -40℃ 至 +85℃ (航空級)
M = -55℃ 至 +125℃ (軍品級)
封裝類型:
A SSOP(縮小外型封裝)
B CERQUAD
C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封裝)
D 陶瓷銅頂封裝
E 四分之一大的小外型封裝
F 陶瓷扁平封裝
H 模塊封裝, SBGA(超級球式柵格陣列, 5x5 TQFP)
J CERDIP (陶瓷雙列直插)
K TO-3 塑料接腳柵格陣列
L LCC (無引線晶元承載封裝)
M MQFP (公制四方扁平封裝)
N 窄體塑封雙列直插
P 塑封雙列直插
Q PLCC (塑料式引線晶元承載封裝)
R 窄體陶瓷雙列直插封裝(300mil)
S 小外型封裝
T TO5,TO-99,TO-100
U TSSOP,μMAX,SOT
W 寬體小外型封裝(300mil)
X SC-70(3腳,5腳,6腳)
Y 窄體銅頂封裝
Z TO-92,MQUAD
/D 裸片
/PR 增強型塑封
/W 晶圓
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DSP信號處理器 放大器工業用器件 通信 電源管理 移動通信
視頻/圖像處理器等 模擬A/D D/A 轉換器 感測器 模擬器件
AD產品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等開頭的.
後綴的說明:1,後綴中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,後綴中帶R表示表示表貼.
2,後綴中帶D或Q的表示陶封,工業級(45℃-85℃).後綴中H表示圓帽.
3,後綴中SD或883屬軍品.
例如:JN DIP封裝 JR表貼 JD DIP陶封
www.ti.com
DSP 信號處理器等嵌入式控制器 高性能運放IC 存儲器 A/D D/A
模擬器件轉換介面IC等 54LS軍品系列 CD4000軍品系列
工業 / 民用電表微控制器等
TI產品命名規則:SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的後綴說明:
SN或SNJ表示TI品牌
SN軍標,帶N表示DIP封裝,帶J表示DIP(雙列直插),帶D表示表貼,帶W表示寬體
SNJ軍級,後面代尾綴F或/883表示已檢驗過的軍級.
CD54LS×××/HC/HCT:
1,無後綴表示普軍級
2,後綴帶J或883表示軍品級
CD4000/CD45××:
後綴帶BCP或BE屬軍品
後綴帶BF屬普軍級
後綴帶BF3A或883屬軍品級
TL×××:
後綴CP普通級 IP工業級 後綴帶D是表貼
後綴帶MJB,MJG或帶/883的為軍品級
TLC表示普通電壓 TLV低功耗電壓
TMS320系列歸屬DSP器件, MSP430F微處理器
BB產品命名規則:
前綴ADS模擬器件 後綴U表貼 P是DIP封裝 帶B表示工業級
前綴INA,XTR,PGA等表示高精度運放 後綴U表貼 P代表DIP PA表示高精度

INTEL產品命名規則: N80C196系列都是單片機 前綴:N=PLCC封裝 T=工業級 S=TQFP封裝 P=DIP封裝 KC20主頻 KB主頻 MC代表84引角 TE28F640J3A-120 快閃記憶體 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP www.issi.com SRAM,SDRAM,EDO/FPM DRAM, EEPROM,8051 系列單片機,ASIC及語音晶元 以"IS"開頭 比如:IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM 封裝: PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP 高性能模擬器件 電壓基準 運算放大器 數/模 模數轉換器 電源及馬達 控制線路 以產品名稱為前綴 LTC1051CS CS表示表貼 LTC1051CN8 CN表示DIP封裝8腳 www.amd.com FLASH 快閃記憶體 微處理器 雙埠RAM 先進先出器件FIFO 高速靜態存儲器SRAM 快速邏輯器件FCT 低功耗高速TTL系列 如74FCT16XXX系列 IDT的產品一般都是IDT開頭的. 後綴的說明:1,後綴中TP屬窄體DIP. 2,後綴中P 屬寬體DIP. 3,後綴中J 屬 PLCC. 比如:IDT7134SA55P 是DIP封裝 IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP

看看對你有沒有幫助。

B. 什麼是ltcc陶瓷基板

LTCC的優勢 與其它集成技術相比，LTCC有著眾多優點： 第一，陶瓷材料具有優良的高頻、高速傳輸以及寬通帶的特性。根據配料的不同，LTCC材料的介電常數可以在很大范圍內變動，配合使用高電導率的金屬材料作為導體材料，有利於提高電路系統的品質因數，增加了電路設計的靈活性； 第二，可以適應大電流及耐高溫特性要求，並具備比普通PCB電路基板更優良的熱傳導性，極大地優化了電子設備的散熱設計，可靠性高，可應用於惡劣環境，延長了其使用壽命； 第三，可以製作層數很高的電路基板，並可將多個無源元件埋入其中，免除了封裝組件的成本，在層數很高的三維電路基板上，實現無源和有源的集成，有利於提高電路的組裝密度，進一步減小體積和重量； 第四，與其他多層布線技術具有良好的兼容性，例如將LTCC與薄膜布線技術結合可實現更高組裝密度和更好性能的混合多層基板和混合型多晶元組件； 第五，非連續式的生產工藝，便於成品製成前對每一層布線和互連通孔進行質量檢查，有利於提高多層基板的成品率和質量，縮短生產周期，降低成本。 第六，節能、節材、綠色、環保已經成為元件行業發展勢不可擋的潮流，LTCC也正是迎合了這一發展需求，最大程度上降低了原料，廢料和生產過程中帶來的環境污染。

C. 關於凌特半導體公司一個晶元 誰認識 告訴下

補充一點

IFE 可能代表這顆產品的代工廠 是 英飛凌 Infineon

如果是的話 你可以從這點入手 具體信息到 英飛凌 Infineon 官網 查詢

D. 請問電機控制器中,逆變電路前面直流母線支撐電容(DCLink)是怎麼計算的

摘要：採用高集成度的專用晶元SA和智能功率模塊PS了一種小功率通用變頻器。試驗和實際應用表明，該變頻器性能好、價格低、可靠性較高。 關鍵詞：變頻器；正弦波脈寬調制；專用集成電路；智能功率模塊引言由於電力電子技術的飛速發展，交流變頻調速已上升為電氣傳動的主流，正在逐步取代傳統的直流傳動。而從性價比的角度來看，交流變頻調速裝置已經優於直流調速裝...

[圖文18]開關電源的小模型及環路設計
摘要：建立了Buck電路在連續電流模式下的小數學模型，並根據穩定性原則了電壓模式和電流模式控制下的環路設計問題。 關鍵詞：開關電源；小模型；電壓模式控制；電流模式控制引言設計一個具有良好動態和靜態性能的開關電源時，控制環路的設計是很重要的一個部分。而環路的設計與主電路的拓撲和參數有極大關系。為了進行穩定性，有必要建立開關電源完整的小數學模型...

[圖文18]一種小型化高壓小功率電源
摘要：論述了一種小型化的高壓電源，它一改傳統的高、低壓組合式為一體化式，從而使體積、重量都大大減小。同時指出了開關電源技術在高壓小功率電源應用中存在的問題和解決辦法。在研製和實驗過程中應用了PSPICE模擬技術，給出實測和模擬波形。 關鍵詞：小型化 高壓變壓器 高壓電源 模擬引言高壓電源已經被廣泛地應用?醫學、工業無損探傷、...

[圖文18]基於DS80C的主從逆變電源監控系統的設計與實現
摘要：介紹了基於DS80C的主從逆變電源監控系統的設計方案，從硬體結構，軟體編制和抗干擾措施三方面進行了詳細討論，並對單片機鎖相技術進行了介紹。實際運行表明，本監控系統完全滿足實際需要，性能良好。 關鍵詞：單片機；逆變電源；鎖相；抗干擾引言本監控系統是為鐵路用4kA/25Hz主從熱備份逆變電源系統設計的。 4kA/25Hz主從逆變電源是電氣化鐵路區...

通信終端電源管理設計原理
摘要：通信終端產品在我們的日常生活中已經非常普及，因此，其設計的安全性問題顯得尤為重要。就終端產品安全隱患最大的地方——電源管理設計，提出了一些設計理念以提高產品的安全性。 關鍵詞：通信終端；電源管理；可充電鋰離子電池引言通信終端產品如G、及PHS已經深入普及到我們的日常生活中，促進了中國事業的發展，也為我們的...

[圖文18]基於諧波補償的逆變器波形控制技術研究
摘要：介紹了一種基於諧波補償的逆變器波形控制技術，了系統的工作原理，詳細探討了控制系統參數設計方法，並得出了試驗結果。 關鍵詞：諧波補償；逆變器；波形控制引言逆變器是一種重要的DC/AC變換裝置。衡量其性能的一個重要指標是輸出電壓波形質量，一個好的逆變器，它的輸出電壓波形應該盡量接近正弦，總諧波畸變率（THD）應該盡量小。在實際應用中逆變器經常需要接整流型...

[圖文18]一種簡單有效的限流保護電路
摘要：提出了一種簡單有效的限流保護電路，論述了該保護電路應用於寬范圍輸入正激變換器和寬范圍輸入反激變換器時工作狀況的區別，並給出了一個適用於寬范圍輸入反激變換器的補償電路。最後的實驗結果驗證了限流保護電路及補償電路的工作原理及其有效性。 關鍵詞：過流保護；正激；反激引言過流保護電路是電源產品中不可缺少的一個組成部分，根據其控制方法大致可以分為關斷方式和限流方式...

[圖文18]混合邏輯電平的介面技術
摘要：介紹了3.3和5.0邏輯電平、RS-C邏輯電平、LDS的電特性，討論了它們相互間的介面技術。 關鍵詞：介面 邏輯電平 電源變換在功耗低、體積小的攜帶型設備（蜂窩、PDA、筆記本電腦、數字相機等）的應用需求驅動下，越來越多的半導體器件採用低電壓設計技術，很多半導體器件廠家紛紛推出3．3和2．5等一系列超低功耗集成電路。這樣使很多低電...

[圖文18]基於柔性鎖相環路的動態電壓恢復器控制方案的研究
摘要：動態電壓恢復器（DR）是一種新型電能質量調節裝置，它能有效抑制電網電壓波動對敏感負載的影響。介紹了應用於DR的一種新型的鎖相技術—柔性鎖相環路〔soft phase locked loop(SPLL)〕和以此為基礎的控制方案。 關鍵詞：動態電壓恢復器；鎖相技術；電壓跌落 1 概述動態電壓恢復器（dynamic voltage restorers簡稱D...

[圖文18]基於交流永磁同步電機的全數字伺服控制系統
摘要：根據永磁同步電機的數學模型和矢量控制原理，通過模擬和實驗研究，出一套基於DSP控制的伺服系統，並給出了相應的實驗結果驗證該系統的可行性。 關鍵詞：永磁同步電機；矢量控制；數字處理器引言目前，交流伺服系統廣泛應用於數控機床，機器人等領域，在這些要求高精度，高動態性能以及小體積的場合，應用交流永磁同步電機（PM）的伺服系統具有明顯優勢。PM本...

[圖文18]兩種優化開關模式在高頻SPWM逆變電源中的應用
摘要：針對數字化高頻空間矢量脈寬調制（SPWM）逆變電源的特殊要求，對SPWM演算法進行了改進，並提出兩種適用於高頻SPWM演算法的優化開關模式。最後分別採用純軟體方法和硬體結合DSP內部空間矢量PWM集成硬體的混合方法，來實現兩種優化開關模式在一高頻SPWM逆變電源樣機中的應用。該樣機採用TMSLFA構成的最小控制系統，可輸出0～Hz連續可調的三相交流電。 &nbs...

[圖文18]次級控制的單端正激變換器
摘要：對比了初級控制的單端拓撲與次級控制的半橋拓撲的異同，給出了次級控制的單端正激變換器拓撲。並介紹了一個由初級啟動控制器UCC實現的實際電路及其實驗結果。 關鍵詞：單端正激變換；初級控制；次級控制；啟動控制器；脈沖邊緣傳輸引言近幾年來，隨著電子及信息產業進一步向小型化、智能化發展，電源在這些產品中的地位越來越重要。開關電源以其體積小、重量輕、效率高得...

[圖文18]功率因數校正(PFC)的數字控制方法
摘要：控制技術的數字化是開關電源的發展趨勢。相對於傳統的模擬控制技術，採用數字控制技術的功率因數校正（PFC）具有顯著的優點。詳細討論了採用數字處理器（DSP）作為控制核心時的設計事項和方法，最後提出了數字控制技術有待解決的問題。 關鍵詞：數字控制；數字處理器；功率因數校正；開關電源引言電力電子產品的廣泛使用，對電網造成了嚴重的諧波污染。這使得功率因數...

[圖文18]單級功率因數校正在AC-PDP開關電源小型化設計中的應用
摘要：傳統的交流等離子顯示器（AC-PDP）開關電源採用的是功率因數校正加DC/DC變換的兩級電路。針對其結構復雜，體積較大的缺點，設計了一種單級功率因數變換器，實現了小型化的目的。 關鍵詞：單級功率因數校正；反激變換；彩色交流等離子顯示器引言隨著社會信息化的不斷發展以及先進工藝的不斷提高，作為大屏幕壁掛式電視和高質量多媒體信息顯示的終端——彩色交流等離子...

[圖文18]一種具有恆功率控制的單級功率因數校正電路
摘要：提出了一種具有恆功率控制的單級功率因數校正電路。該電路功率因數校正級工作在電流斷續模式，具有較低的總諧波畸變和較高的功率因數。該電路的直接能量傳遞方式降低了直流母線電壓並且提高了電路的效率。採用恆功率控制方式使得電路具有良好的輸出特性。並通過模擬和實驗結果證明了電路的可行性。 關鍵詞：變換器；單級功率因數校正；恆功率控制引言近年來，功率因數校正（PFC）...

[圖文18]改進的單級功率因數校正AC/DC變換器的拓撲綜述
摘要：單級功率因數校正(簡稱單級PFC)由於控制電路簡單、成本低、功率密度高在中小功率場合得到了廣泛的應用。但是，單級PFC中存在一些問題，如儲能電容電壓隨輸入電壓和負載的變化而變化，在輸入高壓或輕載時，電容電壓可能達到上千伏；變換器的效率低；開關損耗大等缺點。介紹了幾種改進的拓撲結構以解決這些問題。 關鍵詞：功率因數校正；AC/DC變換器；單級 1 概述為了減...

鋰離子電池的發展趨勢2
摘要：綜述了鋰離子電池的發展趨勢，簡述了鋰離子電池的充放電機理理論研究狀況，總結歸納了作為核心技術的鋰電池正負電極材料的現有的制備理論和近來發展動態，評述了正極材料和負極材料的各種制備方法和發展前景，重點介紹了目前該領域的問題和改進發展情況。 關鍵詞：鋰離子電池；電極材料；電循環容量；嵌鋰化合物引言電子信息時代使對電源的需求快速增長。由於鋰離子...

[圖文18]鋰離子電池的發展趨勢
摘要：介紹了將電源模塊並聯，並構成冗餘結構進行供電的好處，講述了幾種傳統的並聯均流電路，討論了各種方式下的工作過程及優缺點，並對均流技術的發展做了展望。 關鍵詞：並聯；冗餘；均流 1 概述隨著電力電子技術的發展，各種電子裝置對電源功率的要求越來越高，對電流的要求也越來越大，但受構成電源模塊的半導體功率器件，磁性材料等自身性能的影響，單個開關電源模塊的輸出參數（如...

[圖文18]蓄電池充電方法的研究
摘要：針對蓄電池的特點，研究了蓄電池充放電過程中的極化現象，提出和了幾種充電方式，並展望了其發展前景。 關鍵詞：蓄電池；充電；極化引言鉛酸蓄電池由於其成本低，容量大，價格低廉而得到了廣泛的使用。但是，若使用不當，其壽命將大大縮短。影響鉛酸蓄電池壽命的因素很多，而採用正確的充電方式，能有效延長蓄電池的使用壽命。研究發現：電池充電過程對電池壽命影響最大...

[圖文18]電源系統中多個子系統之間的電磁兼容問題
摘要：通過一個實例了在一個電源系統中多個子系統之間出現的電磁兼容問題，並且給出了解決方案。同時也提供了布局中應注意的細節問題。 關鍵詞：電源；子系統；電磁兼容引言電子產品間會通過傳導或者輻射等途徑相互干擾，導致電子產品不能正常工作。因此，電磁兼容在電源產品設計中處於非常重要的地位，若處理不當會帶來很多麻煩。開關電源是一個很強的騷擾源，這是由於開關管以很...

[圖文18]PWM控制電路的基本構成及工作原理
摘要：介紹了PWM控制電路的基本構成及工作原理，給出了美國Silicon General生產的高性能集成PWM控制器SG的引腳排列和功能說明，同時給出了其在不間斷電源中的應用電路。 關鍵詞：PWM SG 控制器引言開關電源一般都採用脈沖寬度調制（PWM）技術，其特點是頻率高，效率高，功率密度高，可靠性高。然而，由於其開關器件工作在高頻通斷狀...

[圖文18]解析幾種有效的開關電源電磁干擾的抑制措施
摘 要 本文先了開關電源產生電磁干擾的機理, ,就目前幾種有效的開關電源電磁干擾措施進行了比較，並為開關電源電磁干擾的進一步研究提出參考建議。 關鍵詞 開關電源 電磁干擾 抑制措施&...

[圖文18]鎖相放大技術在蓄電池內阻檢測中的應用
摘要：介紹了鎖相放大技術的基本原理以及採用交流注入法在線測量蓄電池內阻的裝置，詳細介紹了該裝置的工作大批量採用鎖相放大技術實現內阻測量實際電路。在該裝置中通過採用平衡調制解調晶元AD有效地抑制了雜訊和干擾，並且簡化了設計。 關鍵詞：蓄電池內阻 交流注入法 鎖相放大 AD 國內外的科研人員通過大量的實驗發現，蓄電池的內阻與容量有著密切的關系，根據蓄電池內阻...

[圖文18]SA三相PWM發生器的原理與應用
摘要：SA是英國MITEL推出的三相PWM發生器集成晶元。該晶元採用全數字化操作，工作方式靈活、頻率范圍寬、精度很高?並可與微處理器介面以實現智能化控制。文中介紹了該晶元的內部結構、引腳功能、主要特點和工作原理，給出了典型的應用電路。 關鍵詞：PWM發生器；SA；微處理器1 SA的功能特點PWM控制技術是通過控制電路按一定規律來控制...

[圖文18]新一代單片PFC+PWM控制器
摘要：CM是美國CMC半導體生產的新一代單片PFC+PWM控制器，該晶元採用了LETE（同步前沿PFC／後沿PWM技術）等多項專利技術，從而減小了電路中的濾波電容值且不再需要前饋電阻，同時具有綠色模式、軟啟動、故障檢測、欠壓、過壓保護等功能，其主動式PFC（功率因子校正）可使功率因子接近於1。文中介紹了CM的主要特點、引腳功能及內部結構，給出電壓模式及電流模式的應用電路。 ...

[圖文18]4A高效化學電池充電器控制LTC
摘要：LTC是一種同步電流模式PWM降壓轉換開關電池充電控制器。該控制器的充電電流可編程，輸出電流不小於4A，效率達96％，輸出電壓范圍為3～28，適合於對多化學電池充電器的控制。文中介紹了LTC的功能特點?給出了它的應用電路。 關鍵詞：頻率合成器；分頻器；電荷泵；LTC 1 概述LTC是美國凌特生產的一種恆流／恆壓多化學...

[圖文18]用負阻原理設計高穩定度CO
摘要：介紹了利用負阻原理、採用改進型克拉潑電路設計的高穩定度LC壓控振盪器（CO），其頻率范圍為MHz~MHz。用ADS進行了模擬，最後給出了測量結果，實際表明它們是一致的。該電路採用相角補償，提高了頻率穩定度，降低了相位雜訊。該方法設計簡單、調試方便、成本低。 關鍵詞：負阻 CO 克拉潑電路 相位雜訊壓控振盪器(C0)是鎖相環路的重要組成部分。...

[圖文18]DC-DC變換器AP控制方法的
摘要：隨著電壓調整模塊（RM）輸入容量的越來越大和動態要求的越來越嚴格，適應降壓（AP）控制在RM中的應用被人們重新認識。本文對AR控制策略的有源法和無源法進行了理論，並採用一種新式檢測方法實現AP控制，並通過比較實驗證實了AP控制方法的優越性。 關鍵詞：電壓調整模塊 降壓控制 有源法 無源法 CPU和DSP對數據處理速度和容量的要求不斷提高，對電源...

[圖文18]IPM驅動和保護電路的研究
摘要：介紹了IPM的基本工作特性和常用IPM驅動和保護電路的設計方法，並給出了一個驅動和保護電路的設計實例。 關鍵詞：IGBT（絕緣柵雙極性晶體管） IPM（智能功率模塊） PIC（功率集成電路）智能功率模塊（IPM）是Intelligent Power Mole的縮寫，是一種先進的功率開關器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優點，...

[圖文18]一種實用的逆變橋功率開關管門極關斷箝位電路
摘要：針對1kA高頻在線式UPS主功率電路的設計，並結合實際電路調試中所遇到的問題，提出了一種實用的電路——逆變橋功率開關管門極關斷箝位電路,它可以有效地抑制開關管門極的干擾，從而提高電路的可靠性；同時給出了部分電路的實驗波形和實驗結果。 關鍵詞：逆變 抑制 可靠性 箝位不間斷電源（Uninterrupted Power Supply，簡稱UPS）是一種穩頻、穩...

E. ltc336三極體

是一種電流控制電流的半導體器件。
三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型晶體管、晶體三極體，是一種電流控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號，也用作無觸點開關。晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。可用來對微弱信號進行放大和作無觸點開關。它具有結構牢固、壽命長、體積小、耗電省等一系列獨特優點，故在各個領域得到廣泛應用。

F. 有誰用過立深鑫的LDO晶元嗎質量如何

LDO即low dropout regulator，是一種低壓差線性穩壓器。這是相對於傳統的線性穩壓器來說的。傳統的線性穩壓器，如78XX系列的晶元都要求輸入電壓要比輸出電壓至少高出2V~3V，否則就不能正常工作。但是在一些情況下，這樣的條件顯然是太苛刻了，如5V轉3.3V，輸入與輸出之間的壓差只有1.7v，顯然這是不滿足傳統線性穩壓器的工作條件的。針對這種情況，晶元製造商們才研發出了LDO類的電壓轉換晶元。
LDO晶元供應商：拍明芯城元器件商城
LDO 是一種線性穩壓器，使用在其線性區域內運行的晶體管或場效應管（FET），從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。正輸出電壓的LDO（低壓降）穩壓器通常使用功率晶體管（也稱為傳遞設備）作為 PNP。這種晶體管允許飽和，所以穩壓器可以有一個非常低的壓降電壓，通常為 200mV 左右；與之相比，使用 NPN 復合電源晶體管的傳統線性穩壓器的壓降為 2V 左右。負輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設備，其運行模式與正輸出 LDO 的 PNP設備類似。
更新的發展使用 MOS 功率晶體管，它能夠提供最低的壓降電壓。使用 功率MOS，通過穩壓器的唯一電壓壓降是電源設備負載電流的 ON 電阻造成的。如果負載較小，這種方式產生的壓降只有幾十毫伏。
DC-DC的意思是直流變（到）直流（不同直流電源值的轉換），只要符合這個定義都可以叫DC-DC轉換器，包括LDO。但是一般的說法是把直流變（到）直流由開關方式實現的器件叫DC-DC。
LDO是低壓降的意思，這有一段說明：低壓降（LDO）線性穩壓器的成本低，噪音低，靜態電流小，這些是它的突出優點。它需要的外接元件也很少，通常只需要一兩個旁路電容。新的LDO線性穩壓器可達到以下指標：輸出雜訊30μV，PSRR為60dB，靜態電流6μA（TI的TPS78001達到Iq=0.5uA），電壓降只有100mV(TI量產了號稱0.1mV的LDO)。 LDO線性穩壓器的性能之所以能夠達到這個水平，主要原因在於其中的調整管是用P溝道MOSFET，而普通的線性穩壓器是使用PNP晶體管。P溝道MOSFET是電壓驅動的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流；另一方面，採用PNP晶體管的電路中，為了防止PNP晶體管進入飽和狀態而降低輸出能力， 輸入和輸出之間的電壓降不可以太低；而P溝道MOSFET上的電壓降大致等於輸出電流與導通電阻的乘積。由於MOSFET的導通電阻很小，因而它上面的電壓降非常低。
如果輸入電壓和輸出電壓很接近，最好是選用LDO穩壓器，可達到很高的效率。所以，在把鋰離子電池電壓轉換為3V輸出電壓的應用中大多選用LDO穩壓器。雖說電池的能量最後有百分之十是沒有使用，LDO穩壓器仍然能夠保證電池的工作時間較長，同時噪音較低。
如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近，就要考慮用開關型的DCDC了，因為從上面的原理可以知道，LDO的輸入電流基本上是等於輸出電流的，如果壓降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。
DC-DC轉換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。DC-DC轉換器的優點是效率高、可以輸出大電流、靜態電流小。隨著集成度的提高，許多新型DC-DC轉換器僅需要幾只外接電感器和濾波電容器。但是，這類電源控制器的輸出脈動和開關噪音較大、成本相對較高。
近幾年來，隨著半導體技術的發展，表面貼裝的電感器、電容器、以及高集成度的電源控制晶元的成本不斷降低，體積越來越小。由於出現了導通電阻很小的MOSFET可以輸出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如對於3V的輸入電壓，利用晶元上的NFET可以得到5V/2A的輸出。其次，對於中小功率的應用，可以使用成本低小型封裝。另外，如果開關頻率提高到1MHz，還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。有些新器件還增加許多新功能，如軟啟動、限流、PFM或者PWM方式選擇等。
總的來說，升壓是一定要選DCDC的，降壓，是選擇DCDC還是LDO，要在成本，效率，雜訊和性能上比較。
結構
LDO低壓差線性穩壓器的結構主要包括啟動電路、恆流源偏置單元、使能電路、調整元件、基準源、誤差放大器、反饋電阻網路和保護電路等。基本工作原理是這樣的：系統加電，如果使能腳處於高電平時，電路開始啟動，恆流源電路給整個電路提供偏置，基準源電壓快速建立，輸出隨著輸入不斷上升，當輸出即將達到規定值時，由反饋網路得到的輸出反饋電壓也接近於基準電壓值，此時誤差放大器將輸出反饋電壓和基準電壓之間的誤差小信號進行放大，再經調整管放大到輸出，從而形成負反饋，保證了輸出電壓穩定在規定值上，同理如果輸入電壓變化或輸出電流變化，這個閉環迴路將使輸出電壓保持不變，即：Vout=(R1+R2)/R2 ×Vref
實際的低壓差線性穩壓器還具有如負載短路保護、過壓關斷、過熱關斷、反接保護等其它的功能。
工作原理
取樣電壓加在放大器A的反相輸入端，與加在同相輸入端的基準電壓Uref相比較，兩者的差值經放大器A放大後，控制串聯調整管的壓降，從而穩定輸出電壓。當輸出電壓Uout降低時，基準電壓與取樣電壓的差值增加，比較放大器輸出的驅動電流增加，串聯調整管壓降減小，從而使輸出電壓升高。相反，若輸出電壓Uout超過所需要的設定值，比較放大器輸出的前驅動電流減小，從而使輸出電壓降低。供電過程中，輸出電壓校正連續進行，調整時間只受比較放大器和輸出晶體管迴路反應速度的限制。
應當說明，實際的線性穩壓器還應當具有許多其它的功能，比如負載短路保護、過壓關斷、過熱關斷、反接保護等，而且串聯調整管也可以採用MOSFET。
生產廠家
TOREX,SII,ROHM,RICOH,Diodes,Prisemi，Ame,TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild,Micrel,Natlinear,MPS,AATI，ACE,ADI,ST等；

G. 特斯拉線圈的原理是什麼

特斯拉線圈的貌似就是兩個諧振線圈。
某網路中介紹特老剛開始做這個的時候是為了與愛迪生OOXX，愛迪生說交流電危險，然後特老就做了個特斯拉線圈，讓次級電流通過自己以反駁愛迪生的「謬論」。之後特老就開始向無線輸電的方向發展了（特老的無線輸電項目成功與否至今還是個迷），特老當年做的TC（特斯拉線圈縮寫）都是SGTC（火花間隙特斯拉）。特老之所以厲害是他能在當年就能把SGTC調諧振。

現在特斯拉線圈的分支有很多，最簡單的還是SGTC（不過效率低下，所以後來有了晶體管做開關元件的特斯拉線圈，效率大大提升）
OLTC（離線式特斯拉）
SSTC（固態特斯拉，這個的分支還有ISSTC，就是有滅弧的SSTC）
VTTC（電子管特斯拉）
DRSSTC（雙諧振固態特斯拉）

如果想做的話做個小的SGTC很簡單，成功率也很高（很容易出電弧，但是諧振很難調），如果你認識些賣原件的話，也花不了多少（100~300）不過這個只能拉電弧而且調諧振更會讓你糾結好久。
如果想放音樂的話 CLASS-E 的HIFI SSTC也不錯，不過需要電子基礎
提醒「這個實驗有一定的危險程度，請注意安全」
如果想做的話發郵件[email protected]細聊

H. 關於自製小型的特斯拉線圈..

小型特斯拉線圈還是比較安全的,它的放電電弧屬於高頻高壓電,由於高頻電流具有趨膚效應,所以,即使被特拉的電弧擊中也不過是,擊中點的輕微燒傷而已.真正危險的是那些天天懸在我們頭頂的工頻輸電線路,它可是要比被雷擊還要危險的工頻電流!
不知道樓主主要想做那種?一般的那種火花隙的,只需要有點動手能力就好了.這個網址就可以了
http://www.teralab.co.uk/Electronics/Tesla_Coil_1/Tesla_Coil_1_Page1.htm
http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Tesla_coil_3.svg
不好弄的就是高壓變壓器,你可以買一個霓虹燈變壓器代替
如果向做半導體的,去google搜索圖片"DRSSTC"\"OLTC"很多電路圖,和相關設計方案.
http://images.google.cn/images?gbv=2&hl=zh-CN&newwindow=1&sa=1&q=DRSSTC&aq=f&oq=
還有一種,電子管.稱之為VTTC.
http://images.google.cn/images?gbv=2&hl=zh-CN&newwindow=1&sa=1&q=VTTC&aq=f&oq=
另外半導體的比較安全,不容易觸電,但是經典火花器的,和電子管的要很危險,不是特斯拉危險,而是他們大都使用了高壓電源來驅動,如果觸電是比較痛苦的.
最後祝你好運,有問題我們再討論:)

I. 為什麼特斯拉的發明到現在仍然是機密

尼古拉特斯拉我覺得是至今最接近神的存在，聽說他的腦子里邊想到的那些都是三百年之後發生的的事情。尼古拉斯特斯拉之前語言交流電會充斥著我們的生活，與當時的愛迪生還討論過這些問題，但是愛迪生當時就覺得其實直流電就夠用了，但是到現在證實了，特斯拉是正確的。

四、他有圖片記憶功能

特斯拉擁有這樣能力，因此當他閱讀書籍和期刊的同時，特斯拉已經把他讀到的所有信息轉化為記憶存入大腦。就像存入了內部圖書館，可以隨意調取閱讀，所以，特斯拉很少畫他的發明，直接從腦海中的圖片或工作記憶中讀取資料。

特斯拉去世後，其實就算他是美國公民，但是他的很多東西還是被美國部門拿走了，並且是封存。材料多到被人形容為一個「裝載著特斯拉材料的火車車廂」過了一段時間後，他的家人被告知了一些項目，其他的則保留在特斯拉博物館，位於貝爾格萊德，塞爾維亞(他的骨灰也在哪裡)。特斯拉的一些文件和論文仍然是機密，雖然有人通過《信息自由法》請求解釋項目，就算被公開的這些項目也都是經過修訂了。最後，人們往往不知道誰是尼古拉•特斯拉，也不知道在他死亡之前，他已經領導開發了自由能源。

J. TO-92是什麼封裝

什麼是封裝？

[頂]什麼是封裝？
IC產品的封裝常識
一、 什麼叫封裝
封裝，就是指把矽片上的電路管腳,用導線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接.封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護晶元及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接，從而實現內部晶元與外部電路的連接。因為晶元必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對晶元電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝後的晶元也更便於安裝和運輸。由於封裝技術的好壞還直接影響到晶元自身性能的發揮和與之連接的PCB(印製電路板)的設計和製造，因此它是至關重要的。
衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。封裝時主要考慮的因素：
1、 晶元面積與封裝面積之比為提高封裝效率，盡量接近1：1；
2、 引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠，以保證互不幹擾，提高性能；
3、 基於散熱的要求，封裝越薄越好。
封裝主要分為DIP雙列直插和SMD貼片封裝兩種。從結構方面，封裝經歷了最早期的晶體管TO（如TO-89、TO92）封裝發展到了雙列直插封裝，隨後由PHILIP公司開發出了SOP小外型封裝，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。從材料介質方面，包括金屬、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高強度工作條件需求的電路如軍工和宇航級別仍有大量的金屬封裝。
封裝大致經過了如下發展進程：
結構方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引腳形狀：長引線直插－>短引線或無引線貼裝－>球狀凸點；
裝配方式：通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝
二、 具體的封裝形式
1、 SOP/SOIC封裝
SOP是英文Small Outline Package 的縮寫，即小外形封裝。SOP封裝技術由1968～1969年菲利浦公司開發成功，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。
2、 DIP封裝
DIP是英文 Double In-line Package的縮寫，即雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。
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3、 PLCC封裝
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的縮寫，即塑封J引線晶元封裝。PLCC封裝方式，外形呈正方形，32腳封裝，四周都有管腳，外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優點。
4、 TQFP封裝
TQFP是英文thin quad flat package的縮寫，即薄塑封四角扁平封裝。四邊扁平封裝（TQFP）工藝能有效利用空間，從而降低對印刷電路板空間大小的要求。由於縮小了高度和體積，這種封裝工藝非常適合對空間要求較高的應用，如 PCMCIA 卡和網路器件。幾乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封裝。
5、 PQFP封裝
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的縮寫，即塑封四角扁平封裝。PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式，其引腳數一般都在100以上。
6、 TSOP封裝
TSOP是英文Thin Small Outline Package的縮寫，即薄型小尺寸封裝。TSOP內存封裝技術的一個典型特徵就是在封裝晶元的周圍做出引腳， TSOP適合用SMT技術（表面安裝技術）在PCB（印製電路板）上安裝布線。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。
7、 BGA封裝
BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。20世紀90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，BGA封裝開始被應用於生產。
採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。
說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），屬於是BGA封裝技術的一個分支。是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
採用TinyBGA封裝技術的內存產品在相同容量情況下體積只有TSOP封裝的1/3。TSOP封裝內存的引腳是由晶元四周引出的，而TinyBGA則是由晶元中心方向引
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出。這種方式有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4，因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外頻，而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。
TinyBGA封裝的內存其厚度也更薄（封裝高度小於0.8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。因此，TinyBGA內存擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。
三、 國際部分品牌產品的封裝命名規則資料
1、 MAXIM 更多資料請參考 www.maxim-ic.com
MAXIM前綴是「MAX」。DALLAS則是以「DS」開頭。
MAX×××或MAX××××
說明：
1、後綴CSA、CWA 其中C表示普通級，S表示表貼，W表示寬體表貼。
2、後綴CWI表示寬體表貼，EEWI寬體工業級表貼，後綴MJA或883為軍級。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA後綴均為普通雙列直插。
舉例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通帶抗靜電保護
MAX202EEPE 工業級抗靜電保護（-45℃-85℃）,說明E指抗靜電保護MAXIM數字排列分類
1字頭 模擬器 2字頭 濾波器 3字頭 多路開關
4字頭 放大器 5字頭 數模轉換器 6字頭 電壓基準
7字頭 電壓轉換 8字頭 復位器 9字頭 比較器
DALLAS命名規則
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工業級 S=表貼寬體 MCG=DIP封 Z=表貼寬體 MNG=DIP工業級
IND=工業級 QCG=PLCC封 Q=QFP
2、 ADI 更多資料查看www.analog.com
AD產品以「AD」、「ADV」居多，也有「OP」或者「REF」、「AMP」、「SMP」、「SSM」、「TMP」、「TMS」等開頭的。
後綴的說明：
1、後綴中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，後綴中帶R表示表示表貼。
2、後綴中帶D或Q的表示陶封，工業級（45℃-85℃）。後綴中H表示圓帽。
3、後綴中SD或883屬軍品。
例如：JN DIP封裝 JR表貼 JD DIP陶封
3、 BB 更多資料查看www.ti.com
BB產品命名規則：
前綴ADS模擬器件 後綴U表貼 P是DIP封裝 帶B表示工業級 前綴INA、XTR、PGA等表示高精度運放 後綴U表貼 P代表DIP PA表示高精度
4、 INTEL 更多資料查看www.intel.com
INTEL產品命名規則：
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N80C196系列都是單片機
前綴：N=PLCC封裝 T=工業級 S=TQFP封裝 P=DIP封裝
KC20主頻 KB主頻 MC代表84引角
舉例：TE28F640J3A-120 快閃記憶體 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP
5、 ISSI 更多資料查看www.issi.com
以「IS」開頭
比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM
封裝： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP
6、 LINEAR 更多資料查看www.linear-tech.com
以產品名稱為前綴
LTC1051CS CS表示表貼
LTC1051CN8 **表示*IP封裝8腳
7、 IDT 更多資料查看www.idt.com
IDT的產品一般都是IDT開頭的
後綴的說明：
1、後綴中TP屬窄體DIP
2、後綴中P 屬寬體DIP
3、後綴中J 屬PLCC
比如：IDT7134SA55P 是DIP封裝
IDT7132SA55J 是PLCC
IDT7206L25TP 是DIP
8、 NS 更多資料查看www.national.com
NS的產品部分以LM 、LF開頭的
LM324N 3字頭代表民品 帶N圓帽
LM224N 2字頭代表工業級 帶J陶封
LM124J 1字頭代表軍品 帶N塑封
9、 HYNIX 更多資料查看www.hynix.com
封裝： DP代表DIP封裝 DG代表SOP封裝 DT代表TSOP封裝。 不足之處歡迎補充