ltc2053ims晶元

❶ 求助各路大神，LTC4053電池充電晶元有用過的嗎

可以參考產品規格書

❷ LTC3789晶元在multisim中如何模擬

Multisim中的元器件多是通用或應用廣泛的（往往還是製造商較多的），而LTC3789屬於凌力爾特公司獨家推出的專用IC，Multisim就難以支持了。如需模擬，建議到凌力爾特官網「設計模擬」網頁（http://www.linear.com.cn/designtools/software/）選擇對應模擬軟體。

❸ 請問下有沒有集成多個開關MOS管的晶元（例如4個或者8個），每個開關MOS管是分開工作的

能找到內含4個及以下的，超過4個的就很難見到了。下面列幾個型號供參考：
「二管」的：APM4500（對管、帶阻尼二極體）、ALD1116（NMOS）、ALD1107（PMOS）
「三管」的：LTC1163（連體的）
「四管」的：MSK3013（4-NMOS帶阻尼二極體）、ALD1106、ALD1107、SFF120-28Q、ALD1123E、IRHQ597110、IRHQ593110、MAX620、MAX621等等

❹ wifi晶元周圍的電子元件57289是什麼元件

Ltc2051是一個線性放大器 ltc2051如果你需要任何幫助，請拿著它。Ltc？2051ltc2052是雙通道四通道零漂運算放大器，包裝為 ms8、 so-8gn16和 s14。對於空間受限的應用，ltc2051可提供3毫米 x3毫米 x0.8毫米雙引腳細距無鉛封裝(dfn)。他們使用單一的2.7 v 操作電源和支持 ± 5v 應用。目前的消費量是每運算放大器750美元。雖然 ltc2051/ltc2052的體積很小，但是 dc 的性能完全沒有受到影響。典型的輸入偏置電壓和偏置漂移分別為0.5 v 和10 nv/° c。電源抑制比(psrr)超過130分貝及共模抑制比，可支援近零直流偏移及漂移。輸入的共模電壓范圍從正極的負極到最高1v (典型的)。Ltc2051/ltc2052還有一個增強的輸出級，能夠驅動低至2k 到兩個動力軌的負載。開環增益通常是140分貝。另外，ltc2051/ltc2052有1.5 vp-p dc 到10 hz 的雜訊和3mhz 的增益帶寬積。專業查詢晶元元件代碼，分銷 ti，ad，max，st 等原始晶元集成電路

❺ 有誰用過立深鑫的LDO晶元嗎質量如何

LDO即low dropout regulator，是一種低壓差線性穩壓器。這是相對於傳統的線性穩壓器來說的。傳統的線性穩壓器，如78XX系列的晶元都要求輸入電壓要比輸出電壓至少高出2V~3V，否則就不能正常工作。但是在一些情況下，這樣的條件顯然是太苛刻了，如5V轉3.3V，輸入與輸出之間的壓差只有1.7v，顯然這是不滿足傳統線性穩壓器的工作條件的。針對這種情況，晶元製造商們才研發出了LDO類的電壓轉換晶元。
LDO晶元供應商：拍明芯城元器件商城
LDO 是一種線性穩壓器，使用在其線性區域內運行的晶體管或場效應管（FET），從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。正輸出電壓的LDO（低壓降）穩壓器通常使用功率晶體管（也稱為傳遞設備）作為 PNP。這種晶體管允許飽和，所以穩壓器可以有一個非常低的壓降電壓，通常為 200mV 左右；與之相比，使用 NPN 復合電源晶體管的傳統線性穩壓器的壓降為 2V 左右。負輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設備，其運行模式與正輸出 LDO 的 PNP設備類似。
更新的發展使用 MOS 功率晶體管，它能夠提供最低的壓降電壓。使用 功率MOS，通過穩壓器的唯一電壓壓降是電源設備負載電流的 ON 電阻造成的。如果負載較小，這種方式產生的壓降只有幾十毫伏。
DC-DC的意思是直流變（到）直流（不同直流電源值的轉換），只要符合這個定義都可以叫DC-DC轉換器，包括LDO。但是一般的說法是把直流變（到）直流由開關方式實現的器件叫DC-DC。
LDO是低壓降的意思，這有一段說明：低壓降（LDO）線性穩壓器的成本低，噪音低，靜態電流小，這些是它的突出優點。它需要的外接元件也很少，通常只需要一兩個旁路電容。新的LDO線性穩壓器可達到以下指標：輸出雜訊30μV，PSRR為60dB，靜態電流6μA（TI的TPS78001達到Iq=0.5uA），電壓降只有100mV(TI量產了號稱0.1mV的LDO)。 LDO線性穩壓器的性能之所以能夠達到這個水平，主要原因在於其中的調整管是用P溝道MOSFET，而普通的線性穩壓器是使用PNP晶體管。P溝道MOSFET是電壓驅動的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流；另一方面，採用PNP晶體管的電路中，為了防止PNP晶體管進入飽和狀態而降低輸出能力， 輸入和輸出之間的電壓降不可以太低；而P溝道MOSFET上的電壓降大致等於輸出電流與導通電阻的乘積。由於MOSFET的導通電阻很小，因而它上面的電壓降非常低。
如果輸入電壓和輸出電壓很接近，最好是選用LDO穩壓器，可達到很高的效率。所以，在把鋰離子電池電壓轉換為3V輸出電壓的應用中大多選用LDO穩壓器。雖說電池的能量最後有百分之十是沒有使用，LDO穩壓器仍然能夠保證電池的工作時間較長，同時噪音較低。
如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近，就要考慮用開關型的DCDC了，因為從上面的原理可以知道，LDO的輸入電流基本上是等於輸出電流的，如果壓降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。
DC-DC轉換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。DC-DC轉換器的優點是效率高、可以輸出大電流、靜態電流小。隨著集成度的提高，許多新型DC-DC轉換器僅需要幾只外接電感器和濾波電容器。但是，這類電源控制器的輸出脈動和開關噪音較大、成本相對較高。
近幾年來，隨著半導體技術的發展，表面貼裝的電感器、電容器、以及高集成度的電源控制晶元的成本不斷降低，體積越來越小。由於出現了導通電阻很小的MOSFET可以輸出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如對於3V的輸入電壓，利用晶元上的NFET可以得到5V/2A的輸出。其次，對於中小功率的應用，可以使用成本低小型封裝。另外，如果開關頻率提高到1MHz，還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。有些新器件還增加許多新功能，如軟啟動、限流、PFM或者PWM方式選擇等。
總的來說，升壓是一定要選DCDC的，降壓，是選擇DCDC還是LDO，要在成本，效率，雜訊和性能上比較。
結構
LDO低壓差線性穩壓器的結構主要包括啟動電路、恆流源偏置單元、使能電路、調整元件、基準源、誤差放大器、反饋電阻網路和保護電路等。基本工作原理是這樣的：系統加電，如果使能腳處於高電平時，電路開始啟動，恆流源電路給整個電路提供偏置，基準源電壓快速建立，輸出隨著輸入不斷上升，當輸出即將達到規定值時，由反饋網路得到的輸出反饋電壓也接近於基準電壓值，此時誤差放大器將輸出反饋電壓和基準電壓之間的誤差小信號進行放大，再經調整管放大到輸出，從而形成負反饋，保證了輸出電壓穩定在規定值上，同理如果輸入電壓變化或輸出電流變化，這個閉環迴路將使輸出電壓保持不變，即：Vout=(R1+R2)/R2 ×Vref
實際的低壓差線性穩壓器還具有如負載短路保護、過壓關斷、過熱關斷、反接保護等其它的功能。
工作原理
取樣電壓加在放大器A的反相輸入端，與加在同相輸入端的基準電壓Uref相比較，兩者的差值經放大器A放大後，控制串聯調整管的壓降，從而穩定輸出電壓。當輸出電壓Uout降低時，基準電壓與取樣電壓的差值增加，比較放大器輸出的驅動電流增加，串聯調整管壓降減小，從而使輸出電壓升高。相反，若輸出電壓Uout超過所需要的設定值，比較放大器輸出的前驅動電流減小，從而使輸出電壓降低。供電過程中，輸出電壓校正連續進行，調整時間只受比較放大器和輸出晶體管迴路反應速度的限制。
應當說明，實際的線性穩壓器還應當具有許多其它的功能，比如負載短路保護、過壓關斷、過熱關斷、反接保護等，而且串聯調整管也可以採用MOSFET。
生產廠家
TOREX,SII,ROHM,RICOH,Diodes,Prisemi，Ame,TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild,Micrel,Natlinear,MPS,AATI，ACE,ADI,ST等；

❻ 晶元LTc3308AlV#wTRPBF是什麼晶元

摘要 Core-3308Y核心板（或者Core-3308BY）採用Rockchip專用IoT處理器RK3308B，基於 ARM 四核 64 位 Cortex-A35 內核，主頻 1.3GHz，集成高性能 Codec 和 Hardware VAD，直接支持最大 8 通道 MIC 陣列+回採，可快速應用於 IoT 智能物聯網、智能語音識別、人機界面、工業控制、智能機器人等領域。

❼ 這個晶元是什麼型號應是SPI的ADC：LT e3

凌力爾特的晶元，型號齊全是LTC1451CS8，上面標記的是1451。根據這個模型可以查詢到相關信息。

❽ 除AD536外，常用的真有效值轉換晶元還有哪些

還有AD637、LTC1966、LTC1967、LTC1968等等。

晶元，英文為Chip；晶元組為Chipset。晶元一般是指集成電路的載體，也是集成電路經過設計、製造、封裝、測試後的結果，通常是一個可以立即使用的獨立的整體。「晶元」和「集成電路」這兩個詞經常混著使用，比如在大家平常討論話題中，集成電路設計和晶元設計說的是一個意思，晶元行業、集成電路行業、IC行業往往也是一個意思。

❾ 一個關於開關電源晶元的知識

這種晶元也是開關電源控制晶元，內部結構依然是PWM控制
但是這種晶元與一半常用的開關電源晶元相比有以下幾個明顯的不同點
1.晶元輸入電壓范圍寬，一般晶元在10-30V左右，這個4-60V
2，整機輸入電壓范圍低，一般電源整機輸入電壓范圍在100-400V都是可以的，這個晶元做的整機輸入電壓范圍同樣在4-60V
3，輸入輸出不隔離，一般開關電源輸入輸出端是隔離的，這個晶元做出來的電源輸入輸出是不隔離的，也就是有個共同的地
4，驅動不一樣，一般開關電源的晶元輸出驅動是驅動N型MOS管子，這個輸出是驅動P型MOS管
5，輸入電壓性質不一樣，一般開關電源設計是適應市電交流輸入，這個晶元設計是適應直流電源輸入，這也是這個晶元叫DC-DC晶元的來由，當然如果這個晶元全面加整流橋和電容濾波變成直流再來供給電源，也是可以的，但是要注意輸入電壓范圍了,最大60V的直流輸入范圍，等效成交流就是42V，這樣在交流42V輸入而且不隔離的開關電源在實用上是沒太大意義的，