ltc220

Ⅰ 關於微觀經濟學的問題

解答：（1）根據題意，有：LMC=且完全競爭廠商的P=MR，根據已知條件P=100，故有MR=100。由利潤最大化的原則MR=LMC，得：3Q2-24Q+40=100整理得
Q2-8Q-20=0解得Q=10（負值捨去了）又因為平均成本函數SAC（Q）=所以，以Q=10代入上式，得：平均成本值SAC=102-12×10+40=20最後，利潤=TR-STC=PQ-STC
=（100×10）-（103-12×102+40×10）=1000-200=800因此，當市場價格P=100時，廠商實現MR=LMC時的產量Q=10，平均成本SAC=20，利潤為л=800。（2）由已知的LTC函數，可得：LAC（Q）=令，即有：，解得Q=6且>0解得Q=6所以Q=6是長期平均成本最小化的解。以Q=6代入LAC（Q），得平均成本的最小值為：LAC=62-12×6+40=4由於完全競爭行業長期均衡時的價格等於廠商的最小的長期平均成本，所以，該行業長期均衡時的價格P=4，單個廠商的產量Q=6。（3）由於完全競爭的成本不變行業的長期供給曲線是一條水平線，且相應的市場長期均衡價格是固定的，它等於單個廠商的最低的長期平均成本，所以，本題的市場的長期均衡價格固定為P=4。以P=4代入市場需求函數Q=660-15P，便可以得到市場的長期均衡數量為Q=660-15×4=600。現已求得在市場實現長期均衡時，市場均衡數量Q=600，單個廠商的均衡產量Q=6，於是，行業長期均衡時的廠商數量=600÷6=100（家）。

Ⅱ 電容有什麼作用

一般情況下，電解電容的作用是過濾掉電流中的低頻信號，但即使是低頻信號，其頻率也分為了好幾個數量級。因此為了適合在不同頻率下使用，電解電容也分為高頻電容和低頻電容（這里的高頻是相對而言）。 低頻濾波電容主要用於市電濾波或變壓器整流後的濾波，其工作頻率與市電一致為50Hz；而高頻濾波電容主要工作在開關電源整流後的濾波，其工作頻率為幾千Hz到幾萬Hz。當我們將低頻濾波電容用於高頻電路時，由於低頻濾波電容高頻特性不好，它在高頻充放電時內阻較大，等效電感較高。因此在使用中會因電解液的頻繁極化而產生較大的熱量。而較高的溫度將使電容內部的電解液氣化，電容內壓力升高，最終導致電容的鼓包和爆裂。而主板上的濾波電容正是工作在高頻環境下，選用低頻的濾波電容當然容易損壞了。因此，我們在選購和更換主板濾波電容時，不僅要注意電容的耐壓值、容量和耐溫值，還要注意它是否是高頻濾波電容 不是越高越好的,我們還要考慮容抗還有放電等因素,電容太高了會導致放電不足和電流過低 電解電容(就是CPU旁邊那電容),是要分極性的,其二,電腦主板是多層金屬孔化孔印製板,如果要換,你得考慮你的焊接技術,不換嗎,當然對電腦有影響的,影響的程度和供電的電路有關,燒主板是不會的 電容都是Low Z（impedance）的，是5V轉Vcore的濾波電容，器外觀顏色比較特別. 一般來說, 選擇輸出濾波電容主要是為了獲得好的濾波效果，輸出電壓的紋波與晶元的工作方式(升壓或降壓)以及工作原理有關，單相和多相的計算方法是不同的。舉例來說，假如使用LTC3406B晶元，△Vout≈△IL（ESR＋1／8fCout）, 其中，△Vout是輸出電壓的紋波，△IL是電感的紋波電流，ESR是輸出濾波電容的內阻，f 是DC/DC的開關頻率， Cout是輸出濾波電容的容值。 通過該公式，可以方便地計算出需要的電容參數。 第一點：電容 電容是保證主板質量的關鍵，也是衡量主板做工的重點。電容在主板中的作用主要是用於保證電壓和電流的穩定（起到濾波的作用）。例如，處理器（CPU）的耗電量是瞬息萬變、極不穩定的，一會兒突然增大，一會兒又突然減小，如果把處理器的耗電量比作河水的話，那麼這河水一會兒是涓涓細流、一會兒又變成滔滔洪水，而電容所起的作用就是像水庫一樣，通過不斷的蓄水放水來達到保證平衡的目的。 主板上的電容通常有兩種，一種是鋁電容（電解電容），另一種是鉭電容。鋁電容在一般品牌的主板上最為常見，容量較大（當然也可以有小容量的）、價格較低是這種電容的優點，但隨著使用年限的增加，這種電容會逐漸失去電容能力；此外，這種電容容易受到高溫的影響，准確度不高。一般說來，CPU插槽附近的電解電容的數量較多，單個電容的容量應該大一些；按照Intel發給各大主板廠商的主板技術白皮書中的要求，為了保證系統的穩定性，奔騰II、奔騰IIICPU插槽附近的濾波電容的單個容量最低也不應低於1000微法，一般主板多採用1000微法容量的電解電容（真會精打細算），只有極少數的主板會不惜成本採用更大容量的電容，例如素以用料瘋狂而著稱的Intel原裝主板，CPU插槽附近的濾波電容單個容量高達3300微法，足以令任何挑剔的玩家閉上嘴，這種主板的穩定性如何也就可想而知了。對於超頻玩家來說， 大容量的濾波電容可以更有效地過濾因CPU超頻而產生的信號雜波，而且一塊超頻性能出眾的主板也必須有高品質、大容量的濾波電容才行。另外，濾波電容的表面一般都標有其臨界溫度指標，一般不應低於105攝氏度，如果發現某塊主板濾波電容的臨界溫度低於這一標準的話，那就趕快逃跑吧。鉭電容的優點是壽命長（類似烏龜），准確度高，耐高溫，缺點是容量較小，價格昂貴。嚴格說來，除了CPU插槽附近，主板上其它的地方最好都用這種電容，因為鉭電容不容易引起波形失真的現象，不過除了Intel原裝主板外，我還沒有看到其他密密麻麻布滿鉭電容的主板，倒是見到布滿密密麻麻小煙囪的主板（那些小煙囪就是電解電容），主要原因還是成本太高。

Ⅲ 第一次做經濟學的計算題 不會做。。求高手完全競爭企業的長期成本函數

先求出企業的長期邊際成本函數 MC=3Q^2-12q+30，因為該市場為完全競爭市場，所以 MR = P，企業追求最大化利潤時，MC=MR=P，即3Q^2-12q+30=66，求得Q=6，代入LTC則成本為：TC=220，收入為TR=66*6=396，利潤為：TR-TC = 176

希望幫到了你，滿意請點擊「選為滿意答案」及時採納，謝謝!

Ⅳ 交流電壓有效值怎麼求

交流電壓表顯示的指示都是正弦交流電壓的有效值。
正弦交流電壓有最大值是有效值的1.414倍。列：220伏的交流電壓的最大值是220*1.414=311伏。

Ⅳ 英語六級網課百度雲資源

《英語六級真題》網路網盤免費下載

鏈接: https://pan..com/s/1zAG--7oGN7e-ij-1bB0A5A

簡介：英語四六級考試是教育部主管的一項全國性的英語考試，其目的是對大學生的實際英語能力進行客觀、准確的測量，為大學英語教學提供測評服務。

Ⅵ IC型號的開頭和尾綴代表什麼意思

電子元器件,又叫電子晶元,半導體集成電路,廣泛應用於各種電子電器設備上.
封裝形式:
封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼.它不僅起著安裝,固定,密封,保護晶元及增強電熱性能等方面的作用,而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接.衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比,這個比值越接近1越好.
封裝大致經過了如下發展進程:
結構方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;
材料方面:金屬,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;
引腳形狀:長引線直插->短引線或無引線貼裝->球狀凸點;
裝配方式:通孔插裝->表面組裝->直接安裝.
英文簡稱
英文全稱
中文解釋
圖片
DIP
Double In-line Package
雙列直插式封裝.插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種.DIP是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標准邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等.
PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier
PLCC封裝方式,外形呈正方形,32腳封裝,四周都有管腳,外形尺寸比DIP封裝小得多.PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線,具有外形尺寸小,可靠性高的優點.
PQFP
Plastic Quad Flat Package
PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小,管腳很細,一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式,其引腳數一般都在100以上.
SOP
Small Outline Package
1968～1969年菲為浦公司就開發出小外形封裝(SOP).以後逐漸派生出SOJ(J型引腳小外形封裝),TSOP(薄小外形封裝),VSOP(甚小外形封裝),SSOP(縮小型SOP),TSSOP(薄的縮小型SOP)及SOT(小外形晶體管),SOIC(小外形集成電路)等.

www.maxim-ic.com
模擬濾波器 光纖通信 高速信號處理和轉換 無線/射頻
光線通訊,模擬 顯示支持電路 高頻模擬和混合信號ASIC
數字轉換器,介面,電源管理,電池監控 DC/DC電源 電壓基準
MAXIM前綴是"MAX".DALLAS則是以"DS"開頭.
MAX×××或MAX××××
說明:1後綴CSA,CWA 其中C表示普通級,S表示表貼,W表示寬體表貼.
2 後綴CWI表示寬體表貼,EEWI寬體工業級表貼,後綴MJA或883為軍級.
3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA後綴均為普通雙列直插.
舉例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通帶抗靜電保護
MAX202EEPE 工業級抗靜電保護(-45℃-85℃) 說明 E指抗靜電保護
MAXIM數字排列分類
1字頭 模擬器 2字頭 濾波器 3字頭 多路開關
4字頭 放大器 5字頭 數模轉換器 6字頭 電壓基準
7字頭 電壓轉換 8字頭 復位器 9字頭 比較器
DALLAS命名規則
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工業級
S=表貼寬體 MCG=DIP封
Z=表貼寬體 MNG=DIP工業級
IND=工業級 QCG=PLCC封 Q=QFP
下面是MAXIM的命名規則:
三字母後綴:
例如:MAX358CPD
C = 溫度范圍
P = 封裝類型
D = 管腳數
溫度范圍:
C = 0℃ 至 70℃ (商業級)
I = -20℃ 至 +85℃ (工業級)
E = -40℃ 至 +85℃ (擴展工業級)
A = -40℃ 至 +85℃ (航空級)
M = -55℃ 至 +125℃ (軍品級)
封裝類型:
A SSOP(縮小外型封裝)
B CERQUAD
C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封裝)
D 陶瓷銅頂封裝
E 四分之一大的小外型封裝
F 陶瓷扁平封裝
H 模塊封裝, SBGA(超級球式柵格陣列, 5x5 TQFP)
J CERDIP (陶瓷雙列直插)
K TO-3 塑料接腳柵格陣列
L LCC (無引線晶元承載封裝)
M MQFP (公制四方扁平封裝)
N 窄體塑封雙列直插
P 塑封雙列直插
Q PLCC (塑料式引線晶元承載封裝)
R 窄體陶瓷雙列直插封裝(300mil)
S 小外型封裝
T TO5,TO-99,TO-100
U TSSOP,μMAX,SOT
W 寬體小外型封裝(300mil)
X SC-70(3腳,5腳,6腳)
Y 窄體銅頂封裝
Z TO-92,MQUAD
/D 裸片
/PR 增強型塑封
/W 晶圓
www.analog.com
DSP信號處理器 放大器工業用器件 通信 電源管理 移動通信
視頻/圖像處理器等 模擬A/D D/A 轉換器 感測器 模擬器件
AD產品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等開頭的.
後綴的說明:1,後綴中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,後綴中帶R表示表示表貼.
2,後綴中帶D或Q的表示陶封,工業級(45℃-85℃).後綴中H表示圓帽.
3,後綴中SD或883屬軍品.
例如:JN DIP封裝 JR表貼 JD DIP陶封
www.ti.com
DSP 信號處理器等嵌入式控制器 高性能運放IC 存儲器 A/D D/A
模擬器件轉換介面IC等 54LS軍品系列 CD4000軍品系列
工業 / 民用電表微控制器等
TI產品命名規則:SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的後綴說明:
SN或SNJ表示TI品牌
SN軍標,帶N表示DIP封裝,帶J表示DIP(雙列直插),帶D表示表貼,帶W表示寬體
SNJ軍級,後面代尾綴F或/883表示已檢驗過的軍級.
CD54LS×××/HC/HCT:
1,無後綴表示普軍級
2,後綴帶J或883表示軍品級
CD4000/CD45××:
後綴帶BCP或BE屬軍品
後綴帶BF屬普軍級
後綴帶BF3A或883屬軍品級
TL×××:
後綴CP普通級 IP工業級 後綴帶D是表貼
後綴帶MJB,MJG或帶/883的為軍品級
TLC表示普通電壓 TLV低功耗電壓
TMS320系列歸屬DSP器件, MSP430F微處理器
BB產品命名規則:
前綴ADS模擬器件 後綴U表貼 P是DIP封裝 帶B表示工業級
前綴INA,XTR,PGA等表示高精度運放 後綴U表貼 P代表DIP PA表示高精度

INTEL產品命名規則: N80C196系列都是單片機 前綴:N=PLCC封裝 T=工業級 S=TQFP封裝 P=DIP封裝 KC20主頻 KB主頻 MC代表84引角 TE28F640J3A-120 快閃記憶體 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP www.issi.com SRAM,SDRAM,EDO/FPM DRAM, EEPROM,8051 系列單片機,ASIC及語音晶元 以"IS"開頭 比如:IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM 封裝: PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP 高性能模擬器件 電壓基準 運算放大器 數/模 模數轉換器 電源及馬達 控制線路 以產品名稱為前綴 LTC1051CS CS表示表貼 LTC1051CN8 CN表示DIP封裝8腳 www.amd.com FLASH 快閃記憶體 微處理器 雙埠RAM 先進先出器件FIFO 高速靜態存儲器SRAM 快速邏輯器件FCT 低功耗高速TTL系列 如74FCT16XXX系列 IDT的產品一般都是IDT開頭的. 後綴的說明:1,後綴中TP屬窄體DIP. 2,後綴中P 屬寬體DIP. 3,後綴中J 屬 PLCC. 比如:IDT7134SA55P 是DIP封裝 IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP

看看對你有沒有幫助。

Ⅶ 音響3個介面GND +12V REM 如何使用12V獨立電瓶接線

GND是接地 (也就是負級)，+12v REM並在一起接電池的12v，REM是接開關控制電源。

可以把gnd接負極，rem接+12伏端並接到電源正極。利用電瓶也就是蓄電池直接接就可以使用，關鍵是那蓄電池必須是12伏的。如果採用220伏降壓為12伏的變壓器接入，那麼必須用220伏降壓為13-16伏左右的變壓器，輸出的低壓採用橋式整流並濾波後取得直流12伏電壓才可以的。

(7)ltc220擴展閱讀：

音頻工作站最重要的是還設有AES/EBU以及SPDIF等數字介面，用來進行數字音頻信號的輸入和輸出。另外，一些高檔產品還為使用者提供了YAMAHA.PD等其它更多格式的專用介面，這些都是採用ASIC技術開發的；更有甚者，有的廠商甚至在一塊晶元上集成了8種協議格式的介面。

另外，數字音頻工作站通常還設有MIDI介面、SMPTE時間碼介面等。在系統同步方面，幾乎所有的產品都有SMPTE時間碼發生以及讀出電路。最安全的還有VITC、LTC、YV幀等多種時碼鏈鎖，這些都是相當成熟的技術。

Ⅷ SOT220和TO220是同種封裝嗎

不是
SOT是SOP系列封裝的一種。
一、 什麼叫封裝
封裝，就是指把矽片上的電路管腳,用導線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接.封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護晶元及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接，從而實現內部晶元與外部電路的連接。因為晶元必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對晶元電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝後的晶元也更便於安裝和運輸。由於封裝技術的好壞還直接影響到晶元自身性能的發揮和與之連接的PCB(印製電路板)的設計和製造，因此它是至關重要的。
衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。封裝時主要考慮的因素：
1、 晶元面積與封裝面積之比為提高封裝效率，盡量接近1：1；
2、 引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠，以保證互不幹擾，提高性能；
3、 基於散熱的要求，封裝越薄越好。
封裝主要分為DIP雙列直插和SMD貼片封裝兩種。從結構方面，封裝經歷了最早期的晶體管TO（如TO-89、TO92）封裝發展到了雙列直插封裝，隨後由PHILIP公司開發出了SOP小外型封裝，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。從材料介質方面，包括金屬、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高強度工作條件需求的電路如軍工和宇航級別仍有大量的金屬封裝。
封裝大致經過了如下發展進程：
結構方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引腳形狀：長引線直插－>短引線或無引線貼裝－>球狀凸點；
裝配方式：通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝
二、 具體的封裝形式
1、 SOP/SOIC封裝
SOP是英文Small Outline Package 的縮寫，即小外形封裝。SOP封裝技術由1968～1969年菲利浦公司開發成功，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。
2、 DIP封裝
DIP是英文 Double In-line Package的縮寫，即雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。
< 1 >
3、 PLCC封裝
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的縮寫，即塑封J引線晶元封裝。PLCC封裝方式，外形呈正方形，32腳封裝，四周都有管腳，外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優點。
4、 TQFP封裝
TQFP是英文thin quad flat package的縮寫，即薄塑封四角扁平封裝。四邊扁平封裝（TQFP）工藝能有效利用空間，從而降低對印刷電路板空間大小的要求。由於縮小了高度和體積，這種封裝工藝非常適合對空間要求較高的應用，如 PCMCIA 卡和網路器件。幾乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封裝。
5、 PQFP封裝
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的縮寫，即塑封四角扁平封裝。PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式，其引腳數一般都在100以上。
6、 TSOP封裝
TSOP是英文Thin Small Outline Package的縮寫，即薄型小尺寸封裝。TSOP內存封裝技術的一個典型特徵就是在封裝晶元的周圍做出引腳， TSOP適合用SMT技術（表面安裝技術）在PCB（印製電路板）上安裝布線。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。
7、 BGA封裝
BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。20世紀90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，BGA封裝開始被應用於生產。
採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。
說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），屬於是BGA封裝技術的一個分支。是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
採用TinyBGA封裝技術的內存產品在相同容量情況下體積只有TSOP封裝的1/3。TSOP封裝內存的引腳是由晶元四周引出的，而TinyBGA則是由晶元中心方向引
< 2 >
出。這種方式有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4，因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外頻，而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。
TinyBGA封裝的內存其厚度也更薄（封裝高度小於0.8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。因此，TinyBGA內存擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。
三、 國際部分品牌產品的封裝命名規則資料
1、 MAXIM 更多資料請參考 www.maxim-ic.com
MAXIM前綴是「MAX」。DALLAS則是以「DS」開頭。
MAX×××或MAX××××
說明：
1、後綴CSA、CWA 其中C表示普通級，S表示表貼，W表示寬體表貼。
2、後綴CWI表示寬體表貼，EEWI寬體工業級表貼，後綴MJA或883為軍級。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA後綴均為普通雙列直插。
舉例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通帶抗靜電保護
MAX202EEPE 工業級抗靜電保護（-45℃-85℃）,說明E指抗靜電保護MAXIM數字排列分類
1字頭 模擬器 2字頭 濾波器 3字頭 多路開關
4字頭 放大器 5字頭 數模轉換器 6字頭 電壓基準
7字頭 電壓轉換 8字頭 復位器 9字頭 比較器
DALLAS命名規則
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工業級 S=表貼寬體 MCG=DIP封 Z=表貼寬體 MNG=DIP工業級
IND=工業級 QCG=PLCC封 Q=QFP
2、 ADI 更多資料查看www.analog.com
AD產品以「AD」、「ADV」居多，也有「OP」或者「REF」、「AMP」、「SMP」、「SSM」、「TMP」、「TMS」等開頭的。
後綴的說明：
1、後綴中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，後綴中帶R表示表示表貼。
2、後綴中帶D或Q的表示陶封，工業級（45℃-85℃）。後綴中H表示圓帽。
3、後綴中SD或883屬軍品。
例如：JN DIP封裝 JR表貼 JD DIP陶封
3、 BB 更多資料查看www.ti.com
BB產品命名規則：
前綴ADS模擬器件 後綴U表貼 P是DIP封裝 帶B表示工業級 前綴INA、XTR、PGA等表示高精度運放 後綴U表貼 P代表DIP PA表示高精度
4、 INTEL 更多資料查看www.intel.com
INTEL產品命名規則：
< 3 >
N80C196系列都是單片機
前綴：N=PLCC封裝 T=工業級 S=TQFP封裝 P=DIP封裝
KC20主頻 KB主頻 MC代表84引角
舉例：TE28F640J3A-120 快閃記憶體 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP
5、 ISSI 更多資料查看www.issi.com
以「IS」開頭
比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM
封裝： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP
6、 LINEAR 更多資料查看www.linear-tech.com
以產品名稱為前綴
LTC1051CS CS表示表貼
LTC1051CN8 **表示*IP封裝8腳
7、 IDT 更多資料查看www.idt.com
IDT的產品一般都是IDT開頭的
後綴的說明：
1、後綴中TP屬窄體DIP
2、後綴中P 屬寬體DIP
3、後綴中J 屬PLCC
比如：IDT7134SA55P 是DIP封裝
IDT7132SA55J 是PLCC
IDT7206L25TP 是DIP
8、 NS 更多資料查看www.national.com
NS的產品部分以LM 、LF開頭的
LM324N 3字頭代表民品 帶N圓帽
LM224N 2字頭代表工業級 帶J陶封
LM124J 1字頭代表軍品 帶N塑封
9、 HYNIX 更多資料查看www.hynix.com
封裝： DP代表DIP封裝 DG代表SOP封裝 DT代表TSOP封裝。

TO-220封裝常見的是3腳，是最見的封裝之一。
2腳一般為單個二極體，兩個二極體封裝在一起的也為3個腳。
4個以上引腳基本上都是集成電路。
這種封裝有一面會有裸露的金屬片，用於直接與散熱器相連，散熱效果較好，盡管和TO-3相比熱阻比較大，但安裝和接接都很簡單，在直插式封裝中最為常見。但這種封裝因金屬散熱部分直接與引腳連通，如希望與外加的散熱器絕緣，則比較麻煩，不僅要加如雲母片之類的絕緣墊片，還要另加一個絕緣套管。

Ⅸ 特斯拉線圈問題

http://www.geekfans.com/article-1845-1.html

固態特斯拉線圈製作教程

對與大多數玩了SGTC的人來說都想玩更高級的SSTC/DRSSTC，但是許多人在這是就會遇到困難。

特斯拉線圈介紹

特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因為這是從"Tesla"這個英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數高頻共振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。特斯拉線圈的原理是使用變壓器使普通電壓升壓，然後經由兩極線圈，從放電終端放電的設備。通俗一點說，它是一個人工閃電製造器。在世界各地都有特斯拉線圈的愛好者，他們做出了各種各樣的設備，製造出了眩目的人工閃電。

諧振定義：

在物理學里，有一個概念叫共振：當策動力的頻率和系統的固有頻率相等時，系統受迫振動的振幅最大，這種現象叫共振。電路里的諧振其實也是這個意思：當電路的激勵的頻率等於電路的固有頻率時，電路的電磁振盪的振幅也將達到峰值。實際上，共振和諧振表達的是同樣一種現象。這種具有相同實質的現象在不同的領域里有不同的叫法而已。(說個易懂的，當兩個振動頻率相等的物體，一個發生振動時，引起另一個振動的現象叫做共振，在電學中，兩個等頻振盪電路的共振現象，叫做諧振。)

電磁振盪LC迴路

(L：電感，C：電容)

電磁振盪LC迴路能產生大小和方向都都作周期發生變化的電流叫振盪電流。能產生振盪電流的電路叫振盪電路。其中最簡單的振盪電路叫LC迴路。一個不計電阻的LC電路，就可以實現電磁振盪，故也稱LC振盪電路。LC振盪電路的物理模型滿足下列條件：①整個電路的電阻R=0(包括線圈、導線)，從能量角度看沒有其它形式的能向內能轉化，即熱損耗為零.②電感線圈L集中了全部電路的電感，電容器C集中了全部電路的電容，無潛布電容存在.③LC振盪電路在發生電磁振盪時不向外界空間輻射電磁波，是嚴格意義上的閉合電路，LC電路內部只發生線圈磁場能與電容器電場能之間的相互轉化，即便是電容器內產生的變化電場，線圈內產生的變化磁場也沒有按麥克斯韋的電磁場理論激發相應的磁場和電場，向周圍空間輻射電磁波振盪電流是一種頻率很高的交變電流，它無法用線圈在磁場中轉動產生，只能是由振盪電路產生。其工作流程為：充電完畢(放電開始)：電場能達到最大，磁場能為零，迴路中感應電流i=0。放電完畢(充電開始)：電場能為零，磁場能達到最大，迴路中感應電流達到最大。充電過程：電場能在增加，磁場能在減小，迴路中電流在減小，電容器上電量在增加。從能量看：磁場能在向電場能轉化。放電過程：電場能在減少，磁場能在增加，迴路中電流在增加，電容器上的電量在減少。從能量看：電場能在向磁場能轉化。在振盪電路中產生振盪電流的過程中，電容器極板上的電荷，通過線圈的電流，以及跟電流和電荷相聯系的磁場和電場都發生周期性變化，這種現象叫電磁振盪。

在這里我給那些新人們先講講特斯拉線圈的分類：

SGTC(Spark Gap Tesla Coil=火花隙特斯拉線圈(特斯拉本人發明的那種)

-分枝:SISGTC(Sidac-IGBT SGTC)=以觸發二極體-IGBT替換火花隙的特斯拉線圈

SSTC(Solid State Tesla Coil=固態特斯拉線圈(這里主要講解的那種)

-分枝:(本文主要講DRSSTC，由於SSTC的原理相對簡單，在看完之後就會明白的)

ISSTC(Interrupted SSTC)=帶滅弧固態特斯拉線圈

OLTC(Off Line Tesla coil)=離線式特斯拉線圈

Class-E SSTC=戊類功放式固態特斯拉線圈

DRSSTC(Dual Resonant SSTC)=雙諧振固態特斯拉線圈

-分枝:QCWDRSSTC(Quasi Continuous Wave DRSSTC)=准連續波雙諧振

固態特斯拉線圈

CWDRSSTC(Continuous Wave DRSSTC)=連續波雙諧振固態特斯拉

線圈

VTTC(Vacuum Tube Tesla Coil)=真空管特斯拉線圈

-分枝:SSVC(Solid State Valve Coil)=固態-真空管特斯拉線圈

SGTC：傳統的火花隙特斯拉線圈，噪音大，效率低，壽命短，這里就不做過多介紹。

SSTC：現代電子愛好者們根據特斯拉線圈的本質原理，發明了固態特斯拉線圈(SSTC)，它具有低噪音、高效率、壽命長的特點，因而得到了很好的發展。固態特斯拉線圈不僅可以產生炫目的閃電，還可以利用電弧演奏音樂!因此特斯拉線圈除了應用於高壓領域外，也不失為一件很好的藝術品。

固態特斯拉線圈的原理是：通過驅動電路，將市電(220VAC 50Hz)轉換為高頻交流電，通過初級線圈轉化為高頻磁場，當磁場振盪頻率和由一端接地的次級線圈和放電端形成的LC體系的固有頻率一致時，發生諧振，此時次級線圈將大量電荷送入放電端，使得放電端電壓升的很高，從而形成閃電。對於固態特斯拉線圈，他沒有電容組，只有驅動電路、初級線圈、次級線圈和放電端，他是依靠驅動電路來產生高頻電流，送入初級線圈產生高頻磁場;而傳統的火花隙特斯拉線圈則是依靠打火開關接通/斷開，來激發初級線圈和電容組振盪，產生高頻磁場，這是這兩者的區別!

總結：SSTC的工作方式是驅動板產生一個震盪電流與次級線圈相同這是就會諧振通過初級耦合將能量傳遞給次級。因此sstc的驅動板可以簡單地看成一個震盪信號發生器。

DRSSTC：由於固態特斯拉線圈驅動電路的負載是一個初級線圈，為感性負載，其功率因數低，能量利用率較低，同時初級線圈電流瞬時值也不夠大，所以導致固態特斯拉線圈產生的閃電壯觀程度不及同等級的火花隙特斯拉線圈。為此，有愛好者提出了雙諧振固態特斯拉線圈(DRSSTC)的模型，以彌補普通固態特斯拉線圈的不足。雙諧振固態特斯拉線圈是在普通特斯拉線圈的基礎上，在初級線圈上串入電容組，並讓驅動電路輸出頻率=初級LC固有頻率=次級LC固有頻率，這樣做的好處是：1.初級部分處於諧振狀態，其負載特性為純阻性，功率因數高，能量利用率也就提高了;2.由於初級部分是諧振的，導致初級電流上升較快，瞬間電流較大，從而使得產生的閃電比較壯觀。因此，雙諧振固態特斯拉線圈更受到廣大愛好者的歡迎!

總結：DRSSTC和SSTC差不多隻不過是多了諧振電容，SSTC的初級線圈只是起耦合的作用不會起產生震盪的作用，而SSTC的初級也是一個LC震盪迴路。因此DRSSTC我們可以看做是SGTC的一種升級，取消了變壓器和打火器。但是性能卻遠遠高於SGTC。

固態特斯拉線圈的結構

固態特斯拉線圈由三個部分組成：功率電路驅動電路滅弧電路

D3-6是瞬態二極體是用來防止突然來的高壓擊穿開關管。

C3是吸收電容，由於線路間是存在分布電感的，在高頻開關狀態下，容易產生寄生振盪和尖峰電壓，從而導致開關管損壞，這個電容是起到一個緩沖作用因此必須要加。

這個圖有一個問題就是需要在開關管的觸發極和低壓線上並聯30V左右的穩壓二極體，防止驅動信號電壓過高擊穿開關管。

以上的輸入電源必須是直流電也就是經過整流橋的市電!

為了產生振盪的電流我們必須要准確地控制開關，在幾百KHZ的頻率下人去控制肯定是不行的這時就要交給我們的大哥大，也就是「整個TC的心臟」驅動電路了(如果這一節沒有看懂也沒有關系，只要記住是發出信號控制開關管就行)壇子里很多人都很熱衷於STEVE的Dr驅動電路，但是仔細的想想，他這個電路的缺陷還真的是不老少。我們先對其進行分析，一遍指出其優略。

....

Ⅹ 3月11日灰度存持倉多少

3月11日灰度信託持倉量
BTC——總計持有：655355BTC，灰度BTC單價：$53267.69，當前溢價率：-5.4%，24H持倉變化: --35BTC，灰度持倉佔比: 3.48%
LTC——總計持有：1463881LTC，灰度LTC單價：$3074.08，當前溢價率：+1408.7%，24H持倉變化: +2449LTC，灰度持倉佔比: 1.98%
ETH——總計持有：3173595ETH，灰度ETH單價：$1697.01，當前溢價率：-5.6%，24H持倉變化: --220ETH，灰度持倉佔比: 2.56%
BCH——總計持有：293105BCH，灰度BCH單價：$2631.85，當前溢價率：+373.7%，24H持倉變化: +914BCH，灰度持倉佔比: 1.44%
ETC——總計持有：12427501ETC，灰度ETC單價：$15.54，當前溢價率：+30.4%24H持倉變化: +82027ETC，灰度持倉佔比: 10.57%
ZEC——總計持有：303877ZEC，灰度ZEC單價：--，當前溢價率：--，24H持倉變化: 0ZEC，灰度持倉佔比: 3.25%
ZEN——總計持有：604247ZEN，灰度ZEN單價：--，當前溢價率：--，24H持倉變化: 0ZEN，灰度持倉佔比: 6.26%
XLM——總計持有：63021829XLM，灰度XLM單價：--，當前溢價率：--，24H持倉變化: 0XLM，灰度持倉佔比: 0.25%
鏈喬教育在線旗下學碩創新區塊鏈技術工作站是中國教育部學校規劃建設發展中心開展的「智慧學習工場2020-學碩創新工作站 」唯一獲準的「區塊鏈技術專業」試點工作站。專業站立足為學生提供多樣化成長路徑，推進專業學位研究生產學研結合培養模式改革，構建應用型、復合型人才培養體系。