ltc4150增加功耗
⑴ 哪位弟兄知道HD7970跑ltc速度650K時功耗多少有沒有測過的
完全沒問題。
本人整機帶顯示器測試雙7970GHz峰值650W以下，安鈦克850W電源。
配置是Z77+E3+光碟機+3硬碟。
單卡是整機不超過400W。
你還是好，我的HD7970是XFX訊景，全速只有420，目前各種帖子都無法解釋，只有網友說刷BIOS成功解決，但我是無法搞定了。
你如果有其他方法，希望告知。
⑵ LTC6803測電池電壓均衡的片子，您有電路圖嗎
應用電路二
通用的VTEMP ADC輸入可用於對任何0V至4V信號進行數字轉換，其准確度與第1節電池的ADC輸入緊密對應。提供的一個有用信號是高准確度電壓基準，例如：來自LTC6655-3.3的3.300V。利用該信號的周期性讀數，主機軟體能校正LTC6803讀數，以把准確度提升至超過內部LTC6803基準的水平和/或驗證ADC操作。圖20示出了一種在LTC6803-1的GPI01輸出的控制下，優先選擇利用電池組對一個LTC6655-3.3進行供電的方法。如果由VREG供電，那麼基準IC的操作功耗將給LTC6803增加明顯的熱負載，因此採用一個外部高電壓NPN傳輸晶體管從電池組形成一個局部4.4V電源（Vbe低於VREG）。GPI01信號負責控制一個PMOS FET開關，以在即將執行校準時啟動基準。由於GPIO信號在停機模式中默認至邏輯高電平，因此在空閑周期中基準將自動關斷。
ltc6803中文資料（ltc6803引腳及功能_特性參數及典型應用電路圖）
另一個有用的信號是電池組的總電壓值。這可在正常採集過程中出現操作故障時提供一種冗餘的可用電池測量，或作為一種更加快捷的監視整個電池組電壓的方法。圖21示出了怎樣採用一個阻性分壓器來獲得完整電池組電壓的比例表示。當IC進入待機模式時（即：當WDTB變至低電平時），採用一個MOSFET使電池組上的阻性負載斷接。圖中示出了一個LT6004微功率運算放大器部分，用於緩沖分壓器信號以保持准確度。該電路的優點是：其轉換頻度大約可以比整個電池陣列的快4倍，因而提供了一個較高的采樣速率選項（代價則是精度/准確度略有下降），從而為校準與電池平衡數據保留了高解析度電池讀數。
⑶ SOT220和TO220是同種封裝嗎
不是
SOT是SOP系列封裝的一種。
一、 什麼叫封裝
封裝，就是指把矽片上的電路管腳,用導線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接.封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護晶元及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接，從而實現內部晶元與外部電路的連接。因為晶元必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對晶元電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝後的晶元也更便於安裝和運輸。由於封裝技術的好壞還直接影響到晶元自身性能的發揮和與之連接的PCB(印製電路板)的設計和製造，因此它是至關重要的。
衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。封裝時主要考慮的因素：
1、 晶元面積與封裝面積之比為提高封裝效率，盡量接近1：1；
2、 引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠，以保證互不幹擾，提高性能；
3、 基於散熱的要求，封裝越薄越好。
封裝主要分為DIP雙列直插和SMD貼片封裝兩種。從結構方面，封裝經歷了最早期的晶體管TO（如TO-89、TO92）封裝發展到了雙列直插封裝，隨後由PHILIP公司開發出了SOP小外型封裝，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。從材料介質方面，包括金屬、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高強度工作條件需求的電路如軍工和宇航級別仍有大量的金屬封裝。
封裝大致經過了如下發展進程：
結構方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引腳形狀：長引線直插－>短引線或無引線貼裝－>球狀凸點；
裝配方式：通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝
二、 具體的封裝形式
1、 SOP/SOIC封裝
SOP是英文Small Outline Package 的縮寫，即小外形封裝。SOP封裝技術由1968～1969年菲利浦公司開發成功，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。
2、 DIP封裝
DIP是英文 Double In-line Package的縮寫，即雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。
< 1 >
3、 PLCC封裝
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的縮寫，即塑封J引線晶元封裝。PLCC封裝方式，外形呈正方形，32腳封裝，四周都有管腳，外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優點。
4、 TQFP封裝
TQFP是英文thin quad flat package的縮寫，即薄塑封四角扁平封裝。四邊扁平封裝（TQFP）工藝能有效利用空間，從而降低對印刷電路板空間大小的要求。由於縮小了高度和體積，這種封裝工藝非常適合對空間要求較高的應用，如 PCMCIA 卡和網路器件。幾乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封裝。
5、 PQFP封裝
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的縮寫，即塑封四角扁平封裝。PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式，其引腳數一般都在100以上。
6、 TSOP封裝
TSOP是英文Thin Small Outline Package的縮寫，即薄型小尺寸封裝。TSOP內存封裝技術的一個典型特徵就是在封裝晶元的周圍做出引腳， TSOP適合用SMT技術（表面安裝技術）在PCB（印製電路板）上安裝布線。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。
7、 BGA封裝
BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。20世紀90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，BGA封裝開始被應用於生產。
採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。
說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），屬於是BGA封裝技術的一個分支。是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
採用TinyBGA封裝技術的內存產品在相同容量情況下體積只有TSOP封裝的1/3。TSOP封裝內存的引腳是由晶元四周引出的，而TinyBGA則是由晶元中心方向引
< 2 >
出。這種方式有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4，因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外頻，而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。
TinyBGA封裝的內存其厚度也更薄（封裝高度小於0.8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。因此，TinyBGA內存擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。
三、 國際部分品牌產品的封裝命名規則資料
1、 MAXIM 更多資料請參考 www.maxim-ic.com
MAXIM前綴是「MAX」。DALLAS則是以「DS」開頭。
MAX×××或MAX××××
說明：
1、後綴CSA、CWA 其中C表示普通級，S表示表貼，W表示寬體表貼。
2、後綴CWI表示寬體表貼，EEWI寬體工業級表貼，後綴MJA或883為軍級。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA後綴均為普通雙列直插。
舉例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通帶抗靜電保護
MAX202EEPE 工業級抗靜電保護（-45℃-85℃）,說明E指抗靜電保護MAXIM數字排列分類
1字頭 模擬器 2字頭 濾波器 3字頭 多路開關
4字頭 放大器 5字頭 數模轉換器 6字頭 電壓基準
7字頭 電壓轉換 8字頭 復位器 9字頭 比較器
DALLAS命名規則
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工業級 S=表貼寬體 MCG=DIP封 Z=表貼寬體 MNG=DIP工業級
IND=工業級 QCG=PLCC封 Q=QFP
2、 ADI 更多資料查看www.analog.com
AD產品以「AD」、「ADV」居多，也有「OP」或者「REF」、「AMP」、「SMP」、「SSM」、「TMP」、「TMS」等開頭的。
後綴的說明：
1、後綴中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，後綴中帶R表示表示表貼。
2、後綴中帶D或Q的表示陶封，工業級（45℃-85℃）。後綴中H表示圓帽。
3、後綴中SD或883屬軍品。
例如：JN DIP封裝 JR表貼 JD DIP陶封
3、 BB 更多資料查看www.ti.com
BB產品命名規則：
前綴ADS模擬器件 後綴U表貼 P是DIP封裝 帶B表示工業級 前綴INA、XTR、PGA等表示高精度運放 後綴U表貼 P代表DIP PA表示高精度
4、 INTEL 更多資料查看www.intel.com
INTEL產品命名規則：
< 3 >
N80C196系列都是單片機
前綴：N=PLCC封裝 T=工業級 S=TQFP封裝 P=DIP封裝
KC20主頻 KB主頻 MC代表84引角
舉例：TE28F640J3A-120 快閃記憶體 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP
5、 ISSI 更多資料查看www.issi.com
以「IS」開頭
比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM
封裝： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP
6、 LINEAR 更多資料查看www.linear-tech.com
以產品名稱為前綴
LTC1051CS CS表示表貼
LTC1051CN8 **表示*IP封裝8腳
7、 IDT 更多資料查看www.idt.com
IDT的產品一般都是IDT開頭的
後綴的說明：
1、後綴中TP屬窄體DIP
2、後綴中P 屬寬體DIP
3、後綴中J 屬PLCC
比如：IDT7134SA55P 是DIP封裝
IDT7132SA55J 是PLCC
IDT7206L25TP 是DIP
8、 NS 更多資料查看www.national.com
NS的產品部分以LM 、LF開頭的
LM324N 3字頭代表民品 帶N圓帽
LM224N 2字頭代表工業級 帶J陶封
LM124J 1字頭代表軍品 帶N塑封
9、 HYNIX 更多資料查看www.hynix.com
封裝： DP代表DIP封裝 DG代表SOP封裝 DT代表TSOP封裝。
TO-220封裝常見的是3腳，是最見的封裝之一。
2腳一般為單個二極體，兩個二極體封裝在一起的也為3個腳。
4個以上引腳基本上都是集成電路。
這種封裝有一面會有裸露的金屬片，用於直接與散熱器相連，散熱效果較好，盡管和TO-3相比熱阻比較大，但安裝和接接都很簡單，在直插式封裝中最為常見。但這種封裝因金屬散熱部分直接與引腳連通，如希望與外加的散熱器絕緣，則比較麻煩，不僅要加如雲母片之類的絕緣墊片，還要另加一個絕緣套管。
⑷ TO-92是什麼封裝
什麼是封裝？
[頂]什麼是封裝？
IC產品的封裝常識
一、 什麼叫封裝
封裝，就是指把矽片上的電路管腳,用導線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接.封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護晶元及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接，從而實現內部晶元與外部電路的連接。因為晶元必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對晶元電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝後的晶元也更便於安裝和運輸。由於封裝技術的好壞還直接影響到晶元自身性能的發揮和與之連接的PCB(印製電路板)的設計和製造，因此它是至關重要的。
衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。封裝時主要考慮的因素：
1、 晶元面積與封裝面積之比為提高封裝效率，盡量接近1：1；
2、 引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠，以保證互不幹擾，提高性能；
3、 基於散熱的要求，封裝越薄越好。
封裝主要分為DIP雙列直插和SMD貼片封裝兩種。從結構方面，封裝經歷了最早期的晶體管TO（如TO-89、TO92）封裝發展到了雙列直插封裝，隨後由PHILIP公司開發出了SOP小外型封裝，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。從材料介質方面，包括金屬、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高強度工作條件需求的電路如軍工和宇航級別仍有大量的金屬封裝。
封裝大致經過了如下發展進程：
結構方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引腳形狀：長引線直插－>短引線或無引線貼裝－>球狀凸點；
裝配方式：通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝
二、 具體的封裝形式
1、 SOP/SOIC封裝
SOP是英文Small Outline Package 的縮寫，即小外形封裝。SOP封裝技術由1968～1969年菲利浦公司開發成功，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。
2、 DIP封裝
DIP是英文 Double In-line Package的縮寫，即雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。
< 1 >
3、 PLCC封裝
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的縮寫，即塑封J引線晶元封裝。PLCC封裝方式，外形呈正方形，32腳封裝，四周都有管腳，外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優點。
4、 TQFP封裝
TQFP是英文thin quad flat package的縮寫，即薄塑封四角扁平封裝。四邊扁平封裝（TQFP）工藝能有效利用空間，從而降低對印刷電路板空間大小的要求。由於縮小了高度和體積，這種封裝工藝非常適合對空間要求較高的應用，如 PCMCIA 卡和網路器件。幾乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封裝。
5、 PQFP封裝
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的縮寫，即塑封四角扁平封裝。PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式，其引腳數一般都在100以上。
6、 TSOP封裝
TSOP是英文Thin Small Outline Package的縮寫，即薄型小尺寸封裝。TSOP內存封裝技術的一個典型特徵就是在封裝晶元的周圍做出引腳， TSOP適合用SMT技術（表面安裝技術）在PCB（印製電路板）上安裝布線。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。
7、 BGA封裝
BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。20世紀90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，BGA封裝開始被應用於生產。
採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。
說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），屬於是BGA封裝技術的一個分支。是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
採用TinyBGA封裝技術的內存產品在相同容量情況下體積只有TSOP封裝的1/3。TSOP封裝內存的引腳是由晶元四周引出的，而TinyBGA則是由晶元中心方向引
< 2 >
出。這種方式有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4，因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外頻，而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。
TinyBGA封裝的內存其厚度也更薄（封裝高度小於0.8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。因此，TinyBGA內存擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。
三、 國際部分品牌產品的封裝命名規則資料
1、 MAXIM 更多資料請參考 www.maxim-ic.com
MAXIM前綴是「MAX」。DALLAS則是以「DS」開頭。
MAX×××或MAX××××
說明：
1、後綴CSA、CWA 其中C表示普通級，S表示表貼，W表示寬體表貼。
2、後綴CWI表示寬體表貼，EEWI寬體工業級表貼，後綴MJA或883為軍級。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA後綴均為普通雙列直插。
舉例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通帶抗靜電保護
MAX202EEPE 工業級抗靜電保護（-45℃-85℃）,說明E指抗靜電保護MAXIM數字排列分類
1字頭 模擬器 2字頭 濾波器 3字頭 多路開關
4字頭 放大器 5字頭 數模轉換器 6字頭 電壓基準
7字頭 電壓轉換 8字頭 復位器 9字頭 比較器
DALLAS命名規則
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工業級 S=表貼寬體 MCG=DIP封 Z=表貼寬體 MNG=DIP工業級
IND=工業級 QCG=PLCC封 Q=QFP
2、 ADI 更多資料查看www.analog.com
AD產品以「AD」、「ADV」居多，也有「OP」或者「REF」、「AMP」、「SMP」、「SSM」、「TMP」、「TMS」等開頭的。
後綴的說明：
1、後綴中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，後綴中帶R表示表示表貼。
2、後綴中帶D或Q的表示陶封，工業級（45℃-85℃）。後綴中H表示圓帽。
3、後綴中SD或883屬軍品。
例如：JN DIP封裝 JR表貼 JD DIP陶封
3、 BB 更多資料查看www.ti.com
BB產品命名規則：
前綴ADS模擬器件 後綴U表貼 P是DIP封裝 帶B表示工業級 前綴INA、XTR、PGA等表示高精度運放 後綴U表貼 P代表DIP PA表示高精度
4、 INTEL 更多資料查看www.intel.com
INTEL產品命名規則：
< 3 >
N80C196系列都是單片機
前綴：N=PLCC封裝 T=工業級 S=TQFP封裝 P=DIP封裝
KC20主頻 KB主頻 MC代表84引角
舉例：TE28F640J3A-120 快閃記憶體 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP
5、 ISSI 更多資料查看www.issi.com
以「IS」開頭
比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM
封裝： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP
6、 LINEAR 更多資料查看www.linear-tech.com
以產品名稱為前綴
LTC1051CS CS表示表貼
LTC1051CN8 **表示*IP封裝8腳
7、 IDT 更多資料查看www.idt.com
IDT的產品一般都是IDT開頭的
後綴的說明：
1、後綴中TP屬窄體DIP
2、後綴中P 屬寬體DIP
3、後綴中J 屬PLCC
比如：IDT7134SA55P 是DIP封裝
IDT7132SA55J 是PLCC
IDT7206L25TP 是DIP
8、 NS 更多資料查看www.national.com
NS的產品部分以LM 、LF開頭的
LM324N 3字頭代表民品 帶N圓帽
LM224N 2字頭代表工業級 帶J陶封
LM124J 1字頭代表軍品 帶N塑封
9、 HYNIX 更多資料查看www.hynix.com
封裝： DP代表DIP封裝 DG代表SOP封裝 DT代表TSOP封裝。 不足之處歡迎補充
⑸ 配置一台8000元以上電腦,用INTER,AMD兩款CUP.請詳述他們的性能指標與優缺點
你了解的知識不是很全面,所以想法有些不正確的地方
首先不能一主頻來區別兩種CPU 他們的構架是不一樣的,
從技術上來講,AMD比Intel更先進,採用了K8構架,只有14
流水線,執行效率卻很高,而Intel prescott核心有31條
流水線,雖然流水線的增加提高了工作頻率,但卻加大了
功耗,31條中有一條錯整體就會出問題了,所以不是很好
還有AMD集成了內存控制器,所以對內存的讀去更為穩定
所以在浮點計算方面具有很大的優勢,所以玩游戲來說更
為合適,而Intel則更為穩定,處理影音更為拿手
還有關於你說的2級緩存,AMD由於他的先進的構架,所以對
2級緩存的依賴不是很大,512K已經足夠用了,所以不必要
增加,因為增加會使用更多的晶體管,從而增加功耗,而In
tel 則需要更多的2級緩存來處理信息
最後要說
玩游戲來講
沒錢的買低端的AMD 閃龍64位400-800
有點錢的推薦INTEL P4 630 1200左右
很有錢的推薦AMD FX系列 3000-5000
對游戲的支持都很好
下面補充
有些偏激的想法是不正確的
有人就認為AMD比Intel要強很多
其實一等價錢一等貨,AMD和Intel 都有低中高端產品,
價格都從幾百到幾千不等
總不能說幾百的AMD玩游戲總比幾千的Intel強吧
其實買的時候經濟實力最重要,要買適合自己的CUP
然後性價比也很重要,自己喜歡就可以了
然後還要說
玩游戲CPU只是輔助,縣卡是很重要的,所以兩方面都很重
要,建議到網站查看查看,找到最佳組合,這才是游戲之道
^_^
⑹ 精創溫控器LTC一20如何接線
LTC-20是廚房專用冰櫃冰箱溫控器。溫度感測器應該是配套提供的。採用繼電器控製冰箱冰櫃電源，並且有壓縮機延時保護功能，具體接線可參見說明書中端子板上的標記。
⑺ 中信交易所上LTC交易平台是否是正規公司
有以下抄條件證明是正規的：正規的只要有認證個人信息和網上銀行綁定，提現只需2-3天，只扣掉3%-10%的手續費用。
公司主營業務范圍為：證券（含境內上市外資股）的代理買賣；代理證券還本付息、分紅派息；證券的代保管、鑒證；代理登記開戶；證券的自營買賣；證券（含境內上市外資股）的承銷（含主承銷）；客戶資產管理；證券投資咨詢（含財務顧問）。
(7)ltc4150增加功耗擴展閱讀：
相關事件：
1、2016年3月23日中信證券披露2015年年報，6名高管離職。
2、2017年5月24日，中信證券公告稱，因違反《證券公司監督管理條例》第八十四條第（七）項「未按照規定與客戶簽訂業務合同」之規定，中國證監會責令中信證券改正，給予警告並處罰款。
3、2018年11月6日，中信證券公告稱，就前述調查，公司收到中國證監會結案通知書（結案字 [2018]18號），其中提及，經審理，中國證監會認為公司的涉案違法事實不成立，決定該案結案。
⑻ 汽車充電系統有哪些限制條件
1
、充電快速化
相比發展前景良好的鎳氫和鋰離子動力蓄電池而言，傳統鉛酸類蓄電池以其技術成熟、
成本低、電池容量大、跟隨負荷輸出特性好和無記憶效應等優點，但同樣存在著比能量低、
一次充電續駛里程短的問題。因此，在目前動力電池不能直接提供更多續駛里程的情況下，
如果能夠實現電池充電快速化，從某種意義上也就解決了電動汽車續駛里程短這個致命弱
點。
2
、充電通用化
在多種類型蓄電池、多種電壓等級共存的市場背景下，用於公共場所的充電裝置必須
具有適應多種類型蓄電池系統和適應各種電壓等級的能力，即充電系統需要具有充電廣泛
性，具備多種類型蓄電池的充電控制演算法，可與各類電動汽車上的不同蓄電池系統實現充
電特性匹配，能夠針對不同的電池進行充電。因此，在電動汽車商業化的早期，就應該制
定相關政策措施，規范公共場所用充電裝置與電動汽車的充電介面、充電規范和介面協議
等。
3
、充電智能化
制約電動汽車發展及普及的最關鍵問題之一，是儲能電池的性能和應用水平。優化電
池智能化充電方法的目標是要實現無損電池的充電，監控電池的放電狀態，避免過放電現
象，從而達到延長電池的使用壽命和節能的目的。充電智能化的應用技術發展主要體現在
以下方面：
●優化的、智能充電技術和充電機、充電站
;
●電池電量的計算、指導和智能化管理
;
●電池故障的自動診斷和維護技術等。
4
、電能轉換高效化
電動汽車的能耗指標與其運行能源費緊密相關。降低電動汽車的運行能耗，提高其經
濟性，是推動電動汽車產業化的關鍵因素之一。對於充電站，從電能轉換效率和建造成本
上考慮，應優先選擇具有電能轉換效率高，建造成本低等諸多優點的充電裝置。
5
、充電集成化
本著子系統小型化和多功能化的要求，以及電池可靠性和穩定性要求的提高，充電系
統將和電動汽車能量管理系統集成為一個整體，集成傳輸晶體管、電流檢測和反向放電保
護等功能，無需外部組件即可實現體積更小、集成化更高的充電解決方案，從而為電動汽
車其餘部件節約出布置空間，大大降低系統成本，並可優化充電效果，延長電池壽命
電池充電
解決方案
事實上，所有
3G
手機都採用鋰離子電池作為主電源。由於散熱及空間的限制，設計師必須
仔細考慮選用何種類型的電池充電器，以及還需要哪些特性來確保對電池進行安全及精確
的充電。
線性鋰離子電池充電器的一個明顯趨勢是封裝尺寸繼續減小。但值得關注的是在充電周期
(
尤其在高電流階段
)
冷卻
IC
所需的板空間或通風條件。充電器的功耗會使
IC
的接合部溫
度上升。加上環境溫度，它會達到足夠高的水平，使
IC
過熱並降低電路可靠性。此外，如
果過熱，許多充電器會停止充電周期，只有當接合部溫度下降後才恢復工作。如果這種高
溫持續存在，那麼
充電器「停止和開始」的反復循環也將繼續發生，從而延長充電時間。
為減少這些風險，用戶只能選擇減小充電電流來延長充電時間或增大板面積來散熱。因此，
由於增加了
PCB
散熱面積及熱保護材料，整個系統成本也將上升。
對此問題有兩種解決方案。首先，需要一種智能的線性鋰離子電池充電器，它不必為擔心
散熱而犧牲
PCB
面積，並採用一種小型的熱增強封裝，允許它監視自己的接合部溫度以防
止過熱。如果達到預設的溫度閾值，充電器能自動減少充電電流以限制功耗，從而使晶元
溫度保持在安全水平。第二種解決方案是使用一種即使充電電流很高時也幾乎不發熱的充
電器。這要求使用脈沖充電器，它是一種完全不同於線性充電器的技術。脈沖充電器依靠
經過良好調節且電流受限的牆上適配器來充電。
方案一
：
LTC4059A
線性電池充電器
LTC4059A
是一款用於單節鋰離子電池的線性充電器，它無需使用三個分立功率器件，可快
速充電而不用擔心系統過熱。監視器負責報告充電電流值，並指示充電器是何時與輸入電
源連接的。它採用盡可能小的封裝但沒有犧牲散熱性能。整個方案僅需兩個分立器件
(
輸入
電容器和一個充電電流編程電阻
)
，佔位面積為
2.5mm
×
2.7mm
。
LTC4059A
採用
2mm
×
2mm
DFN
封裝，佔位面積只有
SOT-23
封裝的一半，並能提供大約
60
℃
/W
的低熱阻，以提高散
熱效率。通過適當的
PCB
布局及散熱設計，
LTC4059A
可以在輸入電壓為
5V
的情況下以最
高
900mA
的電流對單節鋰離子電池安全充電。此外，設計時無需考慮最壞情況下的功耗，
因為
LTC4059A
採用了專利的熱管理技術，可以在高功率條件
(
如環境溫度過高
)
下自動減小
充電電流。
方案二
：帶過流保護功能的
LTC4052
脈沖充電器
⑼ 如何分辨不同種類的封裝技術
IC產品的封裝常識
一、 什麼叫封裝
封裝，就是指把矽片上的電路管腳,用導線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接.封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護晶元及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接，從而實現內部晶元與外部電路的連接。因為晶元必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對晶元電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝後的晶元也更便於安裝和運輸。由於封裝技術的好壞還直接影響到晶元自身性能的發揮和與之連接的PCB(印製電路板)的設計和製造，因此它是至關重要的。
衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。封裝時主要考慮的因素：
1、 晶元面積與封裝面積之比為提高封裝效率，盡量接近1：1；
2、 引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠，以保證互不幹擾，提高性能；
3、 基於散熱的要求，封裝越薄越好。
封裝主要分為DIP雙列直插和SMD貼片封裝兩種。從結構方面，封裝經歷了最早期的晶體管TO（如TO-89、TO92）封裝發展到了雙列直插封裝，隨後由PHILIP公司開發出了SOP小外型封裝，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。從材料介質方面，包括金屬、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高強度工作條件需求的電路如軍工和宇航級別仍有大量的金屬封裝。
封裝大致經過了如下發展進程：
結構方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引腳形狀：長引線直插－>短引線或無引線貼裝－>球狀凸點；
裝配方式：通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝
二、 具體的封裝形式
1、 SOP/SOIC封裝
SOP是英文Small Outline Package 的縮寫，即小外形封裝。SOP封裝技術由1968～1969年菲利浦公司開發成功，以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。
2、 DIP封裝
DIP是英文 Double In-line Package的縮寫，即雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。
< 1 >
3、 PLCC封裝
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的縮寫，即塑封J引線晶元封裝。PLCC封裝方式，外形呈正方形，32腳封裝，四周都有管腳，外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優點。
4、 TQFP封裝
TQFP是英文thin quad flat package的縮寫，即薄塑封四角扁平封裝。四邊扁平封裝（TQFP）工藝能有效利用空間，從而降低對印刷電路板空間大小的要求。由於縮小了高度和體積，這種封裝工藝非常適合對空間要求較高的應用，如 PCMCIA 卡和網路器件。幾乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封裝。
5、 PQFP封裝
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的縮寫，即塑封四角扁平封裝。PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式，其引腳數一般都在100以上。
6、 TSOP封裝
TSOP是英文Thin Small Outline Package的縮寫，即薄型小尺寸封裝。TSOP內存封裝技術的一個典型特徵就是在封裝晶元的周圍做出引腳， TSOP適合用SMT技術（表面安裝技術）在PCB（印製電路板）上安裝布線。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。
7、 BGA封裝
BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。20****90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，BGA封裝開始被應用於生產。
採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。
說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），屬於是BGA封裝技術的一個分支。是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
採用TinyBGA封裝技術的內存產品在相同容量情況下體積只有TSOP封裝的1/3。TSOP封裝內存的引腳是由晶元四周引出的，而TinyBGA則是由晶元中心方向引
< 2 >
出。這種方式有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4，因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外頻，而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。
TinyBGA封裝的內存其厚度也更薄（封裝高度小於0.8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。因此，TinyBGA內存擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。
三、 國際部分品牌產品的封裝命名規則資料
1、 MAXIM 更多資料請參考 www.maxim-ic.com
MAXIM前綴是「MAX」。DALLAS則是以「DS」開頭。
MAX×××或MAX××××
說明：
1、後綴CSA、CWA 其中C表示普通級，S表示表貼，W表示寬體表貼。
2、後綴CWI表示寬體表貼，EEWI寬體工業級表貼，後綴MJA或883為軍級。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA後綴均為普通雙列直插。
舉例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通帶抗靜電保護
MAX202EEPE 工業級抗靜電保護（-45℃-85℃）,說明E指抗靜電保護MAXIM數字排列分類
1字頭 模擬器 2字頭 濾波器 3字頭 多路開關
4字頭 放大器 5字頭 數模轉換器 6字頭 電壓基準
7字頭 電壓轉換 8字頭 復位器 9字頭 比較器
DALLAS命名規則
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工業級 S=表貼寬體 MCG=DIP封 Z=表貼寬體 MNG=DIP工業級
IND=工業級 QCG=PLCC封 Q=QFP
2、 ADI 更多資料查看www.analog.com
AD產品以「AD」、「ADV」居多，也有「OP」或者「REF」、「AMP」、「SMP」、「SSM」、「TMP」、「TMS」等開頭的。
後綴的說明：
1、後綴中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，後綴中帶R表示表示表貼。
2、後綴中帶D或Q的表示陶封，工業級（45℃-85℃）。後綴中H表示圓帽。
3、後綴中SD或883屬軍品。
例如：JN DIP封裝 JR表貼 JD DIP陶封
3、 BB 更多資料查看www.ti.com
BB產品命名規則：
前綴ADS模擬器件 後綴U表貼 P是DIP封裝 帶B表示工業級 前綴INA、XTR、PGA等表示高精度運放 後綴U表貼 P代表DIP PA表示高精度
4、 INTEL 更多資料查看www.intel.com
INTEL產品命名規則：
< 3 >
N80C196系列都是單片機
前綴：N=PLCC封裝 T=工業級 S=TQFP封裝 P=DIP封裝
KC20主頻 KB主頻 MC代表84引角
舉例：TE28F640J3A-120 快閃記憶體 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP
5、 ISSI 更多資料查看www.issi.com
以「IS」開頭
比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM
封裝： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP
6、 LINEAR 更多資料查看www.linear-tech.com
以產品名稱為前綴
LTC1051CS CS表示表貼
LTC1051CN8 **表示*IP封裝8腳
7、 IDT 更多資料查看www.idt.com
IDT的產品一般都是IDT開頭的
後綴的說明：
1、後綴中TP屬窄體DIP
2、後綴中P 屬寬體DIP
3、後綴中J 屬PLCC
比如：IDT7134SA55P 是DIP封裝
IDT7132SA55J 是PLCC
IDT7206L25TP 是DIP
8、 NS 更多資料查看www.national.com
NS的產品部分以LM 、LF開頭的
LM324N 3字頭代表民品 帶N圓帽
LM224N 2字頭代表工業級 帶J陶封
LM124J 1字頭代表軍品 帶N塑封
9、 HYNIX 更多資料查看www.hynix.com
封裝： DP代表DIP封裝 DG代表SOP封裝 DT代表TSOP封裝。
⑽ 純電動汽車充電需求有哪些
純電動汽車充電需求有哪些
1
、充電快速化
相比發展前景良好的鎳氫和鋰離子動力蓄電池而言，傳統鉛酸類蓄電池以其技術成熟、
成本低、電池容量大、跟隨負荷輸出特性好和無記憶效應等優點，但同樣存在著比能量低、
一次充電續駛里程短的問題。因此，在目前動力電池不能直接提供更多續駛里程的情況下，
如果能夠實現電池充電快速化，從某種意義上也就解決了電動汽車續駛里程短這個致命弱
點。
2
、充電通用化在多種類型蓄電池、多種電壓等級共存的市場背景下，用於公共場所的充電裝置必須
具有適應多種類型蓄電池系統和適應各種電壓等級的能力，即充電系統需要具有充電廣泛
性，具備多種類型蓄電池的充電控制演算法，可與各類電動汽車上的不同蓄電池系統實現充
電特性匹配，能夠針對不同的電池進行充電。因此，在電動汽車商業化的早期，就應該制
定相關政策措施，規范公共場所用充電裝置與電動汽車的充電介面、充電規范和介面協議
等。
3
、充電智能化
制約電動汽車發展及普及的最關鍵問題之一，是儲能電池的性能和應用水平。優化電
池智能化充電方法的目標是要實現無損電池的充電，監控電池的放電狀態，避免過放電現
象，從而達到延長電池的使用壽命和節能的目的。充電智能化的應用技術發展主要體現在
以下方面：
●優化的、智能充電技術和充電機、充電站;
●電池電量的計算、指導和智能化管理
;
●電池故障的自動診斷和維護技術等。
4
、電能轉換高效化
電動汽車的能耗指標與其運行能源費緊密相關。降低電動汽車的運行能耗，提高其經
濟性，是推動電動汽車產業化的關鍵因素之一。對於充電站，從電能轉換效率和建造成本
上考慮，應優先選擇具有電能轉換效率高，建造成本低等諸多優點的充電裝置。
5
、充電集成化
本著子系統小型化和多功能化的要求，以及電池可靠性和穩定性要求的提高，充電系
統將和電動汽車能量管理系統集成為一個整體，集成傳輸晶體管、電流檢測和反向放電保
護等功能，無需外部組件即可實現體積更小、集成化更高的充電解決方案，從而為電動汽
車其餘部件節約出布置空間，大大降低系統成本，並可優化充電效果，延長電池壽命電池充電
解決方案
事實上，所有
3G
手機都採用鋰離子電池作為主電源。由於散熱及空間的限制，設計師必須
仔細考慮選用何種類型的電池充電器，以及還需要哪些特性來確保對電池進行安全及精確
的充電。
線性鋰離子電池充電器的一個明顯趨勢是封裝尺寸繼續減小。但值得關注的是在充電周期
(
尤其在高電流階段
)
冷卻
IC
所需的板空間或通風條件。充電器的功耗會使
IC
的接合部溫
度上升。加上環境溫度，它會達到足夠高的水平，使
IC
過熱並降低電路可靠性。此外，如
果過熱，許多充電器會停止充電周期，只有當接合部溫度下降後才恢復工作。如果這種高
溫持續存在，那麼
充電器「停止和開始」的反復循環也將繼續發生，從而延長充電時間。
為減少這些風險，用戶只能選擇減小充電電流來延長充電時間或增大板面積來散熱。因此，
由於增加了
PCB
散熱面積及熱保護材料，整個系統成本也將上升。
對此問題有兩種解決方案。首先，需要一種智能的線性鋰離子電池充電器，它不必為擔心
散熱而犧牲
PCB
面積，並採用一種小型的熱增強封裝，允許它監視自己的接合部溫度以防
止過熱。如果達到預設的溫度閾值，充電器能自動減少充電電流以限制功耗，從而使晶元
溫度保持在安全水平。第二種解決方案是使用一種即使充電電流很高時也幾乎不發熱的充
電器。這要求使用脈沖充電器，它是一種完全不同於線性充電器的技術。脈沖充電器依靠
經過良好調節且電流受限的牆上適配器來充電。
方案一
：
LTC4059A
線性電池充電器
LTC4059A
是一款用於單節鋰離子電池的線性充電器，它無需使用三個分立功率器件，可快
速充電而不用擔心系統過熱。監視器負責報告充電電流值，並指示充電器是何時與輸入電
源連接的。它採用盡可能小的封裝但沒有犧牲散熱性能。整個方案僅需兩個分立器件(
輸入
電容器和一個充電電流編程電阻
)
，佔位面積為
2.5mm
×
2.7mm
。
LTC4059A
採用
2mm
×
2mm
DFN
封裝，佔位面積只有
SOT-23
封裝的一半，並能提供大約
60
℃
/W
的低熱阻，以提高散
熱效率。通過適當的
PCB
布局及散熱設計，
LTC4059A
可以在輸入電壓為
5V
的情況下以最
高
900mA
的電流對單節鋰離子電池安全充電。此外，設計時無需考慮最壞情況下的功耗，
因為
LTC4059A
採用了專利的熱管理技術，可以在高功率條件
(
如環境溫度過高
)
下自動減小
充電電流。
方案二
：帶過流保護功能的
LTC4052
脈沖充電器