LTC1872應用電路

㈠ 鋰電池充電管理IC

鋰電池充電管理IC:
AP5056是一款完整的單節鋰離子電池採用恆定電流/恆定電壓線性充電器。其底部帶有散熱片的SOP8封裝與較少的外部元件數目使得AP5056成為攜帶型應用的理想選擇。AP5056可以適合USB 電源和適配器電源工作。
由於採用了內部PMOSFET架構，加上防倒充電路，所以不需要外部隔離二極體。熱反饋可對充電電流進行自動調節，以便在大功率操作或高環境溫度條件下對晶元溫度加以限制。充電電壓固定於4.2V，而充電電流可通過一個電阻器進行外部設置。當充電電流在達到最終浮充電壓之後降至設定值1/10 時，AP5056將自動終止充電循環。
當輸入電壓（交流適配器或USB 電源）被拿掉時，AP5056自動進入一個低電流狀態，將電池漏電流降至2uA以下。AP5056在有電源時也可置於停機模式，將供電電流降至50uA。
AP5056的其他特點包括電池溫度檢測、欠壓閉鎖、自動再充電和兩個用於指示充電、結束的LED狀態引腳。

㈡ 求射頻峰值檢波晶元及電路,謝謝~

不知道你的具體用途和工作頻段，這里推薦你一些型號，你可以看看，AD8313、ADL5513、LTC5508。這些晶元都可以完成峰值檢波。但要有具體的需求，才能幫助你解決問題。

㈢ 求助索尼筆記本主板MBX-49開機電路（LTC1628）

樓主的電路圖是自己根據板子上的樣子畫出來的（主板都是4層及以上的，看板畫圖是不太可能的）？？？還是哪兒來的？？

不管怎麼來的，圖都是錯的。vin是5.2---28v的輸入端，sw1，sw2是5v---36v轉換電壓輸出端。

你的電路畫的太簡單了，要是看板畫圖，基本是不可能的，電腦主板都是好幾層的pcb板。你的問題還是找供電問題，元器件問題後晶元問題，這樣的順序排除故障。

你看看這個應用電路也許對你有點幫助

㈣ 多路電壓檢測晶元有哪些

多路電壓檢測晶元一般能夠同時檢測多個電壓信號，並能夠將檢測結果傳回到控制器進行分析處理。常見的多路電壓檢測晶元有以下幾種：

1. AD7798：該晶元是Analog Devices公司生產的16位Δ-σ ADC電壓檢測晶元，支持8個不同的差分或者單端輸入通道，並能自動調節增益，以滿足不同設備的電壓檢測鏈陵需求。

2. MAX11645：該晶元是Maxim Integrated公司生產的8路12位ADC電壓檢測晶元，支持8個不同的單端或差分輸殲納入通道，內置多層過濾器和自動增益控制電路。

3. MCP3008：該晶元是Microchip公司生產的8路10位ADC電壓檢測晶元，支持8個不同的單端或差分輸入通道，採用串列SPI通信介面，適合於低成本的電壓檢測應用。

4. LTC2485：該晶元是Linear Technology公司生產的24位I2C介面差分ADC電壓檢測晶元，支持4個差分或8個單端輸入通道，具有高精度和穩定性。

5. ADS1015：該晶元是Texas Instruments公司生產的12位I2C介面ADC電壓檢測晶元，支持4個不同的氏喚沒單端或者差分輸入通道，具有內置溫度感測器和PGA增益控制器。

註：以上列舉的只是部分常見的多路電壓檢測晶元，其他晶元和品牌也可能有類似的產品。

㈤ 這是筆記本電池上的貼片，上面只能看到3M0請問這是多大電阻電池問題是電腦識別不到，我懷疑他壞了，

表貼的電流采樣電阻，阻值很小，3毫歐，用萬用表的電阻檔或二極體檔測量，正常會表現為直通，筆記本電池包損壞的話一般這塊板子很少壞，大多是電芯問題。

㈥ [選擇集成硅基光感測器]硅基感測器和霍爾感測器

硅基光探測器在相當多的領域都很有用，它為用戶還提供了許多選擇，可以通過定製其性能來適應用戶的設計。 光感測器，也稱為光探測器，可以生長在各種不同的襯底上：鍺、砷化鎵銦、磷化鎵以及硅。所有這些光感測器都具有可變的光譜和時間響應及應用功能，但是這類非硅基感測器的應用空間相對較窄，而硅基感測器則廣泛適用於醫療、工業及商業等領域。
硅基光探測器，比如集成了RGB濾波器的TAOS TCS230色彩感測器，為用戶提供了眾多選項，以適應其廣泛的應用領域。
與其他光探測器相比，硅基光感測器不僅具有更廣泛的用途，而且它們與其他電路的集成也非常容易，通常這使得它們成為更節省成本的解決方案。這也是它們的採用率如此之高的部分原因。
盡管硅基光感測器應用廣泛，但能否選擇到最合適的該種儀器將對設計性能產成巨大的影響。幸運的是，根據大量應用，現在已形成了用於選擇集成硅基光感測器的通用標准。

通用標准

在硅基IC探測器領域，為特定的應用選擇最適合的探測器需要考慮諸多因素。這些因素包括光轉換的類型、轉換速率以及光譜響應。
集成的光感測器可以將光轉換成不同種類的輸出，包括將光轉換成電流(LTC)，電壓(LTV)，頻率(LTF)以及數字信號(LTD)。它們對光做出響應並以快慢不等的相應速度輸出，速度(響應時間)從幾毫秒到幾納秒不等。
硅基探測器的光譜響分布於電磁頻譜近紫外(300rim)到近紅外(1100nm)這一范圍內，包含了可見光(400～700nm)。應當注意的是，在這一范圍內，光譜響應並不一致。
雖然上述3項標准並不是選擇光感測器時需要考慮的唯一因素，但它們極大地縮小了選擇范圍，這樣可以對相似的器件類型使用最後的標准(比如成本和封裝)進行選擇。

光轉換

LTV和LTC器件分別將光能轉換成電壓和電流輸出。這兩種器件有許多相同的應用並可以交互使用。所以，請記住，』在下面有關LTV器件的討論中，如果你使用電流替換電壓，那麼討論結果也將適用於LTC器件。
明棗慶LTV器件在感應到光的強度時，它的輸出電壓會增大或減小。器件的動態范圍是介於最小和最大輸出電壓之間的范圍。最小的電壓等級／輸出稱為暗電壓(Vd)，出現在輸入光強度為0的時候。最大或飽和電壓級別對應於光電二極體能夠轉換的最大光能量的輸入；即使光能量輸入超過該值，輸出電壓仍將保持不變。
LTV/C探測器適用於需要監測光強瞬間變化的應用領域，例如，在某條生產線上，有必要檢測快速移動的傳送帶上每個物體經過某一點時光強的變化。通常，需要安裝一個A/D轉換器，作為感測器和微處理器或其他類型控制器之間的介面。
LTF器件將光能轉換成某種波形，波形的頻率與被感應的光強成正比。LTF器件的動態范圍由它的最小和最大輸出頻率決定。當輸入光強為0時，輸出是最小頻率或暗頻率。而最大或滿刻度頻率是輸出激握頻率不再隨著光強的增加而增加時的頻率。
LTF的動態范圍遠遠超過LTV器件，它適用於需要更高解析度的應用場合。例如，動態范圍是4V而雜訊(暗電壓)是4mV的線性LTV器件可以提供1000個階梯，而動態范圍是1MHz，雜訊(暗頻率)是0.5Hz的LTF可以提供200萬個階梯，TAOS TSL237即為一例。LTF的頻率輸出需要使用一個頻率計數器或者微處理器進行處理。
LTD器件將光強轉換成數字數據。然後，數字數據被存儲在內部寄存器之中，在那裡，數據將隨著落在感測器上的光強變化而成正比變化。LTD器件與微處理器之間通常使用各種不同協議之中的某一種作為介面，其中包括SMbus、I2C和SPI。
這種器件的動態范圍是寄存器最大和最小取值之差。其數字介面也使得這些器件有一定的可編程性，可用來控制增益以及積分時間等量。
大多數LTD器件是可定址的，這意味著多個器件可以在單根匯流排上共存，從而將互連成本降到最低。TAOS TSL2563是帶有可編程增益和積分時間的LTD器件的一個例子。這岩遲個感測器通過I2C介面為編程狀態提供了中斷功能。

轉換速率

在許多應用中，光探測器能否將光強的變化轉換成有用輸出的速度是應考慮的一項重要因素。與輸出類型無關，光電二極體的偏置和尺寸是決定感測器轉換速度的主要因素：光電二極體越大，電容越大，對光強的響應就越慢。因此，反向偏壓被用來增加轉換速率。請注意，通常情況下，對於集成感測器轉換速度的確定起限製作用的因素是集成電路，而不是光電二極體。
盡管略有不同，但是LTV和LTC器件都可以被共同歸類為光模擬信號轉換(LTA)器件。因為除了光電二極體之外，LTA器件只需要很少的電路一一電流放大器(CA)或者跨阻放大器(TIA)，所以該種器件提供了比LTF或LTD器件更快的響應時間。LTA器件的速度可通過輸出的上升和下降時間進行測量。如上所述，它不僅受偏置和光電二極體尺寸的影響，而且還與CA或者TIA的電容有關。
除了受光電二極體的限制，LTF器件還增加了電流到頻率的轉換時間。通常，轉換會在電流轉換到目標頻率輸出的一個周期內完成。因此，LTF器件響應產生1kHz波形的光強比響應產生1MHz波形的光強要慢。如果要測量極弱的光強，對這一點的考慮會非常重要。
LTD器件的速度與LTA或者LTF器件有些不同，因為LTD器件通常不是連續地在輸出匯流排上放置數據；並且通常只有在控制器發出請求時，它才提供數據。此時，數據才會被載入到數據寄存器。因而，轉換速率由匯流排的速度決定。

光譜響應

了解應用的光譜感應要求，並使用具有合適的光譜響應的感測器與之匹配，這是一項重要的系統考慮。例如，使用近紅外LED的接近探測器，需要只對近紅外區域光譜能量進行響應的感測器。並且這個感測器一定不能對可見光區域的光能進行響應。要達到這樣的目的，可以使用外部可見光阻擋濾波器，或者選擇帶有集成濾波器的探測器。
如果應用需要只對可見光區域響應，也需要進行同樣的考慮，比如色度測量。這需要濾除太陽以及其他光源的近紅外能量，方法是使用外部或者集成的紅外阻擋濾波器。這種類型的應用也需要紅、綠和藍(RGB)濾波器，外部的或者集成的都可以。

光學列陣

一些應用有時需要搜集空間信息。這時可以採用許多分立器件或者集成光學線性列陣來完成。
集成的光學線性列陣由許多像元或像素組成，它們通常排列在一條直線上。像素中心之間的距離被稱為像素截距，通常以每英寸內的點數(dpi)給出。
400dpi器件的像素截距是63.5μm。空間解析度直接與dpi數值對應；dpi越大，空間解析度越高。對於給定的dpi，像素集的數目決定了器件的有效長度，例如，400dpi 128像素的TAOS TSL 1401的有效長度大約為8mm。這些器件的輸出可以是模擬的(通常是電壓)或數字的。這些器件的速度由積分時間(光被允許照射器件的時間)和時鍾速率決定。
對大多數應用而言，線性列陣是通過像素數、有效長度、解析度和時鍾速率來選擇的。線性列陣是掃描型應用最理想的選擇，但是它也適用於位置和邊緣探測。結束選擇
一旦根據轉換類型、速率以及光譜響應縮小了選擇范圍，最後的選擇就要基於其他標准，比如封裝類型、溫度范圍，當然還有成本。典型的工作溫度范圍是商用(0～70℃)，工業用(-40～85℃)，汽車(-40～105℃)以及軍用(-55～125℃)
通常，成本與硅的尺寸成正比。並且，硅基尺寸越大，成本越高。光的應用傾向於更高的系統集成，見圖1，集成度越高，感測器的復雜度越高，但各部件對應用所起的作用卻越低。

㈦ 我想把3.3V的電壓經過簡單的電路或者一個晶元轉換成5V電壓，能幫下忙嗎謝謝

輸出電流很小的話，可以搭一個方波振盪器（比如用74HC04反相器和電阻電容實現)，然後再倍壓整流。
輸出電流高的話，只能用開關電源晶元實現了。

㈧ 脈沖頻率調制開關穩壓器電路分析

V4V5組成無穩態多諧振盪器。

無穩態即指它不能穩定在某種狀態，會不斷的發生改變。兩個管輪流導通截止。

多諧指輸出的波形不是正弦波，有很多諧波成分。

比多諧振盪器並不完全對稱，所以輸出的波形是不對稱的。V4的導通時間由R8、R5和V3的集電極電壓決定。

V2是一個射極跟隨器（跟隨輸出電壓），把輸出的電源電壓反饋到V3的發射級，由V3放大後控制V4的導通時間。

V4導通V5截止，V4截止V5導通。

V5截止時，V1導通，通過V5的截止時間控制V1的導通時間。V1導通時間越長，輸出電壓越高。

V1輸出的電壓經L1和C1濾波變成穩定的直流電源輸出。

VD4是增強二極體，防止L1在V1截止時產生的高反壓擊穿V1發射極基極。

VD1是泄流二極體，防止L1產生的感應電流損壞V1。

此電路主要工作在開關狀態，所以比較容易分析。

V2V3是射極偶合放大電路，VD2為V3基極提供更穩定一點的電位，增強R4的偶合效率。

VD3為振盪器和放大取樣電路提供相對穩定一點的工作電壓。

R1R2是V2的基極偏置電路，同時也是輸出電源的取樣電路。

㈨ 電路設計中需要一個整流晶元，可以將交流信號轉化為直流信號。8個管腳的。求大神。。

如果你是要進行電源整流，那麼用整流橋，但是整流橋一般都是4腳的。
如果你是要進行交流信號電壓到與之相對應的有效值直流電壓之間的轉換，那麼應該用真有效值轉換器。
真有效值轉換器中8腳的有以下型號：
LTC1966、LTC1967、LCT1968、AD736、AD737。