礦機dram規格

⑴ 關於CPU-Z里內存的DRAM Frequency

是的,DDR2 800內存頻率就是400MHz.
不能說是絕對的平均值,如果三條頻率一樣,自然是平均值.
如果三條不一樣,比如兩條是800,一條是667,那麼會顯示最低的頻率333,因為三條不同頻率的內存一起使用的話,系統會按照最低的內存頻率運行,就是說其他的兩條800的內存會降頻為667使用的.

⑵ fsb:dram比值 cpu外頻。。

1。ddr2帶內存是實際工作頻率為標識頻率/4！ddr內存是在時鍾信號上下沿傳送2次數據，因此等效於：工作頻率*2，ddr2內存他是通過內存內部晶元工作頻率為外部匯流排的2倍，因此內存顆粒內部實際工作頻率333，外部工作頻率（匯流排頻率，外頻）為166，等效於667MHZ！
2。fsb：dram的比值應該個人認為不是1：1好，而是應該調整到內存實際工作頻率！因為這樣內存不會降頻使用（如DDR2 800)！這個選項是超頻內存用的！就是說可以充分讓高頻的內存工作在標識（額定）頻率用的！
3。如果我再插一條1g內存組成不對等雙通道的話，內存頻率不會翻倍，帶寬翻倍！
一般內存工作頻率就是cpu的外頻！只是演算法不一樣！他們的實際工作頻率：ddr1帶是除以2，二代是除以4！
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⑶ CPU和DRAM的頻率比關系怎樣設的

火熱一夏，激情不斷，亮眼64位風暴在過去的暑期里著實紅火了一把。低廉的價格，強勁的超頻能力，支持SSE3和X86-64指令集，所有這一切都在訴說754針腳Sempron2500+處理器所散發出來的無盡魅力。筆者今天便以這款經典64位處理器產品來談一下CPU超頻的過程和方法，希望對大家的選購有個幫助。
超頻大致可分為兩類：其一：專為超頻而超頻，只為超出更好成績；其二：邊用邊超頻，不僅要體驗到更高性能還要保證足夠的穩定性。在超頻前一定要先確立自己的定位，這樣才會目標專注而事半功倍，並且兩者在BIOS的設置上也有所區別：前者需要將不用的軟碟機、光碟機、IDE、S-ATA、板載音效卡、板載網卡、1394、USB、並口、串口、紅外線等埠統統關閉，以求盡量減小工作頻率不匹配和其它因素帶來的干擾；而後者顯然無法如此設置，在保證超頻的同時也要保證功能的完善，因此只需簡單的修改BIOS中的超頻選項即可，否則等同於超頻失敗（如超頻過程中可能導致音效卡、網卡無法使用等）。
超頻原理：
CPU實際運行頻率=外頻×倍頻，因此我們只要改變外頻和倍頻中的任何一個便可實現超頻，當然也可將兩者結合起來。由於單獨調節外頻相對簡便，推薦一般用戶選用；而對於高級玩家而言還可以配合倍頻來達到更好的超頻效果，但最終性能提升與外頻的提高不一定成正比（如330Mhz×7的實際效果要好於350 Mhz×6）。
超頻注意事項：
首先環境溫度影響超頻，因此選擇一款優質散熱器很有必要；其次顯卡、內存、PCI匯流排可能會成為制約CPU發揮的瓶頸，需採用非同步模式讓其工作在標准頻率下加以解決；最後提高工作電壓有助於進一步提升超頻頻率，但提醒玩家一定要逐級調節，不要操之過急，電壓過高反而會降低超頻成績，同時也會增大燒毀CPU的危險性。
在超頻前我們首先來了解一下AMD Sempron 2500+處理器的規格參數：主頻1.4GHz，倍頻7x，核心E6（更低能耗及發熱量) ，採用90nm SOI工藝生產，1.4V核心電壓，最高溫度69°，功耗62W，128K L1級緩存，256k L2級緩存，支持SSE3和6X86-64指令，介面類型SOCKET 754。
這款昂達熱力狂飆NF4X主板提供最高450MHz的外頻調節上限。由於外頻和HT Frequentcy（FSB×HT倍頻）相關，如果NF4-4X晶元組HT頻率為1000MHz，也就是說當外頻上到250MHz時HT倍頻調節為4×是最穩妥的，依此類推，盡量不要超過晶元組支持的HT頻率，合理調整HT倍頻有助於向高外頻挺進。比如當我們把外頻提升至330MHz時，就要把HT匯流排比率下調到3X，使得HT匯流排頻率在1000MHz內。此外，為了能夠讓超頻穩定，我們還可以適當調節晶元組的電壓。
另外一個非常重要的是內存因素，DDR400內存的默認頻率為200MHz，當我們超頻前端匯流排時，內存頻率也會隨之提升至200MHz以上，由於處於非標准頻率下，內存顆粒處於超負荷運轉，系統容易崩潰。這里我們提出了這樣一種解決方案，即在超頻之前就將內存頻率自定義在200MHz之下，這樣的話，即使超頻之後內存頻率隨之攀升也不會通常超出200MHz的內存頻率承載上限。例如我們將外頻提高到330MHz後，如果內存同步那麼內存將工作於DDR660下，一般的內存很難達到。由於我們使用的是DDR500內存，在這里把內存設為1:0.8的比率下，當外頻為320MHz時，內存工作於256MHz。
關於CPU電壓的調整，我們不需要一開始就增加電壓值，是否加壓還是是根據超頻後是否夠用，如果你對硬體不太熟悉，一般用戶還是建議採用默認電壓便可。我們推薦在風冷下不超過1.6v，而在水冷中不超過1.7v。
時下的閃龍超頻主板，大都提供到3.0V的DDR內存電壓調節，在超頻狀態下，DDR頻率由於跟隨前端匯流排的升高而飈升，極有可能出現不穩定情況，這個時候如果適當加大DDR電壓，則有助於系統穩定。
最後簡單談一下其他方面的細節：盡量保持「PCI Express Clock」選項值為100不變；將日常不用的埠統統關閉；CPU超頻時最好逐兆調節，尋找最佳超頻點；當CPU外頻已經無法提升時，我們不妨適當降低倍頻值，這樣有助外頻的進一步提升。
總結：
本文旨在以小見大，指導玩家如何實現CPU超頻，所用AMD Sempron 2500+與昂達熱力狂飆NF4X主板平台的超頻過程並不適合所有玩家，建議大家根據自己的平台特點參考我們的超頻步驟進行相關設置。

⑷ DRAM、SRAM、ROM、CMOS RAM這些存儲晶元中，哪個速度最快

SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積，在主板上哪些是SRAM呢？ 一種是置於CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory ）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS晶元1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128位元組SRAM，存儲我們所設置的配置數據。還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是內建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。現將它的特點歸納如下： ◎優點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。 ◎缺點，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。 ◎SRAM使用的系統： ○CPU與主存之間的高速緩存。 ○CPU內部的L1／L2或外部的L2高速緩存。 ○CPU外部擴充用的COAST高速緩存。 ○CMOS 146818晶元（RT＆CMOS SRAM）。

⑸ 請問IC FLASH、SDRAM、DRAM、EEPROM分別是什麼

IC:(integrated circuit)集成電路，通過特殊工藝在單一矽片上集成若干晶體管，實現需若干分立元件才能實現的功能。

EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它譯作電擦電寫只讀存儲器，也有書本譯作「電可擦可編程只讀存儲器」。特點是可掉電存儲數據，缺點是存儲速度較慢，且早期的EEPROM需高壓操作，現在的EEPROM一般片內集成電壓泵，讀寫速度小於250納秒，使用很方便。

FLASH：一般譯為「快閃記憶體」，你可以理解為是EEPROM的一種，但存儲速度較快，製作工藝優良，U盤的核心元件就是它。

SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory）,同步動態隨機存取存儲器,網路上這樣描述：「同步是指Memory工作需要同步時鍾，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數據讀寫
」。

DRAM：（Dynamic Random Access Memory），動態隨機存儲器。

不知道你的模電、數電學得怎樣，以及有沒有實際接觸過電子元器件，你問這些問題好像你對電子一無所知似的，所以我沒法進一步跟你解釋SDRAM和DRAM，以及他們的區別和優缺點，順便問一句，你是做電子元器件銷售的嗎？

⑹ 什麼叫NAND型內存

一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很大的區分，NAND規格晶片寫入與清除資料的速度遠快於NOR規格，但是NOR規格晶片在讀取資料的速度則快於NAND規格。NAND規格晶片多應用在小型記憶卡，以儲存資料為主，NOR規格則多應用在通訊產品中。

⑺ 內存條的DDR,DDR2,DDR4各是什麼意思

DDR是雙倍數據速率(Double Data Rate)。DDR與普通同步動態隨機存儲器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標准DRAM有所不同。
標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為接省輸入管腳，採用了多路傳輸的方案。第一地址字由原始地址選通（RAS）鎖存在DRAM晶元。緊隨RAS命令之後，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，存儲的數據可以被讀取。
同步動態隨機存儲器（SDR DRAM)由一個標准DRAM和時鍾組成，RAS、CAS、數據有效均在時鍾脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鍾指示，可以預測數據和剩餘指令的位置。因而，數據鎖存選通可以精確定位。由於數據有效窗口的可預計性，所以可將存儲器劃分成4個區進行內部單元的預充電和預獲取。通過脈沖串模式，可進行連續地址獲取而不必重復RAS選通。連續CAS選通可對來自相同源的數據進行再現。
DDR存儲器與SDR存儲器工作原理基本相同，只不過DDR在時鍾脈沖的上升和下降沿均讀取數據。新一代DDR存儲器的工作頻率和數據速率分別為200MHz和266MHz，與此對應的時鍾頻率為100MHz和133MHz。

DDR3內存相對於DDR2內存，其實只是規格上的提高，並沒有真正的全面換代的新架構。DDR3同DDR2接觸針腳數目相同。但是防呆的缺口位置不同DDR3頻率在800M以上，DDR2頻率在800M以下。

DDR4內存有兩種規格。其中使用Single-endedSignaling信號的DDR4內存其傳輸速率已經被確認為1.6～3.2Gbps，而基於差分信號技術的DDR4內存其傳輸速率則將可以達到6.4Gbps。由於通過一個DRAM實現兩種介面基本上是不可能的，因此DDR4內存將會同時存在基於傳統SE信號和微分信號的兩種規格產品。
根據多位半導體業界相關人員的介紹，DDR4內存將會是Single-endedSignaling( 傳統SE信號)方式DifferentialSignaling( 差分信號技術 )方式並存。其中AMD公司的PhilHester先生也對此表示了確認。預計這兩個標准將會推出不同的晶元產品，因此在DDR4內存時代我們將會看到兩個互不兼容的內存產品

⑻ DDR4內存的規格,參數，詳細點啊

未來的DDR4內存將會擁有兩種規格。其中使用Single-endedSignaling信號的DDR4內存其傳輸速率已經被確認為1.6～3.2Gbps，而基於差分信號技術的DDR4內存其傳輸速率則將可以達到6.4Gbps。由於通過一個DRAM實現兩種介面基本上是不可能的，因此DDR4內存將會同時存在基於傳統SE信號和微分信號的兩種規格產品。 三星電子於2011年1月4日宣布，已經完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規格內存條的開發，並採用30nm級工藝製造了首批樣品。時至今日，DDR4內存的標准規范仍未最終定奪。三星這條樣品屬於UDIMM類型，容量為2GB，運行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑借新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下，DDR3內存的標准頻率最高僅為1600MHz，運行電壓一般為1.5V，節能版也有1.35V。僅此一點，DDR4內存就可以節能最多40％。根據此前的規劃，DDR4內存頻率最高有可能高達4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。

⑼ 請問:存儲器DRAM ,FLASH ,SRAM, UtRAM,Graphics Memory的主要區別是什麼

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
Flash 由macromedia公司推出的互動式矢量圖和 Web 動畫的標准。網頁設計者使用 Flash 創作出既漂亮又可改變尺寸的導航界面以及其他奇特的效果。設計動畫的工具
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積，在主板上哪些是SRAM呢？
一種是置於CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory ）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS晶元1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128位元組SRAM，存儲我們所設置的配置數據。還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是內建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。現將它的特點歸納如下：
◎優點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。
◎缺點，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。
你說的UtRAM 應該是 UTRAN
UTRAN(Universal Terrestrial Radio Access)全球陸上無線接入
在UMTS結構中包括一通用無線接入網，UMTS無線接入網（URAN）。URAN可以有多種不同的實現方式。根據不同的條件和環境，即可以利用已有的接入網通過進化來實現，也可利用先進的技術實現全新的接入網。
UTRAN是一種全新的接入網，是UMTS最重要的一種接入方式，適用范圍最廣。定義UTRAN結構的基本原則：信令網和數據傳輸網在邏輯上分開；UTRAN和CN的功能將和傳輸功能完全分開；UTRAN和CN使用的定址方式將和傳輸功能的定址方式無關；宏分集（FDD模式）的處理完全在UTRAN內；RRC連接的移動性完全由UTRAN控制；定義UTRAN介面時，通過介面的功能劃分應有盡量少的可選項；應基於此介面控制的實體的邏輯模型。
傳輸網的控制平面是用於傳輸承載管理的介面協議結構的功能平面。傳輸網的控制平面實際使用的信令協議和下面傳輸層技術有關。
1）UTRAN的結構
UTRAN由一組通過Iu介面連接到核心網的無線網路子系統（RNS）組成。一個RNS由一個無線網路控制器（RNC）和一個或多個節點B組成。節點B通過Iub介面連接到RNC。節點B可以支持FDD模式，TDD模式或雙模式。RNC包含支持不同節點B之間宏分集的合並/拆分功能，對需要和UE有信令連接的切換作出決定。支持FDD模式的B節點可以包含一任選的支持節點B內宏分集的合並/拆分功能。
在UTRAN內，無線網路子系統內的RNCs可通過Iur 進行連接。Iu和Iur介面是邏輯介面。可通過RNCs間的物理的直接連接或通過任一適合的傳輸網路來傳送Iur。
RNS負責它范圍內的蜂窩所需資源。對於用戶設備和UTRAN間的每個連接，有一個RNS為服務RNS。若需要，漂移（Drift）RNSs可提供無線資源來支持服務RNS。
2）UTRAN的功能
系統接入是UMTS用戶連接到UMTS以便使用UMTS業務的方法。用戶系統接入的發起者即可以是移動端，也可以是網路端。

Graphics Memory 要是在電腦里好象是 顯存

⑽ DRAM內存模組匯流排寬度必須相同(X8 或者 X16) ，什麼意思

回答你下 1 單8雙16的都可以 容量頻率最好對等I平台的要求比較松 不對稱雙通道都能組起記得插在主板同顏色插槽上