鈣鈦礦面板激光刻蝕機

A. 場效應晶體管和鈣鈦礦太陽能電池器件是一類嗎

場效應晶體管和鈣鈦礦太陽能的電池事件應該是完全不同類的東西

B. 鈣鈦礦型太陽能電池是什麼原理

鈣鈦礦型太陽能電池（perovskite solar cells），是利用鈣鈦礦型的有機金屬鹵化物半導體作為吸光材料的太陽能電池，即是將染料敏化太陽能電池中的染料作了相應的替換。在這種鈣鈦礦結構中，A一般為甲胺基；B多為金屬Pb原子，金屬Sn也有少量報道；X為Cl、Br、I等鹵素單原子或混合原子。目前在高效鈣鈦礦型太陽能電池中，最常見的鈣鈦礦材料是碘化鉛甲胺，它的帶隙約為1.5 eV。
在接受太陽光照射時，鈣鈦礦層首先吸收光子產生電子-空穴對。由於鈣鈦礦材激子束縛能的差異，這些載流子或者成為自由載流子，或者形成激子。而且，因為這些鈣鈦礦材料往往具有較低的載流子復合幾率和較高的載流子遷移率，所以載流子的擴散距離和壽命較長。這就是鈣鈦礦太陽能電池優異性能的來源。
然後，這些未復合的電子和空穴分別別電子傳輸層和空穴傳輸層收集，即電子從鈣鈦礦層傳輸到電子傳輸層，最後被FTO收集；空穴從鈣鈦礦層傳輸到空穴傳輸層，最後被金屬電極收集。當然，這些過程中總不免伴隨著一些使載流子的損失，如電子傳輸層的電子與鈣鈦礦層空穴的可逆復合、電子傳輸層的電子與空穴傳輸層的空穴的復合（鈣鈦礦層不緻密的情況）、鈣鈦礦層的電子與空穴傳輸層的空穴的復合。要提高電池的整體性能，這些載流子的損失應該降到最低。
最後，通過連接FTO和金屬電極的電路而產生光電流。

C. 鈣鈦礦太陽能電池中空穴傳輸材料的吸收波長在哪個范圍好

中性的原子結構（被所有相關實驗所證實）。

電子的單向作用場性質在經典物理的范圍內失效，因為經典物理的點電荷概念包含了成千上萬的電子（負電）或質子（正電）。在經典物理中點電荷的電場是大量電子或離子的總體效應，是滿足矢量疊加的矢量場。

性質特徵

電子塊頭小重量輕（比μ介子還輕205倍)，被歸在亞原子粒子中的輕子類。輕子是物質被劃分

D. 固體物理：三維鈣鈦礦ABO3晶體，有多少 聲學支聲子有多少光學支聲子

僅以我所知道的固物和晶格動力學知識給點參考意見。
鈣鈦礦（ABO3）原胞有5個原子，三維情況下就能畫出5*3=15條頻散曲線（聲子譜）（一維和二維的話應該就是5*1=5和5*2=10條線吧），每條曲線對應一個聲子振動模態分支。三維15條線的話，其中相對低頻的3條對應聲學聲子分支，相對高頻的剩餘12條對應光學聲子分支（一維和二維分別1聲4光和2聲8光）。

E. 鈣鈦礦太陽能電池 溶液法制備的CH3NH3PbI3這個材料是n型還是p型

這是一個雙極性材料，基本上是本徵半導體，載流子濃度極低，大約109次方的載流子濃度，
當然也是一個高阻材料，是一個弱p型的材料，一般把它看成是本徵的，所以鈣鈦礦是P-i-N的器件結構，
P型的材料，可以是有機的PEDOT，Spiro以及其他有機芳胺類高分子或小分子空穴傳輸材料，
或者是無機的P型材料CuI，CuO，CuS，NiO，MoO3，CuSCN等等，
N型的材料可以是TiO2，SnO2，ZnO，C60，PCBM等等無機或者有機的電子傳輸材料，
所以鈣鈦礦有三個研究方向，做P材料，做i吸光層鈣鈦礦材料，做N材料，
加上器件結構正置或者倒置，這樣可以組合出大量的paper，
可以養活眾多的科研工作者，很少有一個方向像鈣鈦礦電池一樣，
DSSC，OPV, 其他薄膜電池甚至單晶硅多晶硅電池都能參與進來。

F. 鈣鈦礦型太陽能電池材料製作工藝成熟嗎

1、矽片切割，材料准備：工業製作硅電池所用的單晶硅材料，一般採用坩鍋直拉法制的太陽級單晶硅棒，原始的形狀為圓柱形，然後切割成方形矽片（或多晶方形矽片），矽片的邊長一般為10~15cm，厚度約200~350um，電阻率約1Ω.cm的p型（全球節能環保網摻硼）。2、去除損傷層：矽片在切割過程會產生大量的表面缺陷，這就會產生兩個問題，首先表面的質量較差，另外這些表面缺陷會在電池製造過程中導致碎片增多。因此要將切割損傷層去除，一般採用鹼或酸腐蝕，腐蝕的厚度約10um。3、制絨：制絨，就是把相對光滑的原材料矽片的表面通過酸或鹼腐蝕，使其凸凹不平，變得粗糙，形成漫反射，減少直射到矽片表面的太陽能的損失。對於單晶硅來說一般採用NaOH加醇的方法腐蝕，利用單晶硅的各向異性腐蝕，在表面形成無數的金字塔結構，鹼液的溫度約80度，濃度約1~2%，腐蝕時間約15分鍾。對於多晶來說，一般採用酸法腐蝕。4、擴散制結：擴散的目的在於形成PN結。普遍採用磷做n型摻雜。由於固態擴散需要很高的溫度，因此在擴散前矽片表面的潔凈非常重要，要求矽片在制絨後要進行清洗，即用酸來中和矽片表面的鹼殘留和金屬雜質。5、邊緣刻蝕、清洗：擴散過程中，在矽片的周邊表面也形成了擴散層。周邊擴散層使電池的上下電極形成短路環，必須將它除去。周邊上存在任何微小的局部短路都會使電池並聯電阻下降，以至成為廢品。目前，工業化生產用等離子干法腐蝕，在輝光放電條件下通過氟和氧交替對硅作用，去除含有擴散層的周邊。擴散後清洗的目的是去除擴散過程中形成的磷硅玻璃。6、沉積減反射層：沉積減反射層的目的在於減少表面反射，增加折射率。廣泛使用PECVD淀積SiN,由於PECVD淀積SiN時,不光是生長SiN作為減反射膜,同時生成了大量的原子氫,這些氫原子能對多晶矽片具有表面鈍化和體鈍化的雙重作用,可用於大批量生產。7、絲網印刷上下電極：電極的制備是太陽電池制備過程中一個至關重要的步驟，它不僅決定了發射區的結構，而且也決定了電池的串聯電阻和電池表面被金屬覆蓋的面積。最早採用真空蒸鍍或化學電鍍技術，而現在普遍採用絲網印刷法，即通過特殊的印刷機和模版將銀漿鋁漿（銀鋁漿）印刷在太陽電池的正背面，以形成正負電極引線。8、共燒形成金屬接觸：晶體硅太陽電池要通過三次印刷金屬漿料，傳統工藝要用二次燒結才能形成良好的帶有金屬電極歐姆接觸，共燒工藝只需一次燒結，同時形成上下電極的歐姆接觸。在太陽電池絲網印刷電極製作中，通常採用鏈式燒結爐進行快速燒結。9、電池片測試：完成的電池片經過測試分檔進行歸類。