半导体ltc

1. 特斯拉线圈的原理是什么

特斯拉线圈的貌似就是两个谐振线圈。
某网络中介绍特老刚开始做这个的时候是为了与爱迪生OOXX，爱迪生说交流电危险，然后特老就做了个特斯拉线圈，让次级电流通过自己以反驳爱迪生的“谬论”。之后特老就开始向无线输电的方向发展了（特老的无线输电项目成功与否至今还是个迷），特老当年做的TC（特斯拉线圈缩写）都是SGTC（火花间隙特斯拉）。特老之所以厉害是他能在当年就能把SGTC调谐振。

现在特斯拉线圈的分支有很多，最简单的还是SGTC（不过效率低下，所以后来有了晶体管做开关元件的特斯拉线圈，效率大大提升）
OLTC（离线式特斯拉）
SSTC（固态特斯拉，这个的分支还有ISSTC，就是有灭弧的SSTC）
VTTC（电子管特斯拉）
DRSSTC（双谐振固态特斯拉）

如果想做的话做个小的SGTC很简单，成功率也很高（很容易出电弧，但是谐振很难调），如果你认识些卖原件的话，也花不了多少（100~300）不过这个只能拉电弧而且调谐振更会让你纠结好久。
如果想放音乐的话 CLASS-E 的HIFI SSTC也不错，不过需要电子基础
提醒“这个实验有一定的危险程度，请注意安全”
如果想做的话发邮件[email protected]细聊

2. 关于自制小型的特斯拉线圈..

小型特斯拉线圈还是比较安全的,它的放电电弧属于高频高压电,由于高频电流具有趋肤效应,所以,即使被特拉的电弧击中也不过是,击中点的轻微烧伤而已.真正危险的是那些天天悬在我们头顶的工频输电线路,它可是要比被雷击还要危险的工频电流!
不知道楼主主要想做那种?一般的那种火花隙的,只需要有点动手能力就好了.这个网址就可以了
http://www.teralab.co.uk/Electronics/Tesla_Coil_1/Tesla_Coil_1_Page1.htm
http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Tesla_coil_3.svg
不好弄的就是高压变压器,你可以买一个霓虹灯变压器代替
如果向做半导体的,去google搜索图片"DRSSTC"\"OLTC"很多电路图,和相关设计方案.
http://images.google.cn/images?gbv=2&hl=zh-CN&newwindow=1&sa=1&q=DRSSTC&aq=f&oq=
还有一种,电子管.称之为VTTC.
http://images.google.cn/images?gbv=2&hl=zh-CN&newwindow=1&sa=1&q=VTTC&aq=f&oq=
另外半导体的比较安全,不容易触电,但是经典火花器的,和电子管的要很危险,不是特斯拉危险,而是他们大都使用了高压电源来驱动,如果触电是比较痛苦的.
最后祝你好运,有问题我们再讨论:)

3. IC型号的开头和尾缀代表什么意思

电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上.
封装形式:
封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好.
封装大致经过了如下发展进程:
结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;
材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;
引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;
装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装.
英文简称
英文全称
中文解释
图片
DIP
Double In-line Package
双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等.
PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier
PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点.
PQFP
Plastic Quad Flat Package
PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.
SOP
Small Outline Package
1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装(SOP).以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装),TSOP(薄小外形封装),VSOP(甚小外形封装),SSOP(缩小型SOP),TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管),SOIC(小外形集成电路)等.

www.maxim-ic.com
模拟滤波器 光纤通信 高速信号处理和转换 无线/射频
光线通讯,模拟 显示支持电路 高频模拟和混合信号ASIC
数字转换器,接口,电源管理,电池监控 DC/DC电源 电压基准
MAXIM前缀是"MAX".DALLAS则是以"DS"开头.
MAX×××或MAX××××
说明:1后缀CSA,CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W表示宽体表贴.
2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级.
3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA后缀均为普通双列直插.
举例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通带抗静电保护
MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃) 说明 E指抗静电保护
MAXIM数字排列分类
1字头 模拟器 2字头 滤波器 3字头 多路开关
4字头 放大器 5字头 数模转换器 6字头 电压基准
7字头 电压转换 8字头 复位器 9字头 比较器
DALLAS命名规则
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工业级
S=表贴宽体 MCG=DIP封
Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级
IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFP
下面是MAXIM的命名规则:
三字母后缀:
例如:MAX358CPD
C = 温度范围
P = 封装类型
D = 管脚数
温度范围:
C = 0℃ 至 70℃ (商业级)
I = -20℃ 至 +85℃ (工业级)
E = -40℃ 至 +85℃ (扩展工业级)
A = -40℃ 至 +85℃ (航空级)
M = -55℃ 至 +125℃ (军品级)
封装类型:
A SSOP(缩小外型封装)
B CERQUAD
C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)
D 陶瓷铜顶封装
E 四分之一大的小外型封装
F 陶瓷扁平封装
H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP)
J CERDIP (陶瓷双列直插)
K TO-3 塑料接脚栅格阵列
L LCC (无引线芯片承载封装)
M MQFP (公制四方扁平封装)
N 窄体塑封双列直插
P 塑封双列直插
Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)
R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)
S 小外型封装
T TO5,TO-99,TO-100
U TSSOP,μMAX,SOT
W 宽体小外型封装(300mil)
X SC-70(3脚,5脚,6脚)
Y 窄体铜顶封装
Z TO-92,MQUAD
/D 裸片
/PR 增强型塑封
/W 晶圆
www.analog.com
DSP信号处理器 放大器工业用器件 通信 电源管理 移动通信
视频/图像处理器等 模拟A/D D/A 转换器 传感器 模拟器件
AD产品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等开头的.
后缀的说明:1,后缀中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,后缀中带R表示表示表贴.
2,后缀中带D或Q的表示陶封,工业级(45℃-85℃).后缀中H表示圆帽.
3,后缀中SD或883属军品.
例如:JN DIP封装 JR表贴 JD DIP陶封
www.ti.com
DSP 信号处理器等嵌入式控制器 高性能运放IC 存储器 A/D D/A
模拟器件转换接口IC等 54LS军品系列 CD4000军品系列
工业 / 民用电表微控制器等
TI产品命名规则:SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的后缀说明:
SN或SNJ表示TI品牌
SN军标,带N表示DIP封装,带J表示DIP(双列直插),带D表示表贴,带W表示宽体
SNJ军级,后面代尾缀F或/883表示已检验过的军级.
CD54LS×××/HC/HCT:
1,无后缀表示普军级
2,后缀带J或883表示军品级
CD4000/CD45××:
后缀带BCP或BE属军品
后缀带BF属普军级
后缀带BF3A或883属军品级
TL×××:
后缀CP普通级 IP工业级 后缀带D是表贴
后缀带MJB,MJG或带/883的为军品级
TLC表示普通电压 TLV低功耗电压
TMS320系列归属DSP器件, MSP430F微处理器
BB产品命名规则:
前缀ADS模拟器件 后缀U表贴 P是DIP封装 带B表示工业级
前缀INA,XTR,PGA等表示高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度

INTEL产品命名规则: N80C196系列都是单片机 前缀:N=PLCC封装 T=工业级 S=TQFP封装 P=DIP封装 KC20主频 KB主频 MC代表84引角 TE28F640J3A-120 闪存 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP www.issi.com SRAM,SDRAM,EDO/FPM DRAM, EEPROM,8051 系列单片机,ASIC及语音芯片 以"IS"开头 比如:IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM 封装: PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP 高性能模拟器件 电压基准 运算放大器 数/模 模数转换器 电源及马达 控制线路 以产品名称为前缀 LTC1051CS CS表示表贴 LTC1051CN8 CN表示DIP封装8脚 www.amd.com FLASH 快闪记忆体 微处理器 双端口RAM 先进先出器件FIFO 高速静态存储器SRAM 快速逻辑器件FCT 低功耗高速TTL系列 如74FCT16XXX系列 IDT的产品一般都是IDT开头的. 后缀的说明:1,后缀中TP属窄体DIP. 2,后缀中P 属宽体DIP. 3,后缀中J 属 PLCC. 比如:IDT7134SA55P 是DIP封装 IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP

看看对你有没有帮助。

4. TO-92是什么封装

什么是封装？

[顶]什么是封装？
IC产品的封装常识
一、 什么叫封装
封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。封装时主要考虑的因素：
1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；
2、 引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；
3、 基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：
结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；
装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装
二、 具体的封装形式
1、 SOP/SOIC封装
SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。SOP封装技术由1968～1969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
2、 DIP封装
DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
< 1 >
3、 PLCC封装
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写，即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。
4、 TQFP封装
TQFP是英文thin quad flat package的缩写，即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装（TQFP）工艺能有效利用空间，从而降低对印刷电路板空间大小的要求。由于缩小了高度和体积，这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用，如 PCMCIA 卡和网络器件。几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封装。
5、 PQFP封装
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写，即塑封四角扁平封装。PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。
6、 TSOP封装
TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚， TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印制电路板）上安装布线。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。
7、 BGA封装
BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引
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出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。
三、 国际部分品牌产品的封装命名规则资料
1、 MAXIM 更多资料请参考 www.maxim-ic.com
MAXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。
MAX×××或MAX××××
说明：
1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。
2、后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。
举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护
MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）,说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类
1字头 模拟器 2字头 滤波器 3字头 多路开关
4字头 放大器 5字头 数模转换器 6字头 电压基准
7字头 电压转换 8字头 复位器 9字头 比较器
DALLAS命名规则
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工业级 S=表贴宽体 MCG=DIP封 Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级
IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFP
2、 ADI 更多资料查看www.analog.com
AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。
后缀的说明：
1、后缀中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，后缀中带R表示表示表贴。
2、后缀中带D或Q的表示陶封，工业级（45℃-85℃）。后缀中H表示圆帽。
3、后缀中SD或883属军品。
例如：JN DIP封装 JR表贴 JD DIP陶封
3、 BB 更多资料查看www.ti.com
BB产品命名规则：
前缀ADS模拟器件 后缀U表贴 P是DIP封装 带B表示工业级 前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度
4、 INTEL 更多资料查看www.intel.com
INTEL产品命名规则：
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N80C196系列都是单片机
前缀：N=PLCC封装 T=工业级 S=TQFP封装 P=DIP封装
KC20主频 KB主频 MC代表84引角
举例：TE28F640J3A-120 闪存 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP
5、 ISSI 更多资料查看www.issi.com
以“IS”开头
比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM
封装： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP
6、 LINEAR 更多资料查看www.linear-tech.com
以产品名称为前缀
LTC1051CS CS表示表贴
LTC1051CN8 **表示*IP封装8脚
7、 IDT 更多资料查看www.idt.com
IDT的产品一般都是IDT开头的
后缀的说明：
1、后缀中TP属窄体DIP
2、后缀中P 属宽体DIP
3、后缀中J 属PLCC
比如：IDT7134SA55P 是DIP封装
IDT7132SA55J 是PLCC
IDT7206L25TP 是DIP
8、 NS 更多资料查看www.national.com
NS的产品部分以LM 、LF开头的
LM324N 3字头代表民品 带N圆帽
LM224N 2字头代表工业级 带J陶封
LM124J 1字头代表军品 带N塑封
9、 HYNIX 更多资料查看www.hynix.com
封装： DP代表DIP封装 DG代表SOP封装 DT代表TSOP封装。 不足之处欢迎补充

5. 充电电路原理图解释

上图为充电器原理图，下面介绍工作原理。

1.恒流、限压、充电电路。该部分由02、R6、R8、ZD2、R9、R10和R13等元件组成。当接通市电叫，开关变压器T1次级感应出交流电压。经D4、C4整流滤波后提供约12.5V直流电压。一路通过R6、R1l、R14、LED3(FuL饱和指示灯)和R15形成回路，LED3点亮，表示待充状态：另一路电压通过R8限流，ZD2(5V1)稳压，再由并联的R9、R10和R13分压为Q2b极提供偏置，使Q2处于导通预充状态。恒流源机构由Q2与其基极分压电阻和ZD2等元件组成。当装入被充电池时12.5V电压即通过R6限流，经Q2的c—e极对电池恒流充电。这时由于Ul(Ul为软封装IC型号不详)与R6并联。R6两端的电压降使其①脚电位高于③脚，②脚就输出每秒约两个负脉冲。

使LED2(CH充电指示灯)频频闪烁点亮，表示正在正常充电。随着被充电池端电压的逐渐升高，即Q2 e极电位升高，升至设定的限压值(4.25V)时，由于Q2的b极电位不变，使Q2转入截止，充电结束。这时Q2c极悬空，Ul的③脚呈高电位，U1的②脚输出高电平，LED2熄灭。这时电流就通过R6、R11、R14限流对电池涓流充电，并点亮LED3。LED3作待充、饱和、涓流充电三重指示。

2.极性识别电路。此部分由R12和LEDl(TEST红色极性指示灯)构成。保护电路由Q3和R7等元件构成。假设被充电池极性接反了。

LED1就正偏点亮，警告应切换开关K，才能正常充电。如果电池一旦接反，Q3的I)极经R7获得正偏置，Q3导通，Q2的b极电位被下拉短路而截止，阻断了电流输出(否则电池就会被反充而报废)，从而保护了电池和充电器两者的安全。

6. 有谁用过立深鑫的LDO芯片吗质量如何

LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。
LDO芯片供应商：拍明芯城元器件商城
LDO 是一种线性稳压器，使用在其线性区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。
更新的发展使用 MOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 功率MOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。
DC-DC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DC-DC转换器，包括LDO。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DC-DC。
LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA（TI的TPS78001达到Iq=0.5uA），电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。
如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。
如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，因为从上面的原理可以知道，LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。
DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随着集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。
近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。
总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。
结构
LDO低压差线性稳压器的结构主要包括启动电路、恒流源偏置单元、使能电路、调整元件、基准源、误差放大器、反馈电阻网络和保护电路等。基本工作原理是这样的：系统加电，如果使能脚处于高电平时，电路开始启动，恒流源电路给整个电路提供偏置，基准源电压快速建立，输出随着输入不断上升，当输出即将达到规定值时，由反馈网络得到的输出反馈电压也接近于基准电压值，此时误差放大器将输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，再经调整管放大到输出，从而形成负反馈，保证了输出电压稳定在规定值上，同理如果输入电压变化或输出电流变化，这个闭环回路将使输出电压保持不变，即：Vout=(R1+R2)/R2 ×Vref
实际的低压差线性稳压器还具有如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等其它的功能。
工作原理
取样电压加在放大器A的反相输入端，与加在同相输入端的基准电压Uref相比较，两者的差值经放大器A放大后，控制串联调整管的压降，从而稳定输出电压。当输出电压Uout降低时，基准电压与取样电压的差值增加，比较放大器输出的驱动电流增加，串联调整管压降减小，从而使输出电压升高。相反，若输出电压Uout超过所需要的设定值，比较放大器输出的前驱动电流减小，从而使输出电压降低。供电过程中，输出电压校正连续进行，调整时间只受比较放大器和输出晶体管回路反应速度的限制。
应当说明，实际的线性稳压器还应当具有许多其它的功能，比如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等，而且串联调整管也可以采用MOSFET。
生产厂家
TOREX,SII,ROHM,RICOH,Diodes,Prisemi，Ame,TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild,Micrel,Natlinear,MPS,AATI，ACE,ADI,ST等；

7. 为什么特斯拉的发明到现在仍然是机密

尼古拉特斯拉我觉得是至今最接近神的存在，听说他的脑子里边想到的那些都是三百年之后发生的的事情。尼古拉斯特斯拉之前语言交流电会充斥着我们的生活，与当时的爱迪生还讨论过这些问题，但是爱迪生当时就觉得其实直流电就够用了，但是到现在证实了，特斯拉是正确的。

四、他有图片记忆功能

特斯拉拥有这样能力，因此当他阅读书籍和期刊的同时，特斯拉已经把他读到的所有信息转化为记忆存入大脑。就像存入了内部图书馆，可以随意调取阅读，所以，特斯拉很少画他的发明，直接从脑海中的图片或工作记忆中读取资料。

特斯拉去世后，其实就算他是美国公民，但是他的很多东西还是被美国部门拿走了，并且是封存。材料多到被人形容为一个“装载着特斯拉材料的火车车厢”过了一段时间后，他的家人被告知了一些项目，其他的则保留在特斯拉博物馆，位于贝尔格莱德，塞尔维亚(他的骨灰也在哪里)。特斯拉的一些文件和论文仍然是机密，虽然有人通过《信息自由法》请求解释项目，就算被公开的这些项目也都是经过修订了。最后，人们往往不知道谁是尼古拉•特斯拉，也不知道在他死亡之前，他已经领导开发了自由能源。

8. proteus 元件库

朋友，与你类似的问题我回答过好像有三到四次了，没有的这种元件库的，proteus没有protel 的功能那么强大，有没有只能看你的版本的档次了，没有就没有的，
补充：不晓得你的proteus 为几版本的，好像最高有7.15的，我用的是7.14的，你可到网络收下，或GOUGOU里收下，看有没有

补充：（参考参考 ）
Proteus原理图元器件库详细说明
Device.lib 包括电阻、电容、二极管、三极管和PCB的连接器符号
ACTIVE.LIB 包括虚拟仪器和有源器件
DIODE.LIB 包括二极管和整流桥
DISPLAY.LIB 包括LCD、LED
BIPOLAR.LIB 包括三极管
FET.LIB 包括场效应管
ASIMMDLS.LIB 包括模拟元器件
VALVES .LIB 包括电子管
ANALOG.LIB 包括电源调节器、运放和数据采样IC
CAPACITORS.LIB 包括电容
COMS.LIB 包括 4000系列
ECL.LIB 包括ECL10000系列
MICRO.LIB 包括 通用微处理器
OPAMP.LIB 包括 运算放大器
RESISTORS.LIB 包括 电阻
FAIRCHLD .LIB 包括FAIRCHLD 半导体公司的分立器件
LINTEC.LIB 包括 LINTEC公司的运算放大器
NATDAC.LIB 包括 国家半导体公司的数字采样器件
NATOA.LIB 包括 国家半导体公司 的运算放大器
TECOOR.LIB 包括TECOOR公司的 SCR 和TRIAC
TEXOAC.LIB 包括 德州仪器公司的运算放大器和比较器
ZETEX .LIB 包括ZETEX 公司的分立器件
也许部分因版本回有所不同，这是 PROTEUS 6.7的版本。

9. 什么是ltcc陶瓷基板

LTCC的优势 与其它集成技术相比，LTCC有着众多优点： 第一，陶瓷材料具有优良的高频、高速传输以及宽通带的特性。根据配料的不同，LTCC材料的介电常数可以在很大范围内变动，配合使用高电导率的金属材料作为导体材料，有利于提高电路系统的品质因数，增加了电路设计的灵活性； 第二，可以适应大电流及耐高温特性要求，并具备比普通PCB电路基板更优良的热传导性，极大地优化了电子设备的散热设计，可靠性高，可应用于恶劣环境，延长了其使用寿命； 第三，可以制作层数很高的电路基板，并可将多个无源元件埋入其中，免除了封装组件的成本，在层数很高的三维电路基板上，实现无源和有源的集成，有利于提高电路的组装密度，进一步减小体积和重量； 第四，与其他多层布线技术具有良好的兼容性，例如将LTCC与薄膜布线技术结合可实现更高组装密度和更好性能的混合多层基板和混合型多芯片组件； 第五，非连续式的生产工艺，便于成品制成前对每一层布线和互连通孔进行质量检查，有利于提高多层基板的成品率和质量，缩短生产周期，降低成本。 第六，节能、节材、绿色、环保已经成为元件行业发展势不可挡的潮流，LTCC也正是迎合了这一发展需求，最大程度上降低了原料，废料和生产过程中带来的环境污染。

10. ltc336三极管

是一种电流控制电流的半导体器件。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。