ltc半导体

A. IC型号的开头和尾缀代表什么意思

电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上.
封装形式:
封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好.
封装大致经过了如下发展进程:
结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;
材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;
引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;
装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装.
英文简称
英文全称
中文解释
图片
DIP
Double In-line Package
双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等.
PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier
PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点.
PQFP
Plastic Quad Flat Package
PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.
SOP
Small Outline Package
1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装(SOP).以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装),TSOP(薄小外形封装),VSOP(甚小外形封装),SSOP(缩小型SOP),TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管),SOIC(小外形集成电路)等.

www.maxim-ic.com
模拟滤波器 光纤通信 高速信号处理和转换 无线/射频
光线通讯,模拟 显示支持电路 高频模拟和混合信号ASIC
数字转换器,接口,电源管理,电池监控 DC/DC电源 电压基准
MAXIM前缀是"MAX".DALLAS则是以"DS"开头.
MAX×××或MAX××××
说明:1后缀CSA,CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W表示宽体表贴.
2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级.
3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA后缀均为普通双列直插.
举例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通带抗静电保护
MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃) 说明 E指抗静电保护
MAXIM数字排列分类
1字头 模拟器 2字头 滤波器 3字头 多路开关
4字头 放大器 5字头 数模转换器 6字头 电压基准
7字头 电压转换 8字头 复位器 9字头 比较器
DALLAS命名规则
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工业级
S=表贴宽体 MCG=DIP封
Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级
IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFP
下面是MAXIM的命名规则:
三字母后缀:
例如:MAX358CPD
C = 温度范围
P = 封装类型
D = 管脚数
温度范围:
C = 0℃ 至 70℃ (商业级)
I = -20℃ 至 +85℃ (工业级)
E = -40℃ 至 +85℃ (扩展工业级)
A = -40℃ 至 +85℃ (航空级)
M = -55℃ 至 +125℃ (军品级)
封装类型:
A SSOP(缩小外型封装)
B CERQUAD
C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)
D 陶瓷铜顶封装
E 四分之一大的小外型封装
F 陶瓷扁平封装
H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP)
J CERDIP (陶瓷双列直插)
K TO-3 塑料接脚栅格阵列
L LCC (无引线芯片承载封装)
M MQFP (公制四方扁平封装)
N 窄体塑封双列直插
P 塑封双列直插
Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)
R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)
S 小外型封装
T TO5,TO-99,TO-100
U TSSOP,μMAX,SOT
W 宽体小外型封装(300mil)
X SC-70(3脚,5脚,6脚)
Y 窄体铜顶封装
Z TO-92,MQUAD
/D 裸片
/PR 增强型塑封
/W 晶圆
www.analog.com
DSP信号处理器 放大器工业用器件 通信 电源管理 移动通信
视频/图像处理器等 模拟A/D D/A 转换器 传感器 模拟器件
AD产品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等开头的.
后缀的说明:1,后缀中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,后缀中带R表示表示表贴.
2,后缀中带D或Q的表示陶封,工业级(45℃-85℃).后缀中H表示圆帽.
3,后缀中SD或883属军品.
例如:JN DIP封装 JR表贴 JD DIP陶封
www.ti.com
DSP 信号处理器等嵌入式控制器 高性能运放IC 存储器 A/D D/A
模拟器件转换接口IC等 54LS军品系列 CD4000军品系列
工业 / 民用电表微控制器等
TI产品命名规则:SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的后缀说明:
SN或SNJ表示TI品牌
SN军标,带N表示DIP封装,带J表示DIP(双列直插),带D表示表贴,带W表示宽体
SNJ军级,后面代尾缀F或/883表示已检验过的军级.
CD54LS×××/HC/HCT:
1,无后缀表示普军级
2,后缀带J或883表示军品级
CD4000/CD45××:
后缀带BCP或BE属军品
后缀带BF属普军级
后缀带BF3A或883属军品级
TL×××:
后缀CP普通级 IP工业级 后缀带D是表贴
后缀带MJB,MJG或带/883的为军品级
TLC表示普通电压 TLV低功耗电压
TMS320系列归属DSP器件, MSP430F微处理器
BB产品命名规则:
前缀ADS模拟器件 后缀U表贴 P是DIP封装 带B表示工业级
前缀INA,XTR,PGA等表示高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度

INTEL产品命名规则: N80C196系列都是单片机 前缀:N=PLCC封装 T=工业级 S=TQFP封装 P=DIP封装 KC20主频 KB主频 MC代表84引角 TE28F640J3A-120 闪存 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP www.issi.com SRAM,SDRAM,EDO/FPM DRAM, EEPROM,8051 系列单片机,ASIC及语音芯片 以"IS"开头 比如:IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM 封装: PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP 高性能模拟器件 电压基准 运算放大器 数/模 模数转换器 电源及马达 控制线路 以产品名称为前缀 LTC1051CS CS表示表贴 LTC1051CN8 CN表示DIP封装8脚 www.amd.com FLASH 快闪记忆体 微处理器 双端口RAM 先进先出器件FIFO 高速静态存储器SRAM 快速逻辑器件FCT 低功耗高速TTL系列 如74FCT16XXX系列 IDT的产品一般都是IDT开头的. 后缀的说明:1,后缀中TP属窄体DIP. 2,后缀中P 属宽体DIP. 3,后缀中J 属 PLCC. 比如:IDT7134SA55P 是DIP封装 IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP

看看对你有没有帮助。

B. 什么是ltcc陶瓷基板

LTCC的优势 与其它集成技术相比，LTCC有着众多优点： 第一，陶瓷材料具有优良的高频、高速传输以及宽通带的特性。根据配料的不同，LTCC材料的介电常数可以在很大范围内变动，配合使用高电导率的金属材料作为导体材料，有利于提高电路系统的品质因数，增加了电路设计的灵活性； 第二，可以适应大电流及耐高温特性要求，并具备比普通PCB电路基板更优良的热传导性，极大地优化了电子设备的散热设计，可靠性高，可应用于恶劣环境，延长了其使用寿命； 第三，可以制作层数很高的电路基板，并可将多个无源元件埋入其中，免除了封装组件的成本，在层数很高的三维电路基板上，实现无源和有源的集成，有利于提高电路的组装密度，进一步减小体积和重量； 第四，与其他多层布线技术具有良好的兼容性，例如将LTCC与薄膜布线技术结合可实现更高组装密度和更好性能的混合多层基板和混合型多芯片组件； 第五，非连续式的生产工艺，便于成品制成前对每一层布线和互连通孔进行质量检查，有利于提高多层基板的成品率和质量，缩短生产周期，降低成本。 第六，节能、节材、绿色、环保已经成为元件行业发展势不可挡的潮流，LTCC也正是迎合了这一发展需求，最大程度上降低了原料，废料和生产过程中带来的环境污染。

C. 关于凌特半导体公司一个芯片 谁认识 告诉下

补充一点

IFE 可能代表这颗产品的代工厂 是 英飞凌 Infineon

如果是的话 你可以从这点入手 具体信息到 英飞凌 Infineon 官网 查询

D. 请问电机控制器中,逆变电路前面直流母线支撑电容(DCLink)是怎么计算的

摘要：采用高集成度的专用芯片SA和智能功率模块PS了一种小功率通用变频器。试验和实际应用表明，该变频器性能好、价格低、可靠性较高。 关键词：变频器；正弦波脉宽调制；专用集成电路；智能功率模块引言由于电力电子技术的飞速发展，交流变频调速已上升为电气传动的主流，正在逐步取代传统的直流传动。而从性价比的角度来看，交流变频调速装置已经优于直流调速装...

[图文18]开关电源的小模型及环路设计
摘要：建立了Buck电路在连续电流模式下的小数学模型，并根据稳定性原则了电压模式和电流模式控制下的环路设计问题。 关键词：开关电源；小模型；电压模式控制；电流模式控制引言设计一个具有良好动态和静态性能的开关电源时，控制环路的设计是很重要的一个部分。而环路的设计与主电路的拓扑和参数有极大关系。为了进行稳定性，有必要建立开关电源完整的小数学模型...

[图文18]一种小型化高压小功率电源
摘要：论述了一种小型化的高压电源，它一改传统的高、低压组合式为一体化式，从而使体积、重量都大大减小。同时指出了开关电源技术在高压小功率电源应用中存在的问题和解决办法。在研制和实验过程中应用了PSPICE仿真技术，给出实测和仿真波形。 关键词：小型化 高压变压器 高压电源 仿真引言高压电源已经被广泛地应用?医学、工业无损探伤、...

[图文18]基于DS80C的主从逆变电源监控系统的设计与实现
摘要：介绍了基于DS80C的主从逆变电源监控系统的设计方案，从硬件结构，软件编制和抗干扰措施三方面进行了详细讨论，并对单片机锁相技术进行了介绍。实际运行表明，本监控系统完全满足实际需要，性能良好。 关键词：单片机；逆变电源；锁相；抗干扰引言本监控系统是为铁路用4kA/25Hz主从热备份逆变电源系统设计的。 4kA/25Hz主从逆变电源是电气化铁路区...

通信终端电源管理设计原理
摘要：通信终端产品在我们的日常生活中已经非常普及，因此，其设计的安全性问题显得尤为重要。就终端产品安全隐患最大的地方——电源管理设计，提出了一些设计理念以提高产品的安全性。 关键词：通信终端；电源管理；可充电锂离子电池引言通信终端产品如G、及PHS已经深入普及到我们的日常生活中，促进了中国事业的发展，也为我们的...

[图文18]基于谐波补偿的逆变器波形控制技术研究
摘要：介绍了一种基于谐波补偿的逆变器波形控制技术，了系统的工作原理，详细探讨了控制系统参数设计方法，并得出了试验结果。 关键词：谐波补偿；逆变器；波形控制引言逆变器是一种重要的DC/AC变换装置。衡量其性能的一个重要指标是输出电压波形质量，一个好的逆变器，它的输出电压波形应该尽量接近正弦，总谐波畸变率（THD）应该尽量小。在实际应用中逆变器经常需要接整流型...

[图文18]一种简单有效的限流保护电路
摘要：提出了一种简单有效的限流保护电路，论述了该保护电路应用于宽范围输入正激变换器和宽范围输入反激变换器时工作状况的区别，并给出了一个适用于宽范围输入反激变换器的补偿电路。最后的实验结果验证了限流保护电路及补偿电路的工作原理及其有效性。 关键词：过流保护；正激；反激引言过流保护电路是电源产品中不可缺少的一个组成部分，根据其控制方法大致可以分为关断方式和限流方式...

[图文18]混合逻辑电平的接口技术
摘要：介绍了3.3和5.0逻辑电平、RS-C逻辑电平、LDS的电特性，讨论了它们相互间的接口技术。 关键词：接口 逻辑电平 电源变换在功耗低、体积小的便携式设备（蜂窝、PDA、笔记本电脑、数字相机等）的应用需求驱动下，越来越多的半导体器件采用低电压设计技术，很多半导体器件厂家纷纷推出3．3和2．5等一系列超低功耗集成电路。这样使很多低电...

[图文18]基于柔性锁相环路的动态电压恢复器控制方案的研究
摘要：动态电压恢复器（DR）是一种新型电能质量调节装置，它能有效抑制电网电压波动对敏感负载的影响。介绍了应用于DR的一种新型的锁相技术—柔性锁相环路〔soft phase locked loop(SPLL)〕和以此为基础的控制方案。 关键词：动态电压恢复器；锁相技术；电压跌落 1 概述动态电压恢复器（dynamic voltage restorers简称D...

[图文18]基于交流永磁同步电机的全数字伺服控制系统
摘要：根据永磁同步电机的数学模型和矢量控制原理，通过仿真和实验研究，出一套基于DSP控制的伺服系统，并给出了相应的实验结果验证该系统的可行性。 关键词：永磁同步电机；矢量控制；数字处理器引言目前，交流伺服系统广泛应用于数控机床，机器人等领域，在这些要求高精度，高动态性能以及小体积的场合，应用交流永磁同步电机（PM）的伺服系统具有明显优势。PM本...

[图文18]两种优化开关模式在高频SPWM逆变电源中的应用
摘要：针对数字化高频空间矢量脉宽调制（SPWM）逆变电源的特殊要求，对SPWM算法进行了改进，并提出两种适用于高频SPWM算法的优化开关模式。最后分别采用纯软件方法和硬件结合DSP内部空间矢量PWM集成硬件的混合方法，来实现两种优化开关模式在一高频SPWM逆变电源样机中的应用。该样机采用TMSLFA构成的最小控制系统，可输出0～Hz连续可调的三相交流电。 &nbs...

[图文18]次级控制的单端正激变换器
摘要：对比了初级控制的单端拓扑与次级控制的半桥拓扑的异同，给出了次级控制的单端正激变换器拓扑。并介绍了一个由初级启动控制器UCC实现的实际电路及其实验结果。 关键词：单端正激变换；初级控制；次级控制；启动控制器；脉冲边缘传输引言近几年来，随着电子及信息产业进一步向小型化、智能化发展，电源在这些产品中的地位越来越重要。开关电源以其体积小、重量轻、效率高得...

[图文18]功率因数校正(PFC)的数字控制方法
摘要：控制技术的数字化是开关电源的发展趋势。相对于传统的模拟控制技术，采用数字控制技术的功率因数校正（PFC）具有显著的优点。详细讨论了采用数字处理器（DSP）作为控制核心时的设计事项和方法，最后提出了数字控制技术有待解决的问题。 关键词：数字控制；数字处理器；功率因数校正；开关电源引言电力电子产品的广泛使用，对电网造成了严重的谐波污染。这使得功率因数...

[图文18]单级功率因数校正在AC-PDP开关电源小型化设计中的应用
摘要：传统的交流等离子显示器（AC-PDP）开关电源采用的是功率因数校正加DC/DC变换的两级电路。针对其结构复杂，体积较大的缺点，设计了一种单级功率因数变换器，实现了小型化的目的。 关键词：单级功率因数校正；反激变换；彩色交流等离子显示器引言随着社会信息化的不断发展以及先进工艺的不断提高，作为大屏幕壁挂式电视和高质量多媒体信息显示的终端——彩色交流等离子...

[图文18]一种具有恒功率控制的单级功率因数校正电路
摘要：提出了一种具有恒功率控制的单级功率因数校正电路。该电路功率因数校正级工作在电流断续模式，具有较低的总谐波畸变和较高的功率因数。该电路的直接能量传递方式降低了直流母线电压并且提高了电路的效率。采用恒功率控制方式使得电路具有良好的输出特性。并通过仿真和实验结果证明了电路的可行性。 关键词：变换器；单级功率因数校正；恒功率控制引言近年来，功率因数校正（PFC）...

[图文18]改进的单级功率因数校正AC/DC变换器的拓扑综述
摘要：单级功率因数校正(简称单级PFC)由于控制电路简单、成本低、功率密度高在中小功率场合得到了广泛的应用。但是，单级PFC中存在一些问题，如储能电容电压随输入电压和负载的变化而变化，在输入高压或轻载时，电容电压可能达到上千伏；变换器的效率低；开关损耗大等缺点。介绍了几种改进的拓扑结构以解决这些问题。 关键词：功率因数校正；AC/DC变换器；单级 1 概述为了减...

锂离子电池的发展趋势2
摘要：综述了锂离子电池的发展趋势，简述了锂离子电池的充放电机理理论研究状况，总结归纳了作为核心技术的锂电池正负电极材料的现有的制备理论和近来发展动态，评述了正极材料和负极材料的各种制备方法和发展前景，重点介绍了目前该领域的问题和改进发展情况。 关键词：锂离子电池；电极材料；电循环容量；嵌锂化合物引言电子信息时代使对电源的需求快速增长。由于锂离子...

[图文18]锂离子电池的发展趋势
摘要：介绍了将电源模块并联，并构成冗余结构进行供电的好处，讲述了几种传统的并联均流电路，讨论了各种方式下的工作过程及优缺点，并对均流技术的发展做了展望。 关键词：并联；冗余；均流 1 概述随着电力电子技术的发展，各种电子装置对电源功率的要求越来越高，对电流的要求也越来越大，但受构成电源模块的半导体功率器件，磁性材料等自身性能的影响，单个开关电源模块的输出参数（如...

[图文18]蓄电池充电方法的研究
摘要：针对蓄电池的特点，研究了蓄电池充放电过程中的极化现象，提出和了几种充电方式，并展望了其发展前景。 关键词：蓄电池；充电；极化引言铅酸蓄电池由于其成本低，容量大，价格低廉而得到了广泛的使用。但是，若使用不当，其寿命将大大缩短。影响铅酸蓄电池寿命的因素很多，而采用正确的充电方式，能有效延长蓄电池的使用寿命。研究发现：电池充电过程对电池寿命影响最大...

[图文18]电源系统中多个子系统之间的电磁兼容问题
摘要：通过一个实例了在一个电源系统中多个子系统之间出现的电磁兼容问题，并且给出了解决方案。同时也提供了布局中应注意的细节问题。 关键词：电源；子系统；电磁兼容引言电子产品间会通过传导或者辐射等途径相互干扰，导致电子产品不能正常工作。因此，电磁兼容在电源产品设计中处于非常重要的地位，若处理不当会带来很多麻烦。开关电源是一个很强的骚扰源，这是由于开关管以很...

[图文18]PWM控制电路的基本构成及工作原理
摘要：介绍了PWM控制电路的基本构成及工作原理，给出了美国Silicon General生产的高性能集成PWM控制器SG的引脚排列和功能说明，同时给出了其在不间断电源中的应用电路。 关键词：PWM SG 控制器引言开关电源一般都采用脉冲宽度调制（PWM）技术，其特点是频率高，效率高，功率密度高，可靠性高。然而，由于其开关器件工作在高频通断状...

[图文18]解析几种有效的开关电源电磁干扰的抑制措施
摘 要 本文先了开关电源产生电磁干扰的机理, ,就目前几种有效的开关电源电磁干扰措施进行了比较，并为开关电源电磁干扰的进一步研究提出参考建议。 关键词 开关电源 电磁干扰 抑制措施&...

[图文18]锁相放大技术在蓄电池内阻检测中的应用
摘要：介绍了锁相放大技术的基本原理以及采用交流注入法在线测量蓄电池内阻的装置，详细介绍了该装置的工作大批量采用锁相放大技术实现内阻测量实际电路。在该装置中通过采用平衡调制解调芯片AD有效地抑制了噪声和干扰，并且简化了设计。 关键词：蓄电池内阻 交流注入法 锁相放大 AD 国内外的科研人员通过大量的实验发现，蓄电池的内阻与容量有着密切的关系，根据蓄电池内阻...

[图文18]SA三相PWM发生器的原理与应用
摘要：SA是英国MITEL推出的三相PWM发生器集成芯片。该芯片采用全数字化操作，工作方式灵活、频率范围宽、精度很高?并可与微处理器接口以实现智能化控制。文中介绍了该芯片的内部结构、引脚功能、主要特点和工作原理，给出了典型的应用电路。 关键词：PWM发生器；SA；微处理器1 SA的功能特点PWM控制技术是通过控制电路按一定规律来控制...

[图文18]新一代单片PFC+PWM控制器
摘要：CM是美国CMC半导体生产的新一代单片PFC+PWM控制器，该芯片采用了LETE（同步前沿PFC／后沿PWM技术）等多项专利技术，从而减小了电路中的滤波电容值且不再需要前馈电阻，同时具有绿色模式、软启动、故障检测、欠压、过压保护等功能，其主动式PFC（功率因子校正）可使功率因子接近于1。文中介绍了CM的主要特点、引脚功能及内部结构，给出电压模式及电流模式的应用电路。 ...

[图文18]4A高效化学电池充电器控制LTC
摘要：LTC是一种同步电流模式PWM降压转换开关电池充电控制器。该控制器的充电电流可编程，输出电流不小于4A，效率达96％，输出电压范围为3～28，适合于对多化学电池充电器的控制。文中介绍了LTC的功能特点?给出了它的应用电路。 关键词：频率合成器；分频器；电荷泵；LTC 1 概述LTC是美国凌特生产的一种恒流／恒压多化学...

[图文18]用负阻原理设计高稳定度CO
摘要：介绍了利用负阻原理、采用改进型克拉泼电路设计的高稳定度LC压控振荡器（CO），其频率范围为MHz~MHz。用ADS进行了仿真，最后给出了测量结果，实际表明它们是一致的。该电路采用相角补偿，提高了频率稳定度，降低了相位噪声。该方法设计简单、调试方便、成本低。 关键词：负阻 CO 克拉泼电路 相位噪声压控振荡器(C0)是锁相环路的重要组成部分。...

[图文18]DC-DC变换器AP控制方法的
摘要：随着电压调整模块（RM）输入容量的越来越大和动态要求的越来越严格，适应降压（AP）控制在RM中的应用被人们重新认识。本文对AR控制策略的有源法和无源法进行了理论，并采用一种新式检测方法实现AP控制，并通过比较实验证实了AP控制方法的优越性。 关键词：电压调整模块 降压控制 有源法 无源法 CPU和DSP对数据处理速度和容量的要求不断提高，对电源...

[图文18]IPM驱动和保护电路的研究
摘要：介绍了IPM的基本工作特性和常用IPM驱动和保护电路的设计方法，并给出了一个驱动和保护电路的设计实例。 关键词：IGBT（绝缘栅双极性晶体管） IPM（智能功率模块） PIC（功率集成电路）智能功率模块（IPM）是Intelligent Power Mole的缩写，是一种先进的功率开关器件，具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点，...

[图文18]一种实用的逆变桥功率开关管门极关断箝位电路
摘要：针对1kA高频在线式UPS主功率电路的设计，并结合实际电路调试中所遇到的问题，提出了一种实用的电路——逆变桥功率开关管门极关断箝位电路,它可以有效地抑制开关管门极的干扰，从而提高电路的可靠性；同时给出了部分电路的实验波形和实验结果。 关键词：逆变 抑制 可靠性 箝位不间断电源（Uninterrupted Power Supply，简称UPS）是一种稳频、稳...

E. ltc336三极管

是一种电流控制电流的半导体器件。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。

F. 有谁用过立深鑫的LDO芯片吗质量如何

LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。
LDO芯片供应商：拍明芯城元器件商城
LDO 是一种线性稳压器，使用在其线性区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。
更新的发展使用 MOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 功率MOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。
DC-DC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DC-DC转换器，包括LDO。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DC-DC。
LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA（TI的TPS78001达到Iq=0.5uA），电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。
如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。
如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，因为从上面的原理可以知道，LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。
DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随着集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。
近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。
总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。
结构
LDO低压差线性稳压器的结构主要包括启动电路、恒流源偏置单元、使能电路、调整元件、基准源、误差放大器、反馈电阻网络和保护电路等。基本工作原理是这样的：系统加电，如果使能脚处于高电平时，电路开始启动，恒流源电路给整个电路提供偏置，基准源电压快速建立，输出随着输入不断上升，当输出即将达到规定值时，由反馈网络得到的输出反馈电压也接近于基准电压值，此时误差放大器将输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，再经调整管放大到输出，从而形成负反馈，保证了输出电压稳定在规定值上，同理如果输入电压变化或输出电流变化，这个闭环回路将使输出电压保持不变，即：Vout=(R1+R2)/R2 ×Vref
实际的低压差线性稳压器还具有如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等其它的功能。
工作原理
取样电压加在放大器A的反相输入端，与加在同相输入端的基准电压Uref相比较，两者的差值经放大器A放大后，控制串联调整管的压降，从而稳定输出电压。当输出电压Uout降低时，基准电压与取样电压的差值增加，比较放大器输出的驱动电流增加，串联调整管压降减小，从而使输出电压升高。相反，若输出电压Uout超过所需要的设定值，比较放大器输出的前驱动电流减小，从而使输出电压降低。供电过程中，输出电压校正连续进行，调整时间只受比较放大器和输出晶体管回路反应速度的限制。
应当说明，实际的线性稳压器还应当具有许多其它的功能，比如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等，而且串联调整管也可以采用MOSFET。
生产厂家
TOREX,SII,ROHM,RICOH,Diodes,Prisemi，Ame,TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild,Micrel,Natlinear,MPS,AATI，ACE,ADI,ST等；

G. 特斯拉线圈的原理是什么

特斯拉线圈的貌似就是两个谐振线圈。
某网络中介绍特老刚开始做这个的时候是为了与爱迪生OOXX，爱迪生说交流电危险，然后特老就做了个特斯拉线圈，让次级电流通过自己以反驳爱迪生的“谬论”。之后特老就开始向无线输电的方向发展了（特老的无线输电项目成功与否至今还是个迷），特老当年做的TC（特斯拉线圈缩写）都是SGTC（火花间隙特斯拉）。特老之所以厉害是他能在当年就能把SGTC调谐振。

现在特斯拉线圈的分支有很多，最简单的还是SGTC（不过效率低下，所以后来有了晶体管做开关元件的特斯拉线圈，效率大大提升）
OLTC（离线式特斯拉）
SSTC（固态特斯拉，这个的分支还有ISSTC，就是有灭弧的SSTC）
VTTC（电子管特斯拉）
DRSSTC（双谐振固态特斯拉）

如果想做的话做个小的SGTC很简单，成功率也很高（很容易出电弧，但是谐振很难调），如果你认识些卖原件的话，也花不了多少（100~300）不过这个只能拉电弧而且调谐振更会让你纠结好久。
如果想放音乐的话 CLASS-E 的HIFI SSTC也不错，不过需要电子基础
提醒“这个实验有一定的危险程度，请注意安全”
如果想做的话发邮件[email protected]细聊

H. 关于自制小型的特斯拉线圈..

小型特斯拉线圈还是比较安全的,它的放电电弧属于高频高压电,由于高频电流具有趋肤效应,所以,即使被特拉的电弧击中也不过是,击中点的轻微烧伤而已.真正危险的是那些天天悬在我们头顶的工频输电线路,它可是要比被雷击还要危险的工频电流!
不知道楼主主要想做那种?一般的那种火花隙的,只需要有点动手能力就好了.这个网址就可以了
http://www.teralab.co.uk/Electronics/Tesla_Coil_1/Tesla_Coil_1_Page1.htm
http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Tesla_coil_3.svg
不好弄的就是高压变压器,你可以买一个霓虹灯变压器代替
如果向做半导体的,去google搜索图片"DRSSTC"\"OLTC"很多电路图,和相关设计方案.
http://images.google.cn/images?gbv=2&hl=zh-CN&newwindow=1&sa=1&q=DRSSTC&aq=f&oq=
还有一种,电子管.称之为VTTC.
http://images.google.cn/images?gbv=2&hl=zh-CN&newwindow=1&sa=1&q=VTTC&aq=f&oq=
另外半导体的比较安全,不容易触电,但是经典火花器的,和电子管的要很危险,不是特斯拉危险,而是他们大都使用了高压电源来驱动,如果触电是比较痛苦的.
最后祝你好运,有问题我们再讨论:)

I. 为什么特斯拉的发明到现在仍然是机密

尼古拉特斯拉我觉得是至今最接近神的存在，听说他的脑子里边想到的那些都是三百年之后发生的的事情。尼古拉斯特斯拉之前语言交流电会充斥着我们的生活，与当时的爱迪生还讨论过这些问题，但是爱迪生当时就觉得其实直流电就够用了，但是到现在证实了，特斯拉是正确的。

四、他有图片记忆功能

特斯拉拥有这样能力，因此当他阅读书籍和期刊的同时，特斯拉已经把他读到的所有信息转化为记忆存入大脑。就像存入了内部图书馆，可以随意调取阅读，所以，特斯拉很少画他的发明，直接从脑海中的图片或工作记忆中读取资料。

特斯拉去世后，其实就算他是美国公民，但是他的很多东西还是被美国部门拿走了，并且是封存。材料多到被人形容为一个“装载着特斯拉材料的火车车厢”过了一段时间后，他的家人被告知了一些项目，其他的则保留在特斯拉博物馆，位于贝尔格莱德，塞尔维亚(他的骨灰也在哪里)。特斯拉的一些文件和论文仍然是机密，虽然有人通过《信息自由法》请求解释项目，就算被公开的这些项目也都是经过修订了。最后，人们往往不知道谁是尼古拉•特斯拉，也不知道在他死亡之前，他已经领导开发了自由能源。

J. TO-92是什么封装

什么是封装？

[顶]什么是封装？
IC产品的封装常识
一、 什么叫封装
封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。封装时主要考虑的因素：
1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；
2、 引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；
3、 基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：
结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；
装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装
二、 具体的封装形式
1、 SOP/SOIC封装
SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。SOP封装技术由1968～1969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
2、 DIP封装
DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
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3、 PLCC封装
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写，即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。
4、 TQFP封装
TQFP是英文thin quad flat package的缩写，即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装（TQFP）工艺能有效利用空间，从而降低对印刷电路板空间大小的要求。由于缩小了高度和体积，这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用，如 PCMCIA 卡和网络器件。几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封装。
5、 PQFP封装
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写，即塑封四角扁平封装。PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。
6、 TSOP封装
TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚， TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印制电路板）上安装布线。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。
7、 BGA封装
BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引
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出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。
三、 国际部分品牌产品的封装命名规则资料
1、 MAXIM 更多资料请参考 www.maxim-ic.com
MAXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。
MAX×××或MAX××××
说明：
1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。
2、后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。
举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护
MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）,说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类
1字头 模拟器 2字头 滤波器 3字头 多路开关
4字头 放大器 5字头 数模转换器 6字头 电压基准
7字头 电压转换 8字头 复位器 9字头 比较器
DALLAS命名规则
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工业级 S=表贴宽体 MCG=DIP封 Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级
IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFP
2、 ADI 更多资料查看www.analog.com
AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。
后缀的说明：
1、后缀中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，后缀中带R表示表示表贴。
2、后缀中带D或Q的表示陶封，工业级（45℃-85℃）。后缀中H表示圆帽。
3、后缀中SD或883属军品。
例如：JN DIP封装 JR表贴 JD DIP陶封
3、 BB 更多资料查看www.ti.com
BB产品命名规则：
前缀ADS模拟器件 后缀U表贴 P是DIP封装 带B表示工业级 前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度
4、 INTEL 更多资料查看www.intel.com
INTEL产品命名规则：
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N80C196系列都是单片机
前缀：N=PLCC封装 T=工业级 S=TQFP封装 P=DIP封装
KC20主频 KB主频 MC代表84引角
举例：TE28F640J3A-120 闪存 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP
5、 ISSI 更多资料查看www.issi.com
以“IS”开头
比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM
封装： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP
6、 LINEAR 更多资料查看www.linear-tech.com
以产品名称为前缀
LTC1051CS CS表示表贴
LTC1051CN8 **表示*IP封装8脚
7、 IDT 更多资料查看www.idt.com
IDT的产品一般都是IDT开头的
后缀的说明：
1、后缀中TP属窄体DIP
2、后缀中P 属宽体DIP
3、后缀中J 属PLCC
比如：IDT7134SA55P 是DIP封装
IDT7132SA55J 是PLCC
IDT7206L25TP 是DIP
8、 NS 更多资料查看www.national.com
NS的产品部分以LM 、LF开头的
LM324N 3字头代表民品 带N圆帽
LM224N 2字头代表工业级 带J陶封
LM124J 1字头代表军品 带N塑封
9、 HYNIX 更多资料查看www.hynix.com
封装： DP代表DIP封装 DG代表SOP封装 DT代表TSOP封装。 不足之处欢迎补充