ltc2053ims芯片

❶ 求助各路大神，LTC4053电池充电芯片有用过的吗

可以参考产品规格书

❷ LTC3789芯片在multisim中如何仿真

Multisim中的元器件多是通用或应用广泛的（往往还是制造商较多的），而LTC3789属于凌力尔特公司独家推出的专用IC，Multisim就难以支持了。如需仿真，建议到凌力尔特官网“设计仿真”网页（http://www.linear.com.cn/designtools/software/）选择对应仿真软件。

❸ 请问下有没有集成多个开关MOS管的芯片（例如4个或者8个），每个开关MOS管是分开工作的

能找到内含4个及以下的，超过4个的就很难见到了。下面列几个型号供参考：
“二管”的：APM4500（对管、带阻尼二极管）、ALD1116（NMOS）、ALD1107（PMOS）
“三管”的：LTC1163（连体的）
“四管”的：MSK3013（4-NMOS带阻尼二极管）、ALD1106、ALD1107、SFF120-28Q、ALD1123E、IRHQ597110、IRHQ593110、MAX620、MAX621等等

❹ wifi芯片周围的电子元件57289是什么元件

Ltc2051是一个线性放大器 ltc2051如果你需要任何帮助，请拿着它。Ltc？2051ltc2052是双通道四通道零漂运算放大器，包装为 ms8、 so-8gn16和 s14。对于空间受限的应用，ltc2051可提供3毫米 x3毫米 x0.8毫米双引脚细距无铅封装(dfn)。他们使用单一的2.7 v 操作电源和支持 ± 5v 应用。目前的消费量是每运算放大器750美元。虽然 ltc2051/ltc2052的体积很小，但是 dc 的性能完全没有受到影响。典型的输入偏置电压和偏置漂移分别为0.5 v 和10 nv/° c。电源抑制比(psrr)超过130分贝及共模抑制比，可支援近零直流偏移及漂移。输入的共模电压范围从正极的负极到最高1v (典型的)。Ltc2051/ltc2052还有一个增强的输出级，能够驱动低至2k 到两个动力轨的负载。开环增益通常是140分贝。另外，ltc2051/ltc2052有1.5 vp-p dc 到10 hz 的噪声和3mhz 的增益带宽积。专业查询芯片元件代码，分销 ti，ad，max，st 等原始芯片集成电路

❺ 有谁用过立深鑫的LDO芯片吗质量如何

LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。
LDO芯片供应商：拍明芯城元器件商城
LDO 是一种线性稳压器，使用在其线性区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。
更新的发展使用 MOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 功率MOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。
DC-DC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DC-DC转换器，包括LDO。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DC-DC。
LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA（TI的TPS78001达到Iq=0.5uA），电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。
如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。
如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，因为从上面的原理可以知道，LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。
DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随着集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。
近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。
总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。
结构
LDO低压差线性稳压器的结构主要包括启动电路、恒流源偏置单元、使能电路、调整元件、基准源、误差放大器、反馈电阻网络和保护电路等。基本工作原理是这样的：系统加电，如果使能脚处于高电平时，电路开始启动，恒流源电路给整个电路提供偏置，基准源电压快速建立，输出随着输入不断上升，当输出即将达到规定值时，由反馈网络得到的输出反馈电压也接近于基准电压值，此时误差放大器将输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，再经调整管放大到输出，从而形成负反馈，保证了输出电压稳定在规定值上，同理如果输入电压变化或输出电流变化，这个闭环回路将使输出电压保持不变，即：Vout=(R1+R2)/R2 ×Vref
实际的低压差线性稳压器还具有如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等其它的功能。
工作原理
取样电压加在放大器A的反相输入端，与加在同相输入端的基准电压Uref相比较，两者的差值经放大器A放大后，控制串联调整管的压降，从而稳定输出电压。当输出电压Uout降低时，基准电压与取样电压的差值增加，比较放大器输出的驱动电流增加，串联调整管压降减小，从而使输出电压升高。相反，若输出电压Uout超过所需要的设定值，比较放大器输出的前驱动电流减小，从而使输出电压降低。供电过程中，输出电压校正连续进行，调整时间只受比较放大器和输出晶体管回路反应速度的限制。
应当说明，实际的线性稳压器还应当具有许多其它的功能，比如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等，而且串联调整管也可以采用MOSFET。
生产厂家
TOREX,SII,ROHM,RICOH,Diodes,Prisemi，Ame,TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild,Micrel,Natlinear,MPS,AATI，ACE,ADI,ST等；

❻ 芯片LTc3308AlV#wTRPBF是什么芯片

摘要 Core-3308Y核心板（或者Core-3308BY）采用Rockchip专用IoT处理器RK3308B，基于 ARM 四核 64 位 Cortex-A35 内核，主频 1.3GHz，集成高性能 Codec 和 Hardware VAD，直接支持最大 8 通道 MIC 阵列+回采，可快速应用于 IoT 智能物联网、智能语音识别、人机界面、工业控制、智能机器人等领域。

❼ 这个芯片是什么型号应是SPI的ADC：LT e3

凌力尔特的芯片，型号齐全是LTC1451CS8，上面标记的是1451。根据这个模型可以查询到相关信息。

❽ 除AD536外，常用的真有效值转换芯片还有哪些

还有AD637、LTC1966、LTC1967、LTC1968等等。

芯片，英文为Chip；芯片组为Chipset。芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的独立的整体。“芯片”和“集成电路”这两个词经常混着使用，比如在大家平常讨论话题中，集成电路设计和芯片设计说的是一个意思，芯片行业、集成电路行业、IC行业往往也是一个意思。

❾ 一个关于开关电源芯片的知识

这种芯片也是开关电源控制芯片，内部结构依然是PWM控制
但是这种芯片与一半常用的开关电源芯片相比有以下几个明显的不同点
1.芯片输入电压范围宽，一般芯片在10-30V左右，这个4-60V
2，整机输入电压范围低，一般电源整机输入电压范围在100-400V都是可以的，这个芯片做的整机输入电压范围同样在4-60V
3，输入输出不隔离，一般开关电源输入输出端是隔离的，这个芯片做出来的电源输入输出是不隔离的，也就是有个共同的地
4，驱动不一样，一般开关电源的芯片输出驱动是驱动N型MOS管子，这个输出是驱动P型MOS管
5，输入电压性质不一样，一般开关电源设计是适应市电交流输入，这个芯片设计是适应直流电源输入，这也是这个芯片叫DC-DC芯片的来由，当然如果这个芯片全面加整流桥和电容滤波变成直流再来供给电源，也是可以的，但是要注意输入电压范围了,最大60V的直流输入范围，等效成交流就是42V，这样在交流42V输入而且不隔离的开关电源在实用上是没太大意义的，