ltc芯片与lt芯片区别

A. 稳压芯片 型号前缀 ams lm lt 是什么意思

前缀一般表示厂家，如果AMS的就是AMS厂家，LM一般是NS的，LT就是凌特的

B. 和TTL集成电路相比，CMOS集成电路的主要优点是什么

TTL集成电路使用TTL管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5V
CMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。
就TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是<0.2V为输出低电平；>3.4V为输出高电平。
而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。
1，TTL电平：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平
是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是
0.4V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需
要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈

4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱
动门电路。

5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常
现象。

C. ltc1628cg什么芯片

就是普通的哦！

D. TTL和CMOS电平在使用过程中有什么本质的区别为什么有的芯片是TTL而有的是CMOS，就一种不妥吗

(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。EDA中国门户网站 e q C9f Q
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平，另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容

(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。

(三)TTL电平标准
输出 L： <0.8V ； H：>2.4V。
输入 L： <1.2V ； H：>2.0V
TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。

CMOS电平：
输出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc。
输入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc.

一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配（VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的）。有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。

例如：74LS的器件的输出，接入74HC的器件。在一般情况下都能好好运行，但是，在参数上却是不匹配的，有些情况下就不能运行。

TTL与CMOS电平使用起来有什么区别?

1. 电平的上限和下限定义不一样，CMOS具有更大的抗噪区域或者称更宽的噪声容限。
同是5伏供电的话，TTL一般是1.7V和3.5V的样子，CMOS一般是2.2V,2.9V的样子，不准确，仅供参考。

2。电流驱动能力不一样，TTL一般提供25毫安的驱动能力，而CMOS一般在10毫安左右。

3。需要的电流输入大小也不一样。TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件;一般TTL需要2.5毫安左右，CMOS几乎不需要电流输入。

4。TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
CMOS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。

5。很多器件都是兼容TTL和CMOS的，datasheet会有说明。如果不考虑速度和性能，一般器件可以互换。但是需要注意有时候负载效应可能引起电路工作不正常，因为有些TTL电路需要下一级的输入阻抗作为负载才能正常工作。

E. 基带芯片的区别

传统的说，一个手机包括很多部分，学一件东西，首先我们从简单入手，假设我所要了解的手机只有最基本的功能--打电话发短信，那么这个手机应该包括以下几个部分，①射频部分，②基带部分，③电源管理，④外设，⑤软件。
从去年MTK刮起一阵旋风，大江南北70%的国产手机都是基于MTK平台的，MTK平台的6117，6119，6228，6305等一系列的芯片组代号红遍手机行业，但它们之间是怎样的联系呢?有人误解这些芯片组代号是MTK平台的代号，按照我的理解，61xx系列是射频芯片组；62xx系列是基带芯片组；63xx系列是电源管理芯片组，每一种MTK平台是这三种芯片组的组合，其中由于基带芯片组的重要性更高，所以一般以基带芯片组的代号来代指该MTK平台。
①射频部分；一般是信息发送和接收的部分；
②基带部分；一般是信息处理的部分；
③电源管理；一般是节电的部分，由于手机是能源有限的设备，所以电源管理十分重要，MTK做得好一个很大的原因就是电源管理做的好。
④外设；一般包括LCD，键盘，机壳等；
⑤软件；一般包括系统，驱动，中间件，应用四大部分；
基带芯片是整个手机的核心部分，这个就好比电脑的主机，其它都是外设。传统的基带芯片分为ABB和DBB两个部分，BB是Baseband的缩写，别想歪了，现在的网络小说太多，很多词都有了特殊的含义，但其实，它们真的很朴实。A是ANALOG的缩写，D是DIGITAL的缩写。
为什么会有ABB呢，因为基带芯片不光处理数字信号，也有可能处理模拟信号，最常见的就是声音的捕捉和合成转换，不要幻想手机中的声音是数字编码的，早期的大哥大根本没有那个处理能力。
DBB又是干什么的呢?在手机行业中，有一个潜规则，定义双芯片解决方案为smartphone，单芯片解决方案为feature phone，所谓的单双芯片就是DBB的核心部分。一般情况这种核心芯片的价格不菲，低端手机为了节约成本，只内嵌一个MCU芯片，成本稍高的中高端手机额外内嵌一个DSP芯片。还有一些高端手机的DBB有三个芯片，一个ARM7的主管通信部分，一个ARM9的充当MCU负责应用，一个DSP专用芯片负责大计算编解码的，随着硬件成本在手机中的比重越来越低，三芯片的解决方案可能将会是主流。
MCU和DSP充当DBB的CPU是整个手机主机的灵魂，但这不意味着其他的就可要可不要，手机有串口，有红外，有蓝牙，有sim卡，有键盘，有内存，有LCD，有USB…基带芯片上要支持这些东西，光说说是做不到的，有复杂的总线，石英钟，附加安全芯片等等，也可能是基带芯片上捆绑的附属品。基带芯片加上基本外设的成本通常也叫BOM成本。
手机终端中最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大；基带芯片负责信号处理和协议处理。
在TD-SCDMA终端发展中，处于产业链上游位置终端芯片方案的研发进展是推动TD产业商用化深入的关键。只有射频收发和基带芯片相互配合，才能共同完成中国3G芯片产业链的完整布局。
但射频芯片跟基带芯片相比，中国厂商的力量明显薄弱。从厂商数量和融资规模来看就可见一斑。
射频芯片简单的说就是接收信号和发送信号。我们的手机接打电话和接收短信时主管与基站通信的部分。
射频原理，全天下的都差不多一样，两条通道，一条发射，一条接收，但只有一根天线，一般是由一个开关(switch)来切换接收和发送的状态。有人要问，何时切换?我打电话的时候既接收信号又发送信号，怎么没有感觉到切换呀!，这个开关切换速度非常快，就好比我们平时在电脑上可以同时下载和上传多个文件而感觉不出来是通过一根网线做到的一样。
我们的手机是数字手机，所以要处理的都是数字信号，而射频发射的都是模拟信号，所以这个有一个数模转换的过程，数模转换的部分可能被包含在基带芯片中也可能被包含在射频芯片中。MTK平台的就包含在基带芯片中。
数字信号转换成模拟信号后信号非常的弱，不足以发送给基站，所以一般射频芯片中都有一个PA功放，功放顾名思义就是将功率放大，功率放大的代价就是电源消耗严重，所以我们打电话的时候特别的消耗电，那一般不打电话时也有信号发送给基站啊，要不手机上的信号怎么忽强忽弱的，对的，但是没有电话时射频信号一般发送的周期特长，比通话时信号发送的频率要低的多，所以这时不太耗电。
发送的通道要比接收的多一个振荡器，为啥要多个振荡器呢?我们都知道目前世界上有850MHz/900MHz/1800MHz/1900MHz四个GSM手机频段，这个频段是啥意思?以900MHz为例，就是一秒钟传输9亿个信号，换句话说每传输一个信号的时间间隔是9亿分之一秒，那么这个时间间隔由谁来把关呢?就是由这个振荡器，这个振荡器的震荡频率就是采用的频段标准。
于是我们理理思路；
发射端；
数字信号-->DAC(数模转换)-->混频器(与振荡器混合)-->发射功放-->发射
接收端；
数字信号<--ADC(模数转换)<--滤波器<--接收功放<--接收
下划线的部分为MTK平台射频芯片集成的功能，这就是一个射频原理框架，是不是所有的射频都一样?只除了振荡频率不一样。
其实不是的，现在只是在硬件层面，在软件层面每个手机射频芯片中还有射频协议栈，GSM的是GSM协议栈，CDMA的是CDMA协议栈，WCDMA的是WCDMA协议栈，每个都不一样，传说中的ttpcom公司就是依靠着GSM协议栈发家的，这个所谓的协议栈有点象我们的ip协议，定义了一系列的传输规则，所以两部手机通信不仅是因为他们的频率相同，也因为他们使用相同的协议栈。
在写windows编程时，尽管我们不晓得网卡如何传输数据，但我们只需要根据编程定义中的socket使用方法来写程序，我们就能够写网络应用，同样道理，我们只要知道GSM协议如何传输信息，那么我们就可以将信息通过射频传输出去，这个类似socket的方法就是我们所谓的AT命令，射频芯片数模转换后的信号就是AT命令，有了AT命令就有了可以识别的数字信号，手机可以做相应处理，所以手机上的数据业务丰富都是多亏了AT命令的出现。
所以，简单的说，射频芯片就是起到一个发射机和接收机的作用。

F. LT1541和LTC1541是同一个芯片吗

概览
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电路
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技术支持
LTC1541 - 微功率运算放大器、比较器和基准

特点

静态电流：5µA (典型值)
轨至轨输出摆幅
低的运放失调电压：700µV (最大值)
基准输出可驱动 0.01µF 电容器
内部 1.2V ±0.4% 基准输出 (LTC1541)
低输入偏置电流：1nA (最大值)
基准输出能提供高达 2mA 电流
内部 ±2.25mV 比较器迟滞
比较器和运放输入范围包括地电位
运放能够驱动高达 1000pF 负载
具有稳定的单位增益和 12kHz 带宽
2.5V 至 12.6V 电源电压范围
MAX951 / MAX953 的引脚兼容型升级产品
采用 3mm x 3mm x 0.8mm DFN 封装

典型应用

LTC1541 Typical Application
LTC1541 Typical Application
描述

LTC®1541 / LTC1542 将一个微功率放大器、比较器和带隙基准 (LTC1541) 整合在一个 8 引脚封装中。该器件依靠 2.5V 至 12.6V 单电源或 ±1.25V 至 ±6.3V 双电源供电运作，并具有一个 5µA 的典型电源电流。运放和比较器均具有一个从负电源扩展至正电源之 1.3V 以内的共模输入电压范围。运放输出级具有轨至轨输出摆幅。比较器的负输入在内部连接至基准输出 (LTC1541)。

基准输出电压在扩展温度范围内为 1.2V ±1%。输出能够驱动一个高达 0.01µF 的旁路电容器，并不会产生任何振荡。另外，它还能供应高达 2mA 和吸收高达 20µA 的电流。

运放在内部进行补偿，以实现稳定的单位增益以及在 12kHz 的典型 GBW 和 8V/ms 的摆率。比较器具有 ±2.25mV 的内部迟滞以确保干净的输出开关切换，即使在采用缓慢移动的输入信号时也不例外。

LTC1541 / LTC1542 采用 MSOP 和 SO-8 封装。对于空间受限的应用，LTC1541 / LTC1542 可提供 3mm x 3mm 扁平 (仅高 0.8mm) 双侧引脚细间距无引线封装 (DFN)。

应用

电池或太阳能供电型系统
汽车无钥匙进入
低频、局域报警 / 探测器
用于遥控的红外接收器
烟雾探测器和安全传感器
GSM 便携式电话

G. LTBFC是什么芯片

LTBFC是块级格式化范围芯片。

在BFC比特未来的生态中，矿工和矿池可能因参与门槛低、风险低等优势加入至BFC网络中，这将增加BFC网络节点数量。

增加持币者人数，而持币者人数增加将会增加BFC的需求量，从而促使BFC市场价格提升，当BFC市场价格提升后会让矿工和矿池更加看好BFC，并增加投入购买矿机，进一步扩大BFC网络，形成良性循环。

分类：

集成电路的分类方法很多，依照电路属模拟或数字，可以分为：模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路（模拟和数字在一个芯片上）。

数字集成电路可以包含任何东西，在几平方毫米上有从几千到百万的逻辑门、触发器、多任务器和其他电路。这些电路的小尺寸使得与板级集成相比，有更高速度，更低功耗（参见低功耗设计）并降低了制造成本。

模拟集成电路有，例如传感器、电源控制电路和运放，处理模拟信号。完成放大、滤波、解调、混频的功能等。通过使用专家所设计、具有良好特性的模拟集成电路，减轻了电路设计师的重担，不需凡事再由基础的一个个晶体管处设计起。

H. LED灯珠和LED芯片有什么区别

1、两者的光线集中度不同，射程也不同：

LED灯珠的角度做的非常小，属于光线比较集中，射程的很远，但是照射范围有限;而LED贴片的一般角度做的都很大，属于光线比较散乱，照射范围广，但是射程比较近。

2、采用的发光方式不同：

LED灯珠是采用放电放光，而LED贴片采用於冷性发光。

3、优缺点不同：

LED灯珠：对于led灯珠，led灯珠外形经历了直插、贴片，随着技术进步，顺理成章地出现了将多个led发光芯片，高度集成直接封装在基板上(电路、散热一体设计)，形成结构紧凑、大功率、超大功率led发光元件，这就是“COB”(看似一个灯珠，实际上是一组灯珠)。

LED芯片：集成LED一般是市场上对COB光源的一种别称，但实际上并不能将COB光源的特点描述清楚。COB指Chip-On-Board，将小功率芯片直接封装到铝基板上快速散热，芯片面积小，散热效率高、驱动电流小。因而具有低热阻、高热导的高散热性。

相比普通SMD小功率光源特点：亮度更高，热阻小(<6℃/W)，光衰更小，显指更高，光斑完美，寿命长。

4、成本不同：

从产品成本角度讲，大功率的LED灯珠成本要高于小功率的成本，一是大功率LED本身的造价要高，二是大功率的LED要加铝散热片，而小功率只要用普通电路板，加上自然散热就可达到要求。

I. multisim 11中的TTL和CMOS芯片每种都有D和N两种类型，他们有什么区别呢比如74LS85N和74LS85D~

N是双列直插的封装，D是贴片封装。从逻辑功能上，两者没有区别；在电气性能上可能略有差别（不同厂家，不同型号定）。