ltc4150增加功耗
⑴ 哪位弟兄知道HD7970跑ltc速度650K时功耗多少有没有测过的
完全没问题。
本人整机带显示器测试双7970GHz峰值650W以下，安钛克850W电源。
配置是Z77+E3+光驱+3硬盘。
单卡是整机不超过400W。
你还是好，我的HD7970是XFX讯景，全速只有420，目前各种帖子都无法解释，只有网友说刷BIOS成功解决，但我是无法搞定了。
你如果有其他方法，希望告知。
⑵ LTC6803测电池电压均衡的片子，您有电路图吗
应用电路二
通用的VTEMP ADC输入可用于对任何0V至4V信号进行数字转换，其准确度与第1节电池的ADC输入紧密对应。提供的一个有用信号是高准确度电压基准，例如：来自LTC6655-3.3的3.300V。利用该信号的周期性读数，主机软件能校正LTC6803读数，以把准确度提升至超过内部LTC6803基准的水平和/或验证ADC操作。图20示出了一种在LTC6803-1的GPI01输出的控制下，优先选择利用电池组对一个LTC6655-3.3进行供电的方法。如果由VREG供电，那么基准IC的操作功耗将给LTC6803增加明显的热负载，因此采用一个外部高电压NPN传输晶体管从电池组形成一个局部4.4V电源（Vbe低于VREG）。GPI01信号负责控制一个PMOS FET开关，以在即将执行校准时启动基准。由于GPIO信号在停机模式中默认至逻辑高电平，因此在空闲周期中基准将自动关断。
ltc6803中文资料（ltc6803引脚及功能_特性参数及典型应用电路图）
另一个有用的信号是电池组的总电压值。这可在正常采集过程中出现操作故障时提供一种冗余的可用电池测量，或作为一种更加快捷的监视整个电池组电压的方法。图21示出了怎样采用一个阻性分压器来获得完整电池组电压的比例表示。当IC进入待机模式时（即：当WDTB变至低电平时），采用一个MOSFET使电池组上的阻性负载断接。图中示出了一个LT6004微功率运算放大器部分，用于缓冲分压器信号以保持准确度。该电路的优点是：其转换频度大约可以比整个电池阵列的快4倍，因而提供了一个较高的采样速率选项（代价则是精度/准确度略有下降），从而为校准与电池平衡数据保留了高分辨率电池读数。
⑶ SOT220和TO220是同种封装吗
不是
SOT是SOP系列封装的一种。
一、 什么叫封装
封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。封装时主要考虑的因素：
1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；
2、 引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；
3、 基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：
结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；
装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装
二、 具体的封装形式
1、 SOP/SOIC封装
SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。SOP封装技术由1968～1969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
2、 DIP封装
DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
< 1 >
3、 PLCC封装
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写，即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。
4、 TQFP封装
TQFP是英文thin quad flat package的缩写，即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装（TQFP）工艺能有效利用空间，从而降低对印刷电路板空间大小的要求。由于缩小了高度和体积，这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用，如 PCMCIA 卡和网络器件。几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封装。
5、 PQFP封装
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写，即塑封四角扁平封装。PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。
6、 TSOP封装
TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚， TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印制电路板）上安装布线。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。
7、 BGA封装
BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引
< 2 >
出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。
三、 国际部分品牌产品的封装命名规则资料
1、 MAXIM 更多资料请参考 www.maxim-ic.com
MAXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。
MAX×××或MAX××××
说明：
1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。
2、后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。
举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护
MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）,说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类
1字头 模拟器 2字头 滤波器 3字头 多路开关
4字头 放大器 5字头 数模转换器 6字头 电压基准
7字头 电压转换 8字头 复位器 9字头 比较器
DALLAS命名规则
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工业级 S=表贴宽体 MCG=DIP封 Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级
IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFP
2、 ADI 更多资料查看www.analog.com
AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。
后缀的说明：
1、后缀中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，后缀中带R表示表示表贴。
2、后缀中带D或Q的表示陶封，工业级（45℃-85℃）。后缀中H表示圆帽。
3、后缀中SD或883属军品。
例如：JN DIP封装 JR表贴 JD DIP陶封
3、 BB 更多资料查看www.ti.com
BB产品命名规则：
前缀ADS模拟器件 后缀U表贴 P是DIP封装 带B表示工业级 前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度
4、 INTEL 更多资料查看www.intel.com
INTEL产品命名规则：
< 3 >
N80C196系列都是单片机
前缀：N=PLCC封装 T=工业级 S=TQFP封装 P=DIP封装
KC20主频 KB主频 MC代表84引角
举例：TE28F640J3A-120 闪存 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP
5、 ISSI 更多资料查看www.issi.com
以“IS”开头
比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM
封装： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP
6、 LINEAR 更多资料查看www.linear-tech.com
以产品名称为前缀
LTC1051CS CS表示表贴
LTC1051CN8 **表示*IP封装8脚
7、 IDT 更多资料查看www.idt.com
IDT的产品一般都是IDT开头的
后缀的说明：
1、后缀中TP属窄体DIP
2、后缀中P 属宽体DIP
3、后缀中J 属PLCC
比如：IDT7134SA55P 是DIP封装
IDT7132SA55J 是PLCC
IDT7206L25TP 是DIP
8、 NS 更多资料查看www.national.com
NS的产品部分以LM 、LF开头的
LM324N 3字头代表民品 带N圆帽
LM224N 2字头代表工业级 带J陶封
LM124J 1字头代表军品 带N塑封
9、 HYNIX 更多资料查看www.hynix.com
封装： DP代表DIP封装 DG代表SOP封装 DT代表TSOP封装。
TO-220封装常见的是3脚，是最见的封装之一。
2脚一般为单个二极管，两个二极管封装在一起的也为3个脚。
4个以上引脚基本上都是集成电路。
这种封装有一面会有裸露的金属片，用于直接与散热器相连，散热效果较好，尽管和TO-3相比热阻比较大，但安装和接接都很简单，在直插式封装中最为常见。但这种封装因金属散热部分直接与引脚连通，如希望与外加的散热器绝缘，则比较麻烦，不仅要加如云母片之类的绝缘垫片，还要另加一个绝缘套管。
⑷ TO-92是什么封装
什么是封装？
[顶]什么是封装？
IC产品的封装常识
一、 什么叫封装
封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。封装时主要考虑的因素：
1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；
2、 引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；
3、 基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：
结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；
装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装
二、 具体的封装形式
1、 SOP/SOIC封装
SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。SOP封装技术由1968～1969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
2、 DIP封装
DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
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3、 PLCC封装
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写，即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。
4、 TQFP封装
TQFP是英文thin quad flat package的缩写，即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装（TQFP）工艺能有效利用空间，从而降低对印刷电路板空间大小的要求。由于缩小了高度和体积，这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用，如 PCMCIA 卡和网络器件。几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封装。
5、 PQFP封装
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写，即塑封四角扁平封装。PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。
6、 TSOP封装
TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚， TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印制电路板）上安装布线。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。
7、 BGA封装
BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引
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出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。
三、 国际部分品牌产品的封装命名规则资料
1、 MAXIM 更多资料请参考 www.maxim-ic.com
MAXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。
MAX×××或MAX××××
说明：
1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。
2、后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。
举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护
MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）,说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类
1字头 模拟器 2字头 滤波器 3字头 多路开关
4字头 放大器 5字头 数模转换器 6字头 电压基准
7字头 电压转换 8字头 复位器 9字头 比较器
DALLAS命名规则
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工业级 S=表贴宽体 MCG=DIP封 Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级
IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFP
2、 ADI 更多资料查看www.analog.com
AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。
后缀的说明：
1、后缀中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，后缀中带R表示表示表贴。
2、后缀中带D或Q的表示陶封，工业级（45℃-85℃）。后缀中H表示圆帽。
3、后缀中SD或883属军品。
例如：JN DIP封装 JR表贴 JD DIP陶封
3、 BB 更多资料查看www.ti.com
BB产品命名规则：
前缀ADS模拟器件 后缀U表贴 P是DIP封装 带B表示工业级 前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度
4、 INTEL 更多资料查看www.intel.com
INTEL产品命名规则：
< 3 >
N80C196系列都是单片机
前缀：N=PLCC封装 T=工业级 S=TQFP封装 P=DIP封装
KC20主频 KB主频 MC代表84引角
举例：TE28F640J3A-120 闪存 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP
5、 ISSI 更多资料查看www.issi.com
以“IS”开头
比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM
封装： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP
6、 LINEAR 更多资料查看www.linear-tech.com
以产品名称为前缀
LTC1051CS CS表示表贴
LTC1051CN8 **表示*IP封装8脚
7、 IDT 更多资料查看www.idt.com
IDT的产品一般都是IDT开头的
后缀的说明：
1、后缀中TP属窄体DIP
2、后缀中P 属宽体DIP
3、后缀中J 属PLCC
比如：IDT7134SA55P 是DIP封装
IDT7132SA55J 是PLCC
IDT7206L25TP 是DIP
8、 NS 更多资料查看www.national.com
NS的产品部分以LM 、LF开头的
LM324N 3字头代表民品 带N圆帽
LM224N 2字头代表工业级 带J陶封
LM124J 1字头代表军品 带N塑封
9、 HYNIX 更多资料查看www.hynix.com
封装： DP代表DIP封装 DG代表SOP封装 DT代表TSOP封装。 不足之处欢迎补充
⑸ 配置一台8000元以上电脑,用INTER,AMD两款CUP.请详述他们的性能指标与优缺点
你了解的知识不是很全面,所以想法有些不正确的地方
首先不能一主频来区别两种CPU 他们的构架是不一样的,
从技术上来讲,AMD比Intel更先进,采用了K8构架,只有14
流水线,执行效率却很高,而Intel prescott核心有31条
流水线,虽然流水线的增加提高了工作频率,但却加大了
功耗,31条中有一条错整体就会出问题了,所以不是很好
还有AMD集成了内存控制器,所以对内存的读去更为稳定
所以在浮点计算方面具有很大的优势,所以玩游戏来说更
为合适,而Intel则更为稳定,处理影音更为拿手
还有关于你说的2级缓存,AMD由于他的先进的构架,所以对
2级缓存的依赖不是很大,512K已经足够用了,所以不必要
增加,因为增加会使用更多的晶体管,从而增加功耗,而In
tel 则需要更多的2级缓存来处理信息
最后要说
玩游戏来讲
没钱的买低端的AMD 闪龙64位400-800
有点钱的推荐INTEL P4 630 1200左右
很有钱的推荐AMD FX系列 3000-5000
对游戏的支持都很好
下面补充
有些偏激的想法是不正确的
有人就认为AMD比Intel要强很多
其实一等价钱一等货,AMD和Intel 都有低中高端产品,
价格都从几百到几千不等
总不能说几百的AMD玩游戏总比几千的Intel强吧
其实买的时候经济实力最重要,要买适合自己的CUP
然后性价比也很重要,自己喜欢就可以了
然后还要说
玩游戏CPU只是辅助,县卡是很重要的,所以两方面都很重
要,建议到网站查看查看,找到最佳组合,这才是游戏之道
^_^
⑹ 精创温控器LTC一20如何接线
LTC-20是厨房专用冰柜冰箱温控器。温度传感器应该是配套提供的。采用继电器控制冰箱冰柜电源，并且有压缩机延时保护功能，具体接线可参见说明书中端子板上的标记。
⑺ 中信交易所上LTC交易平台是否是正规公司
有以下抄条件证明是正规的：正规的只要有认证个人信息和网上银行绑定，提现只需2-3天，只扣掉3%-10%的手续费用。
公司主营业务范围为：证券（含境内上市外资股）的代理买卖；代理证券还本付息、分红派息；证券的代保管、鉴证；代理登记开户；证券的自营买卖；证券（含境内上市外资股）的承销（含主承销）；客户资产管理；证券投资咨询（含财务顾问）。
(7)ltc4150增加功耗扩展阅读：
相关事件：
1、2016年3月23日中信证券披露2015年年报，6名高管离职。
2、2017年5月24日，中信证券公告称，因违反《证券公司监督管理条例》第八十四条第（七）项“未按照规定与客户签订业务合同”之规定，中国证监会责令中信证券改正，给予警告并处罚款。
3、2018年11月6日，中信证券公告称，就前述调查，公司收到中国证监会结案通知书（结案字 [2018]18号），其中提及，经审理，中国证监会认为公司的涉案违法事实不成立，决定该案结案。
⑻ 汽车充电系统有哪些限制条件
1
、充电快速化
相比发展前景良好的镍氢和锂离子动力蓄电池而言，传统铅酸类蓄电池以其技术成熟、
成本低、电池容量大、跟随负荷输出特性好和无记忆效应等优点，但同样存在着比能量低、
一次充电续驶里程短的问题。因此，在目前动力电池不能直接提供更多续驶里程的情况下，
如果能够实现电池充电快速化，从某种意义上也就解决了电动汽车续驶里程短这个致命弱
点。
2
、充电通用化
在多种类型蓄电池、多种电压等级共存的市场背景下，用于公共场所的充电装置必须
具有适应多种类型蓄电池系统和适应各种电压等级的能力，即充电系统需要具有充电广泛
性，具备多种类型蓄电池的充电控制算法，可与各类电动汽车上的不同蓄电池系统实现充
电特性匹配，能够针对不同的电池进行充电。因此，在电动汽车商业化的早期，就应该制
定相关政策措施，规范公共场所用充电装置与电动汽车的充电接口、充电规范和接口协议
等。
3
、充电智能化
制约电动汽车发展及普及的最关键问题之一，是储能电池的性能和应用水平。优化电
池智能化充电方法的目标是要实现无损电池的充电，监控电池的放电状态，避免过放电现
象，从而达到延长电池的使用寿命和节能的目的。充电智能化的应用技术发展主要体现在
以下方面：
●优化的、智能充电技术和充电机、充电站
;
●电池电量的计算、指导和智能化管理
;
●电池故障的自动诊断和维护技术等。
4
、电能转换高效化
电动汽车的能耗指标与其运行能源费紧密相关。降低电动汽车的运行能耗，提高其经
济性，是推动电动汽车产业化的关键因素之一。对于充电站，从电能转换效率和建造成本
上考虑，应优先选择具有电能转换效率高，建造成本低等诸多优点的充电装置。
5
、充电集成化
本着子系统小型化和多功能化的要求，以及电池可靠性和稳定性要求的提高，充电系
统将和电动汽车能量管理系统集成为一个整体，集成传输晶体管、电流检测和反向放电保
护等功能，无需外部组件即可实现体积更小、集成化更高的充电解决方案，从而为电动汽
车其余部件节约出布置空间，大大降低系统成本，并可优化充电效果，延长电池寿命
电池充电
解决方案
事实上，所有
3G
手机都采用锂离子电池作为主电源。由于散热及空间的限制，设计师必须
仔细考虑选用何种类型的电池充电器，以及还需要哪些特性来确保对电池进行安全及精确
的充电。
线性锂离子电池充电器的一个明显趋势是封装尺寸继续减小。但值得关注的是在充电周期
(
尤其在高电流阶段
)
冷却
IC
所需的板空间或通风条件。充电器的功耗会使
IC
的接合部温
度上升。加上环境温度，它会达到足够高的水平，使
IC
过热并降低电路可靠性。此外，如
果过热，许多充电器会停止充电周期，只有当接合部温度下降后才恢复工作。如果这种高
温持续存在，那么
充电器“停止和开始”的反复循环也将继续发生，从而延长充电时间。
为减少这些风险，用户只能选择减小充电电流来延长充电时间或增大板面积来散热。因此，
由于增加了
PCB
散热面积及热保护材料，整个系统成本也将上升。
对此问题有两种解决方案。首先，需要一种智能的线性锂离子电池充电器，它不必为担心
散热而牺牲
PCB
面积，并采用一种小型的热增强封装，允许它监视自己的接合部温度以防
止过热。如果达到预设的温度阈值，充电器能自动减少充电电流以限制功耗，从而使芯片
温度保持在安全水平。第二种解决方案是使用一种即使充电电流很高时也几乎不发热的充
电器。这要求使用脉冲充电器，它是一种完全不同于线性充电器的技术。脉冲充电器依靠
经过良好调节且电流受限的墙上适配器来充电。
方案一
：
LTC4059A
线性电池充电器
LTC4059A
是一款用于单节锂离子电池的线性充电器，它无需使用三个分立功率器件，可快
速充电而不用担心系统过热。监视器负责报告充电电流值，并指示充电器是何时与输入电
源连接的。它采用尽可能小的封装但没有牺牲散热性能。整个方案仅需两个分立器件
(
输入
电容器和一个充电电流编程电阻
)
，占位面积为
2.5mm
×
2.7mm
。
LTC4059A
采用
2mm
×
2mm
DFN
封装，占位面积只有
SOT-23
封装的一半，并能提供大约
60
℃
/W
的低热阻，以提高散
热效率。通过适当的
PCB
布局及散热设计，
LTC4059A
可以在输入电压为
5V
的情况下以最
高
900mA
的电流对单节锂离子电池安全充电。此外，设计时无需考虑最坏情况下的功耗，
因为
LTC4059A
采用了专利的热管理技术，可以在高功率条件
(
如环境温度过高
)
下自动减小
充电电流。
方案二
：带过流保护功能的
LTC4052
脉冲充电器
⑼ 如何分辨不同种类的封装技术
IC产品的封装常识
一、 什么叫封装
封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。封装时主要考虑的因素：
1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；
2、 引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；
3、 基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：
结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；
装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装
二、 具体的封装形式
1、 SOP/SOIC封装
SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。SOP封装技术由1968～1969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
2、 DIP封装
DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
< 1 >
3、 PLCC封装
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写，即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。
4、 TQFP封装
TQFP是英文thin quad flat package的缩写，即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装（TQFP）工艺能有效利用空间，从而降低对印刷电路板空间大小的要求。由于缩小了高度和体积，这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用，如 PCMCIA 卡和网络器件。几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封装。
5、 PQFP封装
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写，即塑封四角扁平封装。PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。
6、 TSOP封装
TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚， TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印制电路板）上安装布线。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。
7、 BGA封装
BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20****90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引
< 2 >
出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。
三、 国际部分品牌产品的封装命名规则资料
1、 MAXIM 更多资料请参考 www.maxim-ic.com
MAXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。
MAX×××或MAX××××
说明：
1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。
2、后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。
3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。
举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护
MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）,说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类
1字头 模拟器 2字头 滤波器 3字头 多路开关
4字头 放大器 5字头 数模转换器 6字头 电压基准
7字头 电压转换 8字头 复位器 9字头 比较器
DALLAS命名规则
例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND
N=工业级 S=表贴宽体 MCG=DIP封 Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级
IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFP
2、 ADI 更多资料查看www.analog.com
AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。
后缀的说明：
1、后缀中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，后缀中带R表示表示表贴。
2、后缀中带D或Q的表示陶封，工业级（45℃-85℃）。后缀中H表示圆帽。
3、后缀中SD或883属军品。
例如：JN DIP封装 JR表贴 JD DIP陶封
3、 BB 更多资料查看www.ti.com
BB产品命名规则：
前缀ADS模拟器件 后缀U表贴 P是DIP封装 带B表示工业级 前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度
4、 INTEL 更多资料查看www.intel.com
INTEL产品命名规则：
< 3 >
N80C196系列都是单片机
前缀：N=PLCC封装 T=工业级 S=TQFP封装 P=DIP封装
KC20主频 KB主频 MC代表84引角
举例：TE28F640J3A-120 闪存 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP
5、 ISSI 更多资料查看www.issi.com
以“IS”开头
比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM
封装： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP
6、 LINEAR 更多资料查看www.linear-tech.com
以产品名称为前缀
LTC1051CS CS表示表贴
LTC1051CN8 **表示*IP封装8脚
7、 IDT 更多资料查看www.idt.com
IDT的产品一般都是IDT开头的
后缀的说明：
1、后缀中TP属窄体DIP
2、后缀中P 属宽体DIP
3、后缀中J 属PLCC
比如：IDT7134SA55P 是DIP封装
IDT7132SA55J 是PLCC
IDT7206L25TP 是DIP
8、 NS 更多资料查看www.national.com
NS的产品部分以LM 、LF开头的
LM324N 3字头代表民品 带N圆帽
LM224N 2字头代表工业级 带J陶封
LM124J 1字头代表军品 带N塑封
9、 HYNIX 更多资料查看www.hynix.com
封装： DP代表DIP封装 DG代表SOP封装 DT代表TSOP封装。
⑽ 纯电动汽车充电需求有哪些
纯电动汽车充电需求有哪些
1
、充电快速化
相比发展前景良好的镍氢和锂离子动力蓄电池而言，传统铅酸类蓄电池以其技术成熟、
成本低、电池容量大、跟随负荷输出特性好和无记忆效应等优点，但同样存在着比能量低、
一次充电续驶里程短的问题。因此，在目前动力电池不能直接提供更多续驶里程的情况下，
如果能够实现电池充电快速化，从某种意义上也就解决了电动汽车续驶里程短这个致命弱
点。
2
、充电通用化在多种类型蓄电池、多种电压等级共存的市场背景下，用于公共场所的充电装置必须
具有适应多种类型蓄电池系统和适应各种电压等级的能力，即充电系统需要具有充电广泛
性，具备多种类型蓄电池的充电控制算法，可与各类电动汽车上的不同蓄电池系统实现充
电特性匹配，能够针对不同的电池进行充电。因此，在电动汽车商业化的早期，就应该制
定相关政策措施，规范公共场所用充电装置与电动汽车的充电接口、充电规范和接口协议
等。
3
、充电智能化
制约电动汽车发展及普及的最关键问题之一，是储能电池的性能和应用水平。优化电
池智能化充电方法的目标是要实现无损电池的充电，监控电池的放电状态，避免过放电现
象，从而达到延长电池的使用寿命和节能的目的。充电智能化的应用技术发展主要体现在
以下方面：
●优化的、智能充电技术和充电机、充电站;
●电池电量的计算、指导和智能化管理
;
●电池故障的自动诊断和维护技术等。
4
、电能转换高效化
电动汽车的能耗指标与其运行能源费紧密相关。降低电动汽车的运行能耗，提高其经
济性，是推动电动汽车产业化的关键因素之一。对于充电站，从电能转换效率和建造成本
上考虑，应优先选择具有电能转换效率高，建造成本低等诸多优点的充电装置。
5
、充电集成化
本着子系统小型化和多功能化的要求，以及电池可靠性和稳定性要求的提高，充电系
统将和电动汽车能量管理系统集成为一个整体，集成传输晶体管、电流检测和反向放电保
护等功能，无需外部组件即可实现体积更小、集成化更高的充电解决方案，从而为电动汽
车其余部件节约出布置空间，大大降低系统成本，并可优化充电效果，延长电池寿命电池充电
解决方案
事实上，所有
3G
手机都采用锂离子电池作为主电源。由于散热及空间的限制，设计师必须
仔细考虑选用何种类型的电池充电器，以及还需要哪些特性来确保对电池进行安全及精确
的充电。
线性锂离子电池充电器的一个明显趋势是封装尺寸继续减小。但值得关注的是在充电周期
(
尤其在高电流阶段
)
冷却
IC
所需的板空间或通风条件。充电器的功耗会使
IC
的接合部温
度上升。加上环境温度，它会达到足够高的水平，使
IC
过热并降低电路可靠性。此外，如
果过热，许多充电器会停止充电周期，只有当接合部温度下降后才恢复工作。如果这种高
温持续存在，那么
充电器“停止和开始”的反复循环也将继续发生，从而延长充电时间。
为减少这些风险，用户只能选择减小充电电流来延长充电时间或增大板面积来散热。因此，
由于增加了
PCB
散热面积及热保护材料，整个系统成本也将上升。
对此问题有两种解决方案。首先，需要一种智能的线性锂离子电池充电器，它不必为担心
散热而牺牲
PCB
面积，并采用一种小型的热增强封装，允许它监视自己的接合部温度以防
止过热。如果达到预设的温度阈值，充电器能自动减少充电电流以限制功耗，从而使芯片
温度保持在安全水平。第二种解决方案是使用一种即使充电电流很高时也几乎不发热的充
电器。这要求使用脉冲充电器，它是一种完全不同于线性充电器的技术。脉冲充电器依靠
经过良好调节且电流受限的墙上适配器来充电。
方案一
：
LTC4059A
线性电池充电器
LTC4059A
是一款用于单节锂离子电池的线性充电器，它无需使用三个分立功率器件，可快
速充电而不用担心系统过热。监视器负责报告充电电流值，并指示充电器是何时与输入电
源连接的。它采用尽可能小的封装但没有牺牲散热性能。整个方案仅需两个分立器件(
输入
电容器和一个充电电流编程电阻
)
，占位面积为
2.5mm
×
2.7mm
。
LTC4059A
采用
2mm
×
2mm
DFN
封装，占位面积只有
SOT-23
封装的一半，并能提供大约
60
℃
/W
的低热阻，以提高散
热效率。通过适当的
PCB
布局及散热设计，
LTC4059A
可以在输入电压为
5V
的情况下以最
高
900mA
的电流对单节锂离子电池安全充电。此外，设计时无需考虑最坏情况下的功耗，
因为
LTC4059A
采用了专利的热管理技术，可以在高功率条件
(
如环境温度过高
)
下自动减小
充电电流。
方案二
：带过流保护功能的
LTC4052
脉冲充电器