ltc升压ic

❶ 请问下常用的电压转换芯片都有哪几种啊有没有高手指点下，谢谢！

有AD637、LTC1966、LTC1967、LTC1968等等。
芯片，英文为Chip；芯片组为Chipset。芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的独立的整体。“芯片”和“集成电路”这两个词经常混着使用，比如在大家平常讨论话题中，集成电路设计和芯片设计说的是一个意思，芯片行业、集成电路行业、IC行业往往也是一个意思。

❷ IC :LTC4411有什么作用

LTC4411, 凌特公司(Linear Technology)推出的低损耗 Power Path控制器， 采用 ThinSOT™ 封装的 2.6A 低损耗理想二极管。
特点：

PowerPath™“或”二极管的低损耗替代方案
小的已调节正向电压 (28mV)
2.6A 最大正向电流
低正向接通电阻 (最大值为 140mΩ)
低反向漏电流 (<1µA)
2.6V 至 5.5V 工作电压范围
内部电流限值保护
内部热保护
无需外部有源组件
LTC4412 的引脚兼容型单片替代器件
低静态电流 (40µA)
扁平 (1mm) 的 5 引脚 SOT-23 封装。

典型应用：
蜂窝电话
手持式计算器
数码相机
USB 外设
不间断电源
逻辑控制型电源开关。

❸ 六脚升压ic 2脚为gnd,3脚为fb,4脚为en,五脚为out ,1脚为sw,6脚为vcc 是什么ic

RGB三色LED灯，有个6脚管被磨去丝印，无法辨别型号，有知道的大神不请教下什么型号的，6脚管子驱动一个MOS管子， 我测下6脚管1脚2脚在一起是电源电压36V，3脚时间太晚没测到，4脚GND，5脚OUT输出驱动MOs管，6脚接贴片电容接地，板子上一共3组这样的组合，

❹ LT1541和LTC1541是同一个芯片吗

概览
封装
订购信息
设计工具
演示电路板
电路
通知
技术支持
LTC1541 - 微功率运算放大器、比较器和基准

特点

静态电流：5µA (典型值)
轨至轨输出摆幅
低的运放失调电压：700µV (最大值)
基准输出可驱动 0.01µF 电容器
内部 1.2V ±0.4% 基准输出 (LTC1541)
低输入偏置电流：1nA (最大值)
基准输出能提供高达 2mA 电流
内部 ±2.25mV 比较器迟滞
比较器和运放输入范围包括地电位
运放能够驱动高达 1000pF 负载
具有稳定的单位增益和 12kHz 带宽
2.5V 至 12.6V 电源电压范围
MAX951 / MAX953 的引脚兼容型升级产品
采用 3mm x 3mm x 0.8mm DFN 封装

典型应用

LTC1541 Typical Application
LTC1541 Typical Application
描述

LTC®1541 / LTC1542 将一个微功率放大器、比较器和带隙基准 (LTC1541) 整合在一个 8 引脚封装中。该器件依靠 2.5V 至 12.6V 单电源或 ±1.25V 至 ±6.3V 双电源供电运作，并具有一个 5µA 的典型电源电流。运放和比较器均具有一个从负电源扩展至正电源之 1.3V 以内的共模输入电压范围。运放输出级具有轨至轨输出摆幅。比较器的负输入在内部连接至基准输出 (LTC1541)。

基准输出电压在扩展温度范围内为 1.2V ±1%。输出能够驱动一个高达 0.01µF 的旁路电容器，并不会产生任何振荡。另外，它还能供应高达 2mA 和吸收高达 20µA 的电流。

运放在内部进行补偿，以实现稳定的单位增益以及在 12kHz 的典型 GBW 和 8V/ms 的摆率。比较器具有 ±2.25mV 的内部迟滞以确保干净的输出开关切换，即使在采用缓慢移动的输入信号时也不例外。

LTC1541 / LTC1542 采用 MSOP 和 SO-8 封装。对于空间受限的应用，LTC1541 / LTC1542 可提供 3mm x 3mm 扁平 (仅高 0.8mm) 双侧引脚细间距无引线封装 (DFN)。

应用

电池或太阳能供电型系统
汽车无钥匙进入
低频、局域报警 / 探测器
用于遥控的红外接收器
烟雾探测器和安全传感器
GSM 便携式电话

❺ ltc1628cg什么芯片

就是普通的哦！

❻ LTC1044负电压转换器什么原理，什么用

简易的频率到电压转换器
简易的频率到电压转换器 简易的频率电压转换器，在0到3.4kHz范围内提供1mV/Hz信号输出 如图是一个简易的频率到电压转换器，它使用了开关电容式电压转换器。该电路的输 出电压符合下面的等式，此处K=2.44（对于LTC1044），f为输入频率。 Vout=K×f×R1×C1 当电源电压为+5V时，Vout的最大值接近3.4V。在使用该电路时，应重视电源的稳压和滤 波。按图所示电路的参数值，在0到3.4kHz的范围内输出信号以1mV/Hz变化。你可以通过 选择C2的值来达到较理想的响应时间和脉动。在LTC1044的7脚输入的最大频率约为100k Hz。你也可以用7660等元件替换IC1，但温度稳定性不好，且一定程度上有不同的K值。

❼ 电池供电 1.5V 用升压芯片升成3.3V电源 最好用什么芯片

可以用LN2351的芯片，电流不大就直接升压，输出大约有200MA。需要大电流时外扩MOS。

需要注意的是，如果用芯片，BL8505三端升压稳压IC，该IC最低工作电压仅1.0V。输出电压范围2.5~5.0V，步进0.1V。采用TO92三脚封装，外形与9013三极管完全一样。

(7)ltc升压ic扩展阅读：

升压芯片选型：

型号：BT1001

100KHzVFM开关型DC-DC升压转换器。低电压启动：0.8V启动，输入电压0.8-7V。输出电压范围：2V~5.6V；固定电压输出。输出电流：300mA。内置开关MOS管。封装：SOT-23-3SOT-89-3TO-92。

型号：BT1002

200KHzVFM开关型DC-DC升压转换器。低电压启动：0.9V启动，输入电压0.9-6V。输出电压范围：2V~5.6V；固定电压输出。输出电流：300mA~750mA。内置开关MOS管。封装：SOT-23-3SOT-89-3。

型号：BT1003

180KHzPFM开关型DC-DC升压转换器。低电压启动：0.8V启动，输入电压0.8-7V。输出电压范围：2V~7V；固定电压输出或可调输出。输出电流：300mA~1000mA。有内置或者外置开关MOS管。封装：SOT-23-3SOT-89-3SOT-23-5SOT-89-5。

❽ 我想把3.3V的电压经过简单的电路或者一个芯片转换成5V电压，能帮下忙吗谢谢

输出电流很小的话，可以搭一个方波振荡器（比如用74HC04反相器和电阻电容实现)，然后再倍压整流。
输出电流高的话，只能用开关电源芯片实现了。

❾ 造血干细胞体外集落形成实验

搬运自：知乎 权威的中科博生

目的：验证造血干细胞的 多向分化潜能 。在文献中有用到。doi: 10.1186/s13287-018-0926-x

这些方法虽然均有其局限性而不能完全代表造血干细胞，但在造血干细胞的研究，尤其是人造血干细胞和早期祖细胞的研究中仍具有重要的意义。

目前用来检测造血干细胞和早期祖细胞的体外克隆实验包括长期培养启动细胞(LTC-IC)和延长的长期培养启动细胞(extended long-term culture initiating cell,ELTC-IC)测试、高增殖潜能集落形成细胞(high proliferative potential colony form-ing cell, HPP-CFC)测试、卵石样区域形成细胞(cobblestone area-forming cell,CAFC)测试、原始细胞集落(colony forming unit-blast, CFU-Blast)测试、CFU-A(colony forming unit type A)实验、混合集落(colony forming unit-mix,CFU-Mix 或

colony forming unit-granulocyte, erythrocyte, macrophage, megakaryocyte, CFU-GEMM)培养法及二次再克隆实验(secondary recloning assay)等。中科博生。

（1）长期培养启动细胞和延长的长期培养启动细胞测试

在受照射 骨髓基质细胞 的支持下生长35〜60d所产生的集落被称为长期培养启动细胞(LTC-IC),生长60〜100d的被称为延长的长期培养启动细胞(ELTC-IC) O LTC-IC是反映造血干细胞功能的指标，其原理主要是根据绝大多数祖细胞寿命有限，在长期培养体系中向终末细胞分化而失去集落形成能力，或出现凋亡现象，而具备自我更新能力的细胞则能维系其低分化特性因而长期存活。

迄今为止，ELTC-IC和LTC-IC代表了体外培养中最幼稚的造血细胞。它们从增殖分化到形成集落所需的时间比各种集落形成细胞(包括HPP-CFC、CFU-GEMM,CFU-GM.BFU-E.CFU-E等)要长得多，因而比它们更原始。将这种细胞种植到受照射骨髓基质上能维持数周或数月的造血。用5-FU处理的小鼠骨髓细胞，其中无CFU-S12,有在骨髓基质上启动长期造血的能力，而高度纯化的CFU-S12不能在基质上维持长期造血，这说明LTC-IC是比CFU-S12更早的干细胞。LTC-IC虽然不能代表真正的干细胞，但的确可反映干细胞的存在和变化，这已被大家公认。中科博生。

（2）高增殖潜能集落形成细胞测试

Bradley和Hodgson首先发现，骨1M细胞在多种造血因子存在时能在体外半固体培养10〜12d后形成大集落(直径＞0.5mm，约5X 104个细胞)。他们把骨髓中能形成这种大集落的细胞称为高増殖潜能集落形成细胞(HPP-CFC)。集落培养时间随种属不同而异，小瓯为14d,人为21~28d。中科博生。

HPP-CFC具有如下特点：

①在体内对细胞毒药物5-FU不敏感；

②具有向髄系和淋巴系分化的潜能；

③对多种细胞因子(如GM-CSF, CSF-1、IL-1, IL-3、IL-4, IL-6)有反应性；

④同受致死剂量射线照射小鼠造血的重建密切相关。中科博生。

目前HPP-CFC被分成HPP-CFC-1 x HPP-CFC-2、HPP-CFC-3三群。HPP-CFC-1是高度静息的细胞群，与pre-CFU-S密切相关，通常认为比CFU-A更早，但比LTRC更成熟，相当于第28天的CAFC和MRAo HPP-CFC-2与定向祖细胞更接近，HPP-CFC-3则更成熟。人骨髄晚期HPP-CFC形成宣径约0.5 —1mm的集落，早期HPP-CFC形成直径约1~2mm的集落，有的可达2.5〜5mm。中科博生。

（3）卵石样区域形成细胞测试

CAFC是一种基于Dexter体系的微型基质依赖骨髓培养法，它是将骨髓细胞接种于受致死剂量射线照射的基质细胞层上培养10〜28d,观察卵石样血岛形成情况。CAFC在分化程度上同 MRA 和CFC-Blast及原始 HPP-CFC相当，比LTRC成熟。中科博生。

（4）原始细胞集落实验

CFU-Blast是早期的造血细胞(CFC-Blast)在体外适当的条件下半固体培养18〜32d后，形成的由形态上未分化的细胞组成的小集落(＞25个细胞)。这种形态上未分化的细胞具有高度再克隆能力和自我更新潜能，并有产生多系定向祖细胞的能力，在分化程度上相当于HPP-CFC或更早。中科博生。

（5）CFU-A 实验

这是在体外用半固体培养法检测小鼠骨髓造血干细胞的方法。小鼠骨髓细胞在L929和AF1-19T条件培养液刺激下，在体外培养lid可形成直径＞2mm的集落。人骨髓细胞在CSF-1和GM-CSF存在下培养23d后形成直径＞imm的CFU-AO CFU-A为不均一的细胞群体，在分化程度上，CFU-A比LTRC和HPP-CFC更成熟，较早期的CFU-A相当于HPP-CFC-1。中科博生。

（6）体外混合集落培养

CFU-Mix是半固体培养12〜16d后形成的含有粒细胞、红细胞、巨噬细胞和巨核多系血细胞的集落。这些细胞大致相当于较晚期的CFU-S,比LTRC成熟。中科博生。

（7）二次再克隆实验

将造血干细胞先在适宜的条件下进行培养后再检测这些培养后的细胞是否具有集落形成能力。利用该实验通常可以观察造血干细胞的自我复制能力及向祖细胞分化的能力。中科博生。

虽然各种体外实验可以部分反映造血干细胞的情况，但值得注意的是，当前的各种体外检测方法均无法观察造血干细胞向淋巴系的分化，即无法判断这些细胞是否具有全系造血能力，因此，迄今为止仍没有一个体外培养方法可用于检测造血干细胞

❿ 线性稳压IC简介

LDO是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器（ NCT3101S ），是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出 2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。LDO是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。更新的发展使用CMOS功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 CMOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。DCDC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器，包括LDO。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DCDC。LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA（TI的TPS78001达到Iq=0.5uA），电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力，输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，应为从上面的原理可以知道，LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随著集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。生产厂家主要有：TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild等；LDO的四大要素：压差Dropout、噪音Noise、共模/纹波抑制比（PSRR）、静态电流Iq，这是LDO的四大关键数据。产品设计师按产品负载对电性能的要求结合四大要素来选择LDO。在手机上用的LDO要求尽可能小的噪音（纹波），在没有RF的便携式产品需求静态电流小的LDO。LDO的工作条件：Vin >= Vdrop + Vout。且一般需要两个外接电容：Cin、Cout，一般采用钽电容或MLCC。注意：LDO是稳压器