dar2是什麼虛擬貨幣
㈠ DDR2是什麼
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標准規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區別：
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標准DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鍾的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標准DDR的400MHZ限制。
DDR內存通常採用TSOP晶元封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自己的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。
採用雙通道運行，速度是DDR的2倍。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。
㈡ DDR2內存中的DDR2是指啥啊
都支持的.
要看你主板晶元組最高支持到那種的ddr2內存頻率,目前一般的ddr2
內存有
ddr2
533
ddr2
667
ddr2
800
ddr2
1066
這幾種內存頻率,如果你的主板最高只支持到ddr2
800
而你換的切是ddr2
1066
他就會自己降頻使用,降為ddr2
800規格的來使用,如果最高只支持到ddr2
667
而你換的卻是
ddr2
800,ddr2
800就會降成ddr2
667的內存頻率來使用.其他的都一樣.
所以要根據自己的主板最高支持的內存頻率來(amd的除外,amd的cpu中自帶內存控制器,只有amd的處理才會依照cpu來選擇內存型號.),選擇內存,不然比如說你選擇了800的內存,而主板最高卻只支持到667,他就會降頻到667的規格來使用,完全發揮不出來它的性能.
㈢ ddr2什麼意思
第二代內存。
內存分為第一代、第二代、第三代、第四代。
分別表示為：DDR、DDR2、DDR3、DDR4。
每一代內存都有不同的頻率，譬如：DDR2 有667MHz、800MHz，DDR3代有1333MHz、1600MHz等。
內存條還分為標壓內存和低壓內存。
㈣ DDR2價格為什麼暴漲
內存價格從08年12月底到現在就一直在漲漲跌跌中徘徊，去年內存一直都在大幅降價中度過，終於在年底時爆發，所有產品均開始漲價。2GB內存平均都有20-30元的漲幅，出現了罕見的觸底反彈，還不到一周2GB 800內存就從谷底的低於百元價格又升至了120-130元的價位了，一直到09年春節回來，價格竟均飆到了160元，雖然中間會有小起小落，但都無關大局，終於在數日前紛紛再次大幅回落，目前2GB 800內存價格回到135元左右。在這一段時間之中，是什麼原因造成了這樣的形勢呢？ 首先，在08年底，當內存價格落到了谷底時，DRAM廠商均不想賠錢出貨，讓少數買盤進場炒作，而且當時韓元大幅走升，美元大幅貶值，三星及海力士等DRAM廠又停止對現貨市場拋貨，讓供給短時間緊縮，成功的拉升了價格。 自力晶08年率先宣布減產之後，爾必達、茂德、南科與華亞科陸續跟進後，在09年年初全球DRAM廠合計減產近20%。全球DRAM與NAND Flash的龍頭三星電子也在計劃通過大幅度減產來降低內存，以及快閃記憶體晶元供應量，以此來強制抬升內存晶元的成交價格。而減產效應的顯現也保證了1月上旬DRAM價格的持續上漲。 之後三星又傳出有意調降今年半導體部門資本支出，以及各廠減產幅度逐漸擴大，讓嚴重的是供給過剩問題有望緩解，此時又逢春節臨近，而PC OEM、渠道及中間商手裡存活不多造成的市場采購量的增長，每逢這個時間，都會出現漲價的情況。隨著年底的休假。底層經銷商都開始紛紛進貨，以備不時之需。而DRAM廠為了避免營運上進一步現金流出，因此都陸續展開惜售策略，價格太低的貨一律不賣，1月23日，德國DRAM記憶體大廠奇夢達又向慕尼黑地方法院提交破產申請。因此在春節前的這一波現貨價格，在天時、地利、人合的條件下，成功的出現了上漲。 春節過後，由於受奇夢達破產的影響，2月10日，美國最大NOR快閃記憶體晶片廠商Spansion宣布，其日本分公司已經申請破產保護。而茂德也背負巨額債務，不知未來走勢如何。在市場預期供給減少的帶動下，DRAM價格全面上漲，使得內存現貨價格也隨之變動，2GB 800內存曾一度漲至160元。 但是在連續的價格上漲之後，需求開始減緩，市場買氣低迷，價格再次全面回縮。部分晶元供應商為尋求買氣出現不斷地降價，不過交易情況依舊未改善，反而造成整體價格出現較明顯的跌幅，而且這種形勢將持續數日。現在DRAM現貨價再次跌破0.9美元，被打回去年底的原點。 有市場人士指出，未來只有DRAM廠進一步的整合或是有廠商的退出，在供需獲得平衡的狀況下，對會對整體DRAM市場有正面幫助。 奇夢達公司1月23日向法院聲請破產保護，目前有一個月的時間尋找投資者，而其在這期間推出46nm內存技術，打算以公司的主要研發和產能的存續力，來尋求找到新投資者，可以看出奇夢達也還沒有放棄。 台灣「經濟部」預計本月底提出官方版DRAM整並架構。目前DRAM價格遲遲無法彈升至現金成本以上，因此DRAM廠普遍面臨後繼無力，現金凈流出的狀況，因此DRAM產業將從五合一升級成六合一，並非不可能，不過目前台灣各大DRAM廠在整並上都存有私心，老大心態阻礙整並進度。在未來的時間里，我們就要關注關廠效應的發酵，是否會帶來需求的復甦。
㈤ ddr3,ddr2,ddr4的區別是什麼
DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：為雙信道同步動態隨機存取內存，是新一代的SDRAM技術。別於SDR（Single Data Rate）單一周期內只能讀寫1次，DDR的雙倍數據傳輸率指的就是單一周期內可讀取或寫入2次。在核心頻率不變的情況下，傳輸效率為SDR SDRAM的2倍。第一代DDR內存Prefetch為2bit，是SDR的2倍，運作時I/O會預取2bit的資料。舉例而言，此時DDR內存的傳輸速率約為266～400 MT/s不等，像是DDR 266、DDR 400都是這個時期的產品。
DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）：為雙信道兩次同步動態隨機存取內存。DDR2內存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的兩倍），DDR2的I/O頻率是DDR的2倍，也就是266、333、400MHz。舉例：核心頻率同樣有133～200MHz的顆粒，I/O頻率提升的影響下，此時的DDR2傳輸速率約為533～800 MT/s不等，也就是常見的DDR2 533、DDR2 800等內存規格。
DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動態隨機存取內存。DDR3內存Prefetch提升至8 bit，即每次會存取8 bits為一組的數據。DDR3傳輸速率介於 800～1600 MT/s之間。此外，DDR3 的規格要求將電壓控制在1.5V，較DDR2的1.8V更為省電。DDR3也新增ASR（Automatic Self-Refresh）、SRT（Self-Refresh Temperature）等兩種功能，讓內存在休眠時也能夠隨著溫度變化去控制對內存顆粒的充電頻率，以確保系統數據的完整性。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達2133～3200 MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 數據組的設計，各個Bank Group具備獨立啟動操作讀、寫等動作特性，Bank Group 數據組可套用多任務的觀念來想像，亦可解釋為DDR4 在同一頻率工作周期內，至多可以處理4 筆數據，效率明顯好過於DDR3。 另外DDR4增加了DBI（Data Bus Inversion）、CRC（Cyclic Rendancy Check）、CA parity等功能，讓DDR4內存在更快速與更省電的同時亦能夠增強信號的完整性、改善數據傳輸及儲存的可靠性。
本質區別就是 速度 穩定性 和更新換代
如同 iPhone1-7s
㈥ 內存類型：DDR2是什麼意思
DDR
（Double
Data
Rate
）
你可以把DDR理解成類型!
1
2
3是1代
2代
3代~
DDR內存是內存的類型
而後面的123代表第幾代~
而DDR1的速度我們理解成100的話~DDR2大概就120了~
而DDR2理解成120的話~那麼DDR3就在DDR2的速度上提升大概5%
㈦ DDR2是什麼意思
DDR2
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標准規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區別：
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標准DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鍾的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標准DDR的400MHZ限制。
DDR內存通常採用TSOP晶元封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。
㈧ ddr和ddr2有什麼區別
DDR是第一代DDR產品，在很多方面都存在這問題，現在已經基本被市場淘汰了，DDR2是後續的2代產品，在性能方面有了一定的提高，已經成為了市場的主流，下一階段就是DDR3的天下了
最大的區別就是運行的速度上，最好的搭配方法就是1+1，而不是只安一根
㈨ DDR2這個2表示什麼
是第二代的意思，就是DDR第二代
DDR3就是DDR第三代
雙通道主要看主板和CPU是否支持雙通道內存